刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 环形压敏电阻器及其研发现状

    孟凡明;

    介绍了环形压敏电阻器的形体结构,电极形状,导电模式及其消噪原理;分析了环形压敏电阻器的应用及研发现状;比较了各种环形压敏电阻器的优劣。正处于研究阶段的TiO2系环形压敏电阻器有望弥补SrTiO3系环形压敏电阻器和ZnO系压敏电阻器存在的不足之处。

    2006年08期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 157K]
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  • 综合信息

    2006年08期 3+21+28+57页 [查看摘要][在线阅读][下载 605K]
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  • 高温功率半导体器件连接的低温烧结技术

    陈旭;李凤琴;蔺永诚;陆国权;

    综述了功率电子器件和模块的连接和封装工艺,介绍了粉末致密烧结技术和用于电子封装的现状,对纳米银金属焊膏烧结技术进行了讨论。研究表明,纳米银可有效降低烧结温度,提高设备的高温稳定性、导热性、导电性、机械强度、抗疲劳性等。由于银的熔点较高,这种新技术可应用于高温功率器件的封装。

    2006年08期 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 239K]
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  • 超级电容器用氧化钌及其复合材料的研究进展

    徐艳;王本根;王清华;刘宏宇;

    介绍了超级电容器(亦称电化学电容器)中赝电容器的工作原理和特点。对性能较好的电极材料氧化钌及其复合材料进行分类。综述了近年来其制备和应用进展,并针对氧化钌材料的高成本,提出解决方法和建议。最后对氧化钌材料的发展前景作了展望。

    2006年08期 7-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 171K]
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  • 改性活性炭双电层电容器电极材料研究

    胡中华;万翔;刘亚菲;赵国华;

    用氢氧化钾对普通活性炭活化改性,比表面积和总孔容由806m2/g和0.411cm3/g分别增加到1168m2/g和0.577cm3/g。用该材料制成硬币型双电层电容器,经测定炭材料比电容高达203.5F/g,提高了64%;等效串联内阻仅为1.94?,大电流放电时容量衰减小于10%。其突出优点是体积与面积比电容高达109.6F/cm3和17.4×10–6F/cm2。研究发现孔径分布于1.4~2.78nm的超微孔和小中孔,有利于电解质离子形成双电层而提高炭材料的电容量。

    2006年08期 11-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 2149K]
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  • B_2O_3掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/MgO陶瓷介电性能的影响

    杨涛;吕文中;汪小红;

    采用XRD和SEM对B2O3掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO(简称为BSTM)陶瓷致密化行为和介电性能进行了研究。结果表明:掺杂适量B2O3可明显降低BSTM陶瓷的烧结温度,在1480℃时即可烧结致密化,比未掺杂的BSTM陶瓷烧结温度降低70℃;掺杂量不同,则B2O3在陶瓷体中的存在形式不同,引起其介电性能相应变化;1480℃下烧结,B2O3掺杂量为0.8%(质量分数)时,10kHz下测得试样的εr为138,tanδ为0.0034,εr可调率达12.6%(3MV/m),性能有所提高。

    2006年08期 16-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 459K]
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  • MgSiO_3掺杂对ZnO压敏电阻器电学性质的影响

    陈洪存;臧国忠;王矜奉;苏文斌;王春明;亓鹏;

    采用传统陶瓷工艺制备了MgSiO3掺杂的防雷用ZnO压敏电阻。实验发现,掺杂0.04%的MgSiO3(物质的量)能显著提高其电流–电压非线性、通流能力和电压梯度E1.0,且能降低样品的漏电流IL以及残压比V40kA/V1mA。其非线性系数α和压敏电压梯度分别高达120,180V/mm,样品正反面各五次通流40kA、8/20μs波后,残压比和压敏电压变化率?V1mA/V1mA分别仅为2.56和–2.9%,且漏电流变化很小。对样品的微观结构分析显示,其电学性能的提高和晶粒的均匀程度有关。

    2006年08期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 273K]
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  • 金红石型TiO_2气敏材料的研究

    黄萍;裴素华;

    采用预处理、高价氧化物掺杂、长时间烧结等手段,降低了金红石晶型TiO2的阻值。借助XRD和器件测试方法,对其结构和元件参数进行了分析,结果表明:TiO2粉末在1050℃下退火1h,能完全转化为稳定的金红石型结构;对金红石型结构的TiO2经N2气氛预处理、掺入质量分数为10%的Nb2O5、80h(800℃)烧结后,TiO2气敏器件阻值降为780k?,并相应提高了灵敏度,为鱼类食品测鲜领域实现非破坏性、快速准确的测量,探索了一条制作低阻值微型化气敏传感器材料的新工艺。

    2006年08期 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 255K]
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  • 复合钒钼酸干凝胶薄膜湿敏特性的影响因素

    李莉;童茂松;翁爱华;

    采用sol-gel法制备复合钒钼酸H2V12–xMoxO31±y·nH2O(0≤x≤4)干凝胶薄膜并研究了Mo含量、电极及温度等对其湿敏特性的影响。结果表明:当工作频率为1kHz,温度20℃,涂覆于金电极上的H2V10Mo2O31±y·nH2O(x=2)干凝胶薄膜在全湿度范围内具有线性好、灵敏度较高、响应快、湿滞小的特点,是一种很有前途的新型湿敏材料。

    2006年08期 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 285K]
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  • 应用聚吡咯电解质的固体钽电解电容器

    刘仲娥;刘凌;

    叙述了聚吡咯电解质的制备过程,并比较了该电解质较传统电解质的特点,分析了聚吡咯电解质固体钽电解电容器的性能特征。应用PPy-DEHS(2-(2-乙基己基)硫代丁二酸钠盐掺杂聚吡咯,溶剂为三氟乙酸)电解质装配的固体钽电解电容器具有较高的电容量和较低的损耗。在掺杂聚吡咯中加入表面活性剂和偶联剂可以增加电容器容量,降低其损耗。

    2006年08期 29-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 141K]
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  • 熔盐法制备Sr_(0.4)Ba_(0.6)Nb_2O_6粉体

    赵高磊;黄金亮;杨留栓;殷镖;侯麦珍;

    采用熔盐法(MSS)合成了各向异性生长的棒状Sr0.4Ba0.6Nb2O6粉体。用XRD分析表明,熔盐法合成的是单相Sr0.4Ba0.6Nb2O6陶瓷粉体,没有其它杂相生成;用SEM分析合成粉体的形貌,结果表明,熔盐法合成的粉体呈棒状,且随着反应条件的不同,棒状粉体的长度在2~20μm。研究表明,影响粉体形状和尺寸的主要因素是合成温度以及原料和盐的比例。

    2006年08期 31-32+35页 [查看摘要][在线阅读][下载 300K]
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  • Nb和Co掺杂对PZT铁电薄膜电性能的影响

    刘国营;柳擎;罗时军;

    用sol-gel法在ITO玻璃衬底上制备了不同比例Nb和Co掺杂的PZT铁电薄膜,薄膜呈以(101)为首要方向的多晶结构。结果表明,Co掺杂的PZT薄膜的剩余极化强度、矫顽场强、相对介电常数和漏电流密度均大于PZT薄膜的相应值,但在掺杂x(Nb)为1%~10%内漏电流密度随着Nb掺杂比例的增加而减小,薄膜的剩余极化强度和相对介电常数也有所减小。

    2006年08期 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 244K]
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  • 单层圆片带引线元件的片式化实现

    章士瀛;罗世勇;王艳;

    介绍了在单层陶瓷圆片的基础上实现单层陶瓷圆片带引线元件的片式化。即将陶瓷芯片夹于上下连体扁平引线中间并焊接,模塑环氧树脂封装,再分割切开引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了用单层圆片制成的片式结构元件。已开发出CCH单层塑封型片式高压瓷介电容器、CCF单层塑封型片式交流瓷介电容器、ZVD单层塑封型片式氧化锌压敏电阻器产品,其结构坚固牢靠、防潮性能好、散热性能好、可靠性高,适应用于SMT生产。

    2006年08期 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 246K]
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  • 光催化型TiO_2溶胶的制备和分析

    高基伟;杨辉;申乾宏;

    以sol-gel工艺,采用钛酸丁酯-水-无水乙醇-盐酸体系材料,以过量水强迫前驱体充分水解,制备出具有光催化性能的氧化钛晶体溶胶。通过XRD、TEM和UV/vis测试得知,溶胶中含有原位自生长的、边长约150nm的正方形锐钛矿晶体,所以溶胶在常温下干燥后所得粉体,无需高温热处理即为锐钛矿晶型;溶胶中晶体的禁带宽度为3.58eV,具有较强的光催化性,所以溶胶(而非常见的粉体或者薄膜)在紫外光照下可使罗丹明B褪色。

    2006年08期 39-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 173K]
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  • 低功耗微型CO_2传感器的研制

    何月华;全宝富;王彪;张春萍;邱法斌;

    制作了一种新型微型结构CO2传感器,该传感器采用Al2O3陶瓷片作为衬底,sol-gel法制备的固体电解质NASICON(sodiumsuperionicconductor)材料为离子导电层,复合碳酸盐Li2CO3-BaCO3(摩尔比为1:1.5)为敏感电极。该传感器在CO2浓度为(500~5000)×10–6体积分数范围内表现出良好的敏感特性,灵敏度达到67.3mV/decade(毫伏/10×10–6体积分数),并且功耗由原来的1.08W降到0.72W。微型元件的响应恢复时间分别为20s和58s。

    2006年08期 41-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 121K]
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  • 铝电解电容器用难燃性工作电解液

    廖振华;徐永进;蒋晓华;赵方辉;陈建军;

    为了解决易燃烧有机酸系电解液带来的铝电解电容器燃烧问题,采用了无机酸体系代替有机酸,以及在有机酸体系中添加不同种类阻燃剂等方法,使工作电解液成功具备难燃性。结果表明,聚磷腈材料可通过改变不同的取代基,来获得良好的离子导电性、水溶性等特殊性能,是一种非常有潜力的工作电解液用阻燃剂材料。

    2006年08期 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 133K]
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  • 激光微细熔覆快速原型制造厚膜电感元件

    李慧玲;曾晓雁;

    采用激光微细熔覆快速制造技术直接将电感元件集成在电路板上,使之由插装或表面贴装元件直接转化成平面膜式电感,大大减少了焊点,缩短互连,减少了占用面积,从而提高了可靠性和电性能。另外,不需要掩模的制作和高温烧结,简化了工艺,降低了成本,提高了效率。

    2006年08期 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 338K]
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  • 电子浆料用有机载体的挥发性能

    罗世永;庞远燕;郝燕萍;陈强;

    用恒温失重方法研究了70~190℃范围内,电子浆料常用松油醇乙基纤维素体系有机载体和主要溶剂的挥发特性,得到了其在一定温度下保温20min的挥发量数据和适合制作电子浆料的有机载体配方。提出了调节有机载体在不同温度下挥发量的方法,可为电子浆料烧成温度制度提供参考。在有机载体中加入超分散剂,制备绝缘介质浆料,其黏度、细度、表面张力和流变特性测试表明该有机载体配制的浆料具有假塑性流体的流变特征,印刷适性良好。

    2006年08期 49-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 172K]
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  • 新型BST薄膜可调带阻滤波器

    张晓玲;李军显;孟庆端;普杰信;

    提出了一种基于共面传输线结构的新型带阻滤波器,利用该结构在沉积有钛酸锶钡(BST—0.5)薄膜的氧化镁基片上设计并制作了一个可调带阻滤波器。测试结果表明,在30V的外加偏压下,带阻滤波器的传输特性曲线向高频方向整体移动了190MHz,其形状基本保持不变。

    2006年08期 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 694K]
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  • 集成电路过压保护用ZnO压敏电阻的研制

    朱传琴;杨志坚;孙兆海;范坤泰;

    为获得集成电路过电压保护用低压压敏电阻,以中压ZnO压敏电阻的配方为基础,通过研究与实验,确定了采用添加晶粒助长剂TiO2和籽晶、晶界稳定剂硼银玻璃和Ta2O5,低温烧结等途径,研制出了低压ZnO压敏电阻。测试结果表明,该ZnO压敏电阻的压敏电压为15~25V,漏电流小(<2μA),非线性特性好(α>29)。

    2006年08期 55-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 245K]
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  • 玻璃釉包覆片式NTC热敏电阻器的研制

    罗小碧;刘玉红;

    为了得到更稳定、可靠的片式NTC热敏电阻器,在芯片表面涂覆一层玻璃釉是有效的途径之一。为此调整了玻璃釉包覆片式NTC热敏电阻器所进行的工艺,进行了玻璃浆及银浆的选取和匹配工作。所研制的片式NTC热敏电阻器,克服了传统片式NTC热敏电阻的精度不高、稳定性不好、可靠性差等主要缺点,F级阻值合格率提高了45%,阻值的年漂移小于0.1%,端电极强度提高了约4.9N,耐焊上锡率提高了约5%。

    2006年08期 58-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 154K]
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  • 通讯设备用低阻高耐压过流保护器材料研究

    苏卫彦;陈亿裕;

    过流保护器要求芯片尺寸为φ5mm×2.2mm,电阻值为15?,耐电压AC330V。采用液相施主掺杂和添加钙等方法优化配方制成PTCR材料。经复阻抗谱、SEM及XRD等测试分析表明,材料的微观结构得到了明显改善,PTC性能得以提高。当x(Mn(NO3)2)为0.47%时,材料的居里点为70℃、室温电阻率为14?·cm、温度系数为11.5%℃–1、耐压强度大于165V/mm。

    2006年08期 61-63+69页 [查看摘要][在线阅读][下载 400K]
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  • LTCC基板上电阻的设计与制造

    王啸;马涛;李峰;

    LTCC基板上制造电阻的方式有三种:顶层共烧、顶层后烧和埋层电阻,在实际工作中对于每个产品应根据需要选择电阻的加工方法。虽然都是在LTCC材料上印制浆料形成膜电阻,但所获得阻值、精度、稳定性等特性却不尽相同。通过对制造几种不同厚膜电阻的多种方法的研究,提供了一套在LTCC上电阻设计和制造的新思路。

    2006年08期 64-66+69页 [查看摘要][在线阅读][下载 297K]
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  • 用阶跃恢复二极管设计16次倍频器

    郭俊栋;张海拓;周以国;

    利用阶跃恢复二极管的非线性特性设计并制作了一个16次倍频器,采用100MHz温补晶振提供输入信号,输出频率1.6GHz,输出功率10dBm,频谱纯度良好,该倍频器已经成功应用于某测试系统中。

    2006年08期 67-69页 [查看摘要][在线阅读][下载 145K]
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  • BGA焊球形状参数测试及分析

    高德云;夏志东;雷永平;史耀武;

    使用Matlab com组件与Visual c#联合编程技术设计了BGA封装用焊接锡球的形状参数测试与分析软件。对焊接小球进行实测。结果表明,该软件使用方便,测试结果可靠,不仅可批量测定锡球的粒度,还可以批量测定锡球球形度,并进行粒度分布的统计分析和结果存储与显示。

    2006年08期 70-73页 [查看摘要][在线阅读][下载 216K]
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