刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 中高压铝电解电容器阳极箔研究进展

    王银华;杜国栋;许金强;杨军;王建中;

    从铝箔杂质和腐蚀液添加剂两个方面概述了国内外在提高中高压铝电解电容器比电容方面的研究进展,其中包括镁、铁、硅、铅等杂质及缓蚀剂和表面活性剂的研究。并介绍了铝电解电容器的几种腐蚀机理,如氯离子的作用机理、腐蚀过程中电流与电位的关系、空位模型。最后预测了铝电解电容器新工艺的可能开发方向。

    2006年06期 1-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 379K]
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  • 综合信息

    2006年06期 5+35+39+42+54+70页 [查看摘要][在线阅读][下载 1199K]
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  • 高性能功率铁氧体材料的配方与烧结工艺

    黄刚;

    根据高频开关电源变压器对高性能功率铁氧体材料的要求,分析研究了主配方、微量添加物和烧结工艺对铁氧体材料的高起始磁导率(μi)、饱和磁通密度(Bs)、低功率损耗(Pc)等特性的影响,得出:通过采取优选主结构原材料配比、掺入适量的CaO、SiO2、TiO2、Co2O3等添加物,并与烧结工艺相匹配等措施,即可制得PC44、PC50等高性能功率铁氧体材料。

    2006年06期 6-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 415K]
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  • BGA组装技术与工艺

    胡强;

    从BGA的封装形式、PCB的设计、焊膏印刷、贴片、回流焊接工艺等方面分析了BGA组装过程中应注意的问题及其预防措施。以常用的PBGA和CBGA为例,分析了两种不同封装形式BGA的结构特点和组装过程中应注意的问题,以焊膏Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2和Sn96.5Ag3.0Cu0.5为例,分析了传统的SnPb组装工艺和无铅组装工艺的特点,以提高BGA组装的质量。

    2006年06期 10-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 56K]
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  • Zn掺杂对BST薄膜介电调谐性能的影响

    陈章红;印志强;赵兴中;

    用sol-gel法在Pt/SiO2/Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡(BST)薄膜。用XRD对BST薄膜进行了物相分析,研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响。结果表明:室温下,随着Zn加入量的增加,BST薄膜的介电常数减小,介质损耗降低,介电调谐量增加。x(Zn)为0.025的BST薄膜具有最大的优越因子(FOM),其值为29.28。

    2006年06期 13-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 322K]
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  • 微波烧结钛酸锶钡陶瓷材料的介电性能

    杨忠波;常爱民;赵青;

    采用碳酸盐固相合成法制备Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)粉体,应用微波烧结技术将粉体烧结成陶瓷。对样品的介电性能进行了测试,研究分析了材料的介电性能,并与传统制备工艺获得的样品进行了性能对比。结果表明:微波烧结成瓷温度和时间较传统制备工艺大大降低,分别为1 300℃和30 min,可以获得晶粒尺寸5μm以下的BST陶瓷;材料的εr变化不大,但tanδ大幅降低。

    2006年06期 16-17+20页 [查看摘要][在线阅读][下载 375K]
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  • 微波活化制备双电层电容器用活性炭的研究

    庄凯;梁逵;李兵红;胡军;

    以炭化椰壳为原料,微波活化制备出高比电容量双电层电容器用活性炭。考察了微波辐射时间、起电弧时间,以及KOH与炭化椰壳配比对活性炭比电容量的影响。结果表明,在微波辐射时间为7min,起电弧时间为5min,KOH与炭化料质量比约为3∶1时,比电容量达266.71F/g。以该活性炭作电极的双电层电容器具有良好的充放电性能和循环稳定性能。

    2006年06期 18-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 250K]
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  • 热处理对纳米α-MnO_2电容特性的影响

    李兵红;梁逵;丁士华;

    采用化学沉淀法制备出超级电容器用纳米MnO2电极材料,研究了热处理工艺对MnO2电容性能的影响。结果表明,产物主相为α-MnO2,粒度分布较均匀,在50~100 nm;热处理温度和时间对MnO2的电容性能有着重要影响。将在300℃热处理3 h的MnO2与活性炭电极组成非对称超级电容器,循环充放电500次,容量仅衰减2.24%;在电流密度为500 mA/g时,比电容量达302.52 F/g。

    2006年06期 21-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 337K]
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  • 气流式惯性组合陀螺的结构及信号处理技术

    张伟;朴林华;张福学;

    研究了气流式惯性组合陀螺的结构原理与信号处理技术。采用热敏电阻作为热源和敏感元件,在密闭腔中使气体产生自然对流,用硬件电路和数字化软件补偿技术,将载体姿态信号提取并进行处理。研制出测量范围为±30°/s、非线性度小于1%FS、分辨率小于0.01°/s的气流式惯性组合陀螺。

    2006年06期 24-26+29页 [查看摘要][在线阅读][下载 404K]
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  • Ce对Sn-Ag-Cu系焊料合金的组织与性能影响

    赵小艳;赵麦群;王娅辉;顾琳;葛利玲;

    通过添加稀土Ce研究了Sn-3.0Ag-2.8Cu系焊料合金的显微组织和性能。用光学显微镜、SEM、EDX对其显微组织进行分析,并且对其导电性,润湿性,硬度等重要性能进行测试。结果表明,添加稀土w(Ce)为1%焊料合金的导电性明显提高;而润湿角明显减小,润湿性增强;同时焊料合金的硬度也有所增加。

    2006年06期 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 280K]
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  • 复合钒钼酸干凝胶薄膜湿敏元件的感湿机理

    李莉;童茂松;翁爱华;

    采用sol-gel法,制备了复合钒钼酸H2V8.5Mo3.5O32.nH2O干凝胶薄膜湿敏元件。测试频率为1 kHz时,元件全湿范围内线性响应好,灵敏度高,最大湿滞约为RH 2.74%,响应、恢复时间分别为8 s和20 s,283~303 K温度范围内的感湿温度系数为RH 0.4%/℃;H2V8.5Mo3.5O32.nH2O干凝胶薄膜湿敏元件的导电机理为电子和离子导电共存,低湿时以电子导电为主,湿度增加,离子导电增强。

    2006年06期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 243K]
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  • 微波水解法制备In_2O_3纳米颗粒及气敏性能研究

    徐甲强;王焕新;王晓华;韩建军;沈嘉年;

    以InCl3.4H2O为原料,用微波水解法制备In2O3纳米颗粒,并用TEM、XRD对合成材料的形貌和结构进行了表征。结果表明,所制的产品为球形In2O3,平均粒径为20 nm;用静态配气法测试了材料的气敏特性,与恒温水解制备的氧化铟材料的气敏特性基本一致。5.0 V加热电压下,对50×10–6酒精蒸气有较好的气敏性能,灵敏度为9.51,响应/恢复时间为6 s/6 s。

    2006年06期 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 259K]
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  • 用于陶瓷快速制造的聚乙烯醇凝胶热分解研究

    于成龙;王秀峰;江红涛;单联娟;

    用DSC、IR及XRD研究了用于陶瓷快速制造的聚乙烯醇凝胶热分解过程。利用SEM观察了两种温度制度下金红石瓷的显微结构。结果表明:由于生成双二醇结构,胶凝后的聚乙烯醇红外光谱短波附近的衍射已经基本为Na2B4O7.10H2O的谱线所替代。胶凝后的聚乙烯醇DSC曲线表明,其分解温度提高约42℃,主要由于双二醇结构降低了主链旋转运动的自由度。SEM分析表明,在凝胶分解峰值前降低升温速率以及在峰值处延长保温时间有利于降低陶瓷气孔率。

    2006年06期 36-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 442K]
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  • 液相还原法制取纳米银粉的研究

    袁林生;沈晓冬;崔升;范凌云;

    以硝酸银为原料,水为反应介质,聚乙烯吡咯烷酮为保护剂,甲酸铵作为还原剂,利用普通液相还原法常温一步直接制备得到平均粒径在10nm左右的纳米级银粉。采用XRD、EDS、TEM等测试手段,对所制得的纳米银粉进行了表征。并简要讨论了纳米银粉制备过程中的各类影响因素。

    2006年06期 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 327K]
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  • 电泳法制备ZnO/SiO_2复合薄膜

    李忠;石礼伟;薛成山;李玉国;

    用电泳法在硅衬底上沉积了ZnO/SiO2复合薄膜,然后在650℃和950℃退火热处理30 min。测试结果表明,样品经650℃退火后,复合薄膜ZnO和SiO2微晶颗粒集结成块状,结晶程度较高,颗粒尺寸较大,不连续的散落在硅衬底上。经950℃退火后,其中ZnO和SiO2发生反应生成少量的ZnSiO4微晶颗粒,使复合薄膜在室温下的绿色发光强度有所增加。

    2006年06期 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 138K]
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  • 企业之窗

    2006年06期 45+57页 [查看摘要][在线阅读][下载 122K]
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  • 热处理N990炭黑及其PTC复合材料的电性能

    王炳喜;林航;林孟平;

    将N990炭黑进行高温热处理,把热处理后的炭黑与高密度聚乙烯熔融混合制成复合材料。采用BET、XRD和XPS方法研究热处理炭黑的结构,电阻–压力曲线评价其导电能力,电阻率–温度曲线研究其复合材料的PTC特性。结果表明,与未处理炭黑相比,高温热处理N990炭黑的晶相结构和颗粒尺寸没有明显变化,但热处理使炭黑的比表面积显著增大,表面氧元素明显减少,导电能力增加1倍以上。热处理炭黑复合材料能达到9个数量级以上的高PTC强度,同时室温电阻率下降了40%~90%。

    2006年06期 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 321K]
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  • 烧结气氛对烧结NdFeB磁体显微结构的影响

    郭尔奇;杨刚;杨屹;冯可芹;

    对NdFeB合金的Ar保护烧结和真空烧结进行了对比研究。SEM显微观察发现,与Ar保护烧结的磁体相比,真空烧结磁体中的点状和块状富Nd相相对较小,且存在着明显的线状缺陷。蒸气压理论计算表明,真空烧结时烧结保温过程中Nd和添加元素Dy的饱和蒸气压均大大高于外压,因此Nd和Dy均存在着明显的挥发和烧损,这是造成真空烧结磁体中富Nd相较小以及存在着明显的线状晶界缺陷的主要原因。

    2006年06期 49-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 232K]
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  • MgO掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷性能的影响

    范跃农;李蔓华;曹良足;胡鸿豪;

    采用常规陶瓷加工成型及烧结工艺,研究了在Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷中掺杂1.0%,20.0%,40.0%,60.0%(质量分数)的MgO后介电性能的变化规律。又通过对微波介质性能的测量,绘制出Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷随温度变化的相变图及其介电常数和可调谐率随MgO掺杂量变化的曲线。

    2006年06期 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 370K]
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  • 苯基单分子器件I-V特性的研究(英文)

    李娜;蔡敏;

    采用紧束缚近似的方法,研究了由单苯基分子构成的三端器件的I-V特性。所得结果近似表现出了MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)器件的电学规律;同时模拟并讨论了该器件的I-V特性随温度变化的规律,发现:电流幅值随门电压的增大而增加,温度对电流幅值有重要影响。所得结论为分子器件和纳米器件的开发,提供了理论基础。

    2006年06期 55-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 141K]
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  • BaSnO_3陶瓷的制备及其电性能研究

    王正宇;周方桥;陈志雄;

    以BaCO3、SnO2为原料,微量SiO2、Bi2O3、Sb2O3作烧结助剂,Ta2O5作施主,采用传统的固相反应法,制备出相对密度达97%~99%,平均粒径约为8μm的BaSnO3半导体陶瓷。采用Na2CO3或Li2CO3与Mn(NO3)2的组合作受主掺杂可有效增强BaSnO3陶瓷的晶界效应。当x(Mn(NO3)2)为1%时,BaSnO3陶瓷电阻率达3.3×106Ω.cm,晶粒电阻率为4.3Ω.cm,视在介电常数为1.9×104(1 kHz),经电导激活能测试,估算出晶界势垒约为0.5 eV。

    2006年06期 58-60+63页 [查看摘要][在线阅读][下载 503K]
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  • 低电阻率高居里点PTCR材料的研究

    胡毅;陈亿裕;苏卫彦;

    为了获得适合低压特种变压器、手机等用过流过热保护作用的高居里点、低电阻率的PTCR材料,在采用传统的电子陶瓷制造工艺的基础上,通过液相施主掺杂及对改性剂配方优化的方法进行了研究。当液相掺杂Sb3+的添加量为0.1%时(摩尔分数),获得了居里点tC为150℃、ρv为4.7?.cm、升阻比lg(ρmax/ρmin)为3.3的PTC材料。通过电性能测试、SEM显微结构分析和复阻抗测试,探讨了作用机理。

    2006年06期 61-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 315K]
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  • 热–机械应力和湿气引起QFN器件层间开裂分析

    罗海萍;杨道国;李宇君;

    采用通用有限元软件分析和计算器件在潮湿环境下的潮湿扩散,并计算由于吸潮使器件在无铅回流的高温下产生蒸汽压力,并对层间开裂现象进行分析。结果表明,气压是层间开裂的主要原因,在气压和热机械应力的作用下,层合面上的微孔洞扩张并结合起来,导致器件最后失效。

    2006年06期 64-66+70页 [查看摘要][在线阅读][下载 396K]
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  • 微型喷嘴雾化直写技术制备厚膜导体研究

    李敬;李金洪;李祥友;曾晓雁;

    采用微细雾化喷射沉积直写的方法在陶瓷基板上制备银厚膜导体。主要研究了施加气压、喷嘴到基板距离、直写速度以及雾化气压对导体线宽的影响规律,分析了微型喷嘴雾化直写厚膜导体机理,并优化了工艺参数,得到了最佳工艺参数范围:施加驱动气压控制在0.05~0.10 MPa,喷嘴到基板距离0.4~1.2 mm,直写速度在15 mm/s以下,雾化气压0.14~0.24 MPa,所得线宽350~750μm,单层膜厚1.5~10μm。

    2006年06期 67-70页 [查看摘要][在线阅读][下载 334K]
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