刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 回顾2005年 做大做强我国电子元件行业

    温学礼;古群;

    介绍了2005年中国电子元件行业的销售收入、利润总额,分析了第十九届中国电子元件百强企业的业绩、民营经济的崛起,以及外贸出口快速增长的趋势。结果表明:电子元件产业经历了连续几年的高速增长期后,2005年开始进入平稳增长期。

    2006年07期 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 143K]
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  • 电子焊料的工艺性能及影响因素

    陈方;杜长华;杜云飞;甘贵生;王卫生;

    通过分析焊料在钎焊过程中的行为,提出了电子焊料的工艺性能主要包括熔化/固化温度、抗氧化性、润湿性和漫流性。给出了各工艺性能的定义。分析表明:相关的影响因素主要包括合金的组成、纯度和化学均匀性;母材的成分、性质和表面的洁净度;液态焊料的表面张力;钎焊温度、气氛、助焊剂的活性;液态焊料表面膜的组成、结构和性能等。

    2006年07期 6-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 157K]
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  • 超级电容器容量特性的试验研究

    李忠学;陈杰;

    通过两阶段充电时间序列设计与试验研究,分析充电电流分别与碳基超级电容器的实际电容量、有效储能量和充电效率之间的定量拟合关系。在室温条件下,实际电容量与充电电流的定量关系比较符合指数函数描述,拟合曲线的相关系数均大于0.99;标称电容量为0.5MF的碳基超级电容器在充电电流小于220A的条件下保持着较高的储能水平,但当充电电流超过220A,该超级电容器的总有效储能量急剧衰减,这表明超级电容器的最佳储能水平受充电参数优化范围的制约。

    2006年07期 9-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 102K]
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  • 无铅1RH—121高频瓷料的研究

    陈亚东;丁卫;覃春华;冉均国;

    在BaO-Nd2O3-TiO2系统中,以SrTiO3、Bi2O3、MnCO3等作为添加剂,按0.8Ba6–3xNd8+2xTi18O54+0.2SrTiO3+(0.7~1.5)(MnCO3+Bi2O3……)的比例配料,按常规工艺进行磨料、喷雾干燥和成型,在1240~1290℃空气中烧成,保温2h得到无铅IRH-121高频瓷料。研究表明,SrTiO3等添加剂的加入量对瓷料介电性能具有明显的影响。批量生产的瓷料性能:εr为115~130,tanδ为(2.0~3.5)×10–4,αC,–25℃时为–(210~240)×10–6,+85℃时为–(220~240)×10–6。

    2006年07期 12-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 218K]
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  • 电解电容器用超低电阻率工作电解液

    廖振华;徐永进;陈建军;赵方辉;蒋晓华;

    用水作主溶剂,通过磷酸系和螯合物等多种添加剂的共同作用,成功开发出可用于超低阻抗电解电容器的超低电阻率工作电解液,该电解液的电阻率为7~10?·cm。将此电解液用于6.3V,1000μF电解电容器中,制得的电解电容器具有超低阻抗(≤8m?),低漏电流,105℃贮存1000h无异常,且105℃寿命在2000h以上,可取代进口电解液用于工业生产。

    2006年07期 15-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 361K]
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  • 金属化聚丙烯电容器耐电流能力探讨

    彭德全;

    为了提高金属化聚丙烯电容器耐电流能力,可以选择低方阻铝蒸发材料,设计时考虑降低电容器电感,增大芯子端面接触面积,在生产过程中控制高频损耗,这样可使电容器耐电流能力强,内部温升小,适应整机S校正(Scorrecting)电路要求。

    2006年07期 17-18+20页 [查看摘要][在线阅读][下载 411K]
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  • 高Q中介微波介质陶瓷的研制

    葛迪云;沈小观;陶锋烨;张火荣;

    用传统固相反应法制备了CaTiO3-Ca(Zn1/3Nb2/3)O3-CaSmAlO4微波介质陶瓷材料。探讨了各组分比例变化对陶瓷烧结及微波介电性能的影响。通过XRD、SEM等分析测试手段对材料的晶相组成、显微结构进行了研究。所研究的该系列陶瓷材料大部分都具有良好的微波介电性能:εr为45~50,Q·f0>38000GHz,τf<10×10–6℃–1。

    2006年07期 19-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 374K]
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  • (Na,K,Li)(Nb,Sb)O_3无铅压电陶瓷的性能

    郑立梅;王矜奉;臧国忠;亓鹏;杜鹃;

    采用传统的固相反应法和普通烧结工艺,制备了A位和B位复合的(Na0.5+xK0.44Li0.06–x)Nb0.95Sb0.05O3(x=0,0.006,0.012)系无铅压电陶瓷样品,并对样品的压电、机电性能进行了研究。结果表明:该陶瓷系列具有很高的压电应变常数(x=0.006时d33=243pC/N)、低的介质损耗(tanδ<2×10–2)、较高的机电耦合系数(x=0.012时,k33=0.632)、高的铁电顺电相变温度(tC约400℃)。这些性能显示了它是一种替代铅基PZT的具有很好应用前景的无铅压电陶瓷。

    2006年07期 21-22+25页 [查看摘要][在线阅读][下载 440K]
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  • Ba~(2+)取代对PSN-PZT瓷结构和压电性能的影响

    吕文中;韦蓓;范桂芬;许毓春;

    研究了Ba2+A位取代对铌锑锆钛酸铅陶瓷结构及压电性能的影响,XRD分析结果表明:所有样品具有钙钛矿结构,同时Ba2+取代Pb2+使得晶胞体积增大,c/a轴比减小。当Ba2+取代量增大时,样品中三方相和四方相共存。随着Ba2+取代量的增大,陶瓷样品的密度降低,εr(2863)和d33(507pC·N–1)显著提高,居里点向室温移动。

    2006年07期 23-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 341K]
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  • CNT对BST陶瓷微波介电性能的影响

    梁炳亮;郑兴华;江祖暄;周小红;

    采用XRD及SEM研究(Ca0.61Nd0.26)TiO3对微波介质陶瓷Ba4Sm9.33Ti18O54的结构和微波介电性能的影响。获得了一些性能较好的微波介质陶瓷(1–x)Ba4Sm9.33Ti18O54-x(Ca0.61Nd0.26)TiO3,其微波介电性能如下:εr=75,Q·f为8985GHz,τf为–8.2×10–6℃–1(x?=0);εr为75,Q·f为9552GHz,τf为–14.4×10–6℃–1(x?=0.2)。

    2006年07期 26-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 542K]
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  • 综合信息

    2006年07期 29+42+55+65+68+71+74+78页 [查看摘要][在线阅读][下载 3317K]
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  • LiZnVO_4添加量对Zn_2SnO_4系湿敏材料性能的改善

    胡素梅;傅刚;陈海波;孟凡明;

    采用共沉淀法制备了Zn2SnO4-LiZnVO4系纳米粉体,考察了液相掺杂LiZnVO4对材料微结构、湿敏性能的影响,分析了材料的复阻抗特性和频率特性。结果表明,适当的LiZnVO4添加量可明显改善Zn2SnO4-LiZnVO4系纳米材料的微结构和感湿特性。采用共沉淀法制备纳米粉体并使LiZnVO4液相掺杂为10%(摩尔分数),可使Zn2SnO4材料具有低湿电阻小、灵敏度适中的湿敏特性,频率特性表明该材料具有较好的频率响应。

    2006年07期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 357K]
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  • 生产工艺对NTC热敏电阻粉料可重复性的影响

    罗小碧;李金琢;

    NTC粉料的可重复性,取决于粉料加工结果的可重现性和稳定性。故从控制粉料球磨粒度和球磨均匀性的角度,对粉料加工过程中的关键工序进行改良和精确控制,实施主料–掺杂–主料的配料次序,采用圆球状锆质磨介,并根据材料体系区分不同的预烧温度,采用(或者接近)临界球磨速度磨料等一系列改良措施,从而获得(1.0±0.2)μm的可控粒度范围粉料,达到粉料具有良好可重复性的目的。

    2006年07期 33-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 375K]
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  • RF溅射ZnO薄膜工艺与结构研究

    陈祝;张树人;杨成韬;陈富贵;董加和;王升;

    通过RF磁控溅射在Si(100)基片上制备了ZnO薄膜,并研究了磁控溅射中各生长参数,如衬底温度、氧分压及后处理工艺等因素对ZnO薄膜微结构、表面形貌与结晶取向的影响。结果表明:溅射温度和氧分压对薄膜的微结构与择优取向有很大的影响,并对不同的溅射工艺进行了分析比较,从而确定了最佳溅射及后处理条件:RF溅射温度小于300℃,功率为50W,ψ(Ar:O2)为20:5,退火温度550~600℃,并获得了c轴择优取向的ZnO薄膜。

    2006年07期 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 531K]
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  • 高导电片状银包铜粉的制备技术研究

    伍继君;朱晓云;郭忠诚;黄峰;李国明;

    采用[Ag(NH3)]+溶液对片状铜粉进行包覆,研究了铜粉粒径、[Ag(NH3)]+溶液浓度、包覆温度、分散剂含量等因素对银包铜粉银含量和电阻率等的影响。结果表明:通过控制包覆温度(60℃)、银氨络离子浓度(0.8mol·L–1)以及分散剂含量(1.0g·L–1),得到了电阻率为0.8×10–3?·cm的银包铜粉。XRD分析表明,该银包铜粉只有Ag和Cu相,不含中间产物。银包铜粉松装密度为0.50g·cm–3左右,比表面积为3.1~3.3m2·g–1。

    2006年07期 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 479K]
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  • MIS结构电容器的湿敏特性研究

    杨发权;

    在室温情况下,研究了MIS结构电容器的湿敏特性。用交流串联电路,测量其电流与相对湿度和频率的依赖关系,实验结果表明:此结构有良好的感湿灵敏度和短的响应时间。其中相对湿度从12%变化到98%时,在较宽频率范围(102~105Hz)内,元件的电流有较大的变化。还对器件的物理模型进行了分析。

    2006年07期 43-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 390K]
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  • 差动变压器零残电压产生的原因及其补偿方法

    潘雪涛;李堑;

    介绍了差动变压器式传感器的结构和输出特性,详细分析了其零残电压产生的原因,以及对测量系统非线性和灵敏度的影响。介绍了一种补偿电路,同时进行了实验。结果表明,经过补偿,零残电压从65.6mV减小为15.6mV,系统灵敏度由1360.39×10–3V/mm提高到1386.69×10–3V/mm,非线性误差由2.04%减小为0.49%。表明给出的补偿电路简单有效,起到了很好的补偿作用。

    2006年07期 45-47+51页 [查看摘要][在线阅读][下载 511K]
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  • 同质缓冲层对ZnO薄膜光学性质的影响

    朱慧群;丁瑞钦;蔡继业;胡怡;

    利用射频磁控溅射技术,在单晶硅衬底上生长出高质量(0002)晶面取向的ZnO外延薄膜。通过XRD、AFM、吸收光谱、光致荧光发光谱的实验研究,发现加入适当厚度的、低温生长的ZnO同质缓冲层,可有效降低晶格失配和因热膨胀系数不同引起的晶格畸变。在衬底温度200℃、沉积时间5min的ZnO缓冲层上,以450℃衬底温度溅射ZnO薄膜主层,得到的ZnO样品的晶体结构、表面形貌和光学性质均有较明显的改善。

    2006年07期 48-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 374K]
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  • 非晶硒合金膜的制备方法研究

    孔玮曼;张斌;温婷婷;

    基于传统工艺,新研制开发了一套非晶硒合金膜制备的设备和工艺流程。实验采用高真空电阻加热蒸镀方法,已制备出面积为180mm×180mm的非晶硒合金膜并进行了基本特性检测。测试结果表明:所制备的膜非晶化程度高,厚度最大为90μm,厚度分布比较均匀,相对误差在10%以内。所制备的膜满足光电转换膜的基本特性要求。

    2006年07期 52-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 260K]
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  • 电子浆料用超微细玻璃粉的等离子体改性

    罗世永;杨丽珍;葛袁静;陈强;

    以六甲基二硅氧烷为单体,利用高频等离子体在超微细低熔磷酸盐玻璃粉体表面聚合硅氧聚合物包覆薄膜。用水和粉体压片之间的接触角变化表征了等离子体工艺参数对粉体表面能的影响。结果表明改性后粉体配制电子浆料的细度、黏度、流变特性提高显著。改性后可以改变或控制超微细粉体的表面能大小,从而可调节电子浆料的流变性和印刷适性。

    2006年07期 56-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 320K]
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  • SnO_(2-x)透明导电薄膜的制备及其导电性能研究

    闫军锋;邓周虎;张志勇;张富春;王雪文;

    以金属有机化合物(MO)四甲基锡[Sn(CH3)4]为源物质,采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD),在玻璃片上制备了SnO2–x薄膜。并用XRD、AFM等对样品进行分析。结果表明,氧气与四甲基锡(氮气携带)流量比为10:6,衬底温度为150℃,淀积时间为2h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为36.5?/□,紫外–可见光透射率在90%以上。

    2006年07期 59-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 305K]
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  • 无铅钝化玻璃材料的研制与应用

    高伟;张国春;罗玉林;韩文;杨宗炼;

    研究了无铅钝化玻璃材料的配方设计以及工艺过程。对钝化玻璃材料中选用Bi2O3等物质替代PbO等有害成分进行了分析、试验。从配方以及工艺的角度阐述了钝化玻璃无铅化的可行性。并在生产线上对研制的无铅钝化材料的性能进行了对比试验,研制的无铅钝化玻璃材料的性能完全可以满足现有二极管钝化玻璃工艺的要求。

    2006年07期 63-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 150K]
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  • ZnS纳米粒子的制备与表征

    刘运;苗鸿雁;

    采用水热法以乙酸锌和硫化钠为原料,尿素为矿化剂制备ZnS纳米粒子。讨论了反应温度,反应时间,矿化剂浓度对ZnS纳米粒子尺寸和形貌的影响。通过XRD、TEM、UV-vis吸收光谱表征了ZnS纳米粒子的形貌、尺寸和结构。结果表明,采用尿素作为矿化剂,在较宽温度范围(120~200℃)内均能制备出分散良好、平均粒径为12nm的球形ZnS纳米粒子。

    2006年07期 66-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 551K]
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  • MEMS微拾振器制备工艺研究

    方华斌;刘景全;董璐;陈迪;蔡炳初;

    采用微机电系统(MEMS)技术制作了悬臂梁式压电微拾振器,该技术主要包括:sol-gel法制备PZT压电膜、干法刻蚀、湿法化学刻蚀、UV-LIGA等工艺。研制的拾振器悬臂梁结构尺寸为:长2000μm,宽600μm,硅膜厚度12μm,PZT压电膜厚1.5μm,Ni质量块长600μm、高500μm。测试表明其固有频率为610Hz,适合低频振动源环境的应用。在1gn加速度谐振激励下,电压输出达562mV。

    2006年07期 69-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 164K]
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  • 层叠式LTCC低通滤波器设计

    苏宏;杨邦朝;杜晓松;丁晓鸿;

    给出带有衰减极点的层叠式LTCC低通滤波器的结构模型。滤波器外形尺寸为2.0mm×1.2mm×0.9mm,采用εr=7.8、tanδ=0.0047微波陶瓷介质材料,设计出的截止频率?c=300MHz的低通滤波器,通带最大插入损耗为0.8dB,通过引入一个衰减极点,提高阻带的衰减性能,同时获得陡峭的过渡带。

    2006年07期 72-74页 [查看摘要][在线阅读][下载 249K]
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  • 万法级MnO_2/C超级电容器的组装及性能研究

    陈野;张春霞;舒畅;张密林;李凯峰;

    采用固相法制备了MnO2,并对其结构进行表征。以所制备的MnO2作为电极活性物质,组装成超级电容器,对其电化学性质进行研究,结果表明,所组装超级电容器的等效串联电阻为1.875m?,功率密度为192W/kg,能量密度为2.306W·h/kg,电容器的充电电容为11671.4F,放电电容为11534.3F,充放电效率为98.8%,经多次循环后电容器性能良好。

    2006年07期 75-77页 [查看摘要][在线阅读][下载 437K]
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