刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • MLCC的发展趋势及在军用电子设备中的应用

    邓湘云;李建保;王晓慧;李龙土;

    对多层陶瓷电容器在大容量、小型化、集成化和电极贱金属化等方面的最新技术动态、发展趋势进行了综述;推导出了功率随电容和电压变化的计算公式;分析了国内外多层陶瓷电容器的市场现状及其在高技术军用电子设备中的应用。

    2006年05期 1-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 515K]
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  • 综合信息

    2006年05期 6+30+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 750K]
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  • Sn-Ag-Cu焊料中金属间化合物对焊接性能的影响

    李宇君;杨道国;秦连城;罗海萍;

    讨论了Sn-Ag-Cu焊料与Cu焊盘间在回流焊过程中形成的金属间化合物(IMC)的种类、形态,Ag含量和Cu含量对IMC的影响,IMC在老化过程中的生长演变及其对焊接性能的影响。结果表明:Sn-Ag-Cu焊料与Cu焊盘之间的金属间化合物主要是Cu6Sn5和长针状的Ag3Sn,Ag和Cu的添加对组织有明显细化作用,但过量添加会影响IMC的性能。IMC的演变主要是与老化温度、老化时间有关,较厚的IMC不利于焊接性能的提高。

    2006年05期 7-8+12页 [查看摘要][在线阅读][下载 460K]
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  • 脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展

    何建廷;庄惠照;薛成山;田德恒;吴玉新;赵婧;刘亦安;薛守斌;胡丽君;

    基于氧化锌薄膜紫外光发光的实现,ZnO薄膜成为新的研究热点。综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积(PLD)技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响,ZnO薄膜的厚度在超过400 nm时,呈现出了近似块状的性质。采用PLD技术,可以在适当的条件下制备具有特定功能的氧化锌薄膜。

    2006年05期 9-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 308K]
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  • 氟取代聚苯基噻吩系列衍生物的合成及应用

    王国忠;苏育志;郭庆时;章永化;

    介绍了用于超级电容器电极材料的氟取代聚苯基噻吩系列聚合物,包括聚3-(4-氟苯基)噻吩(P-4-FPT)、聚3-(3-氟苯基)噻吩(P-3-FPT)、聚3-(3,4-二氟苯基)噻吩(P-3,4-DFPT)、聚3-(3,5-二氟苯基)噻吩(P-3,5-DFPT)、聚3-(3,4,5-三氟苯基)噻吩(P-3,4,5-TFPT)等的单体及其聚合物的合成方法及研究进展,并对该类聚合物电极材料的电化学性能进行了比较。

    2006年05期 13-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 233K]
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  • 风华高科研究开发中心被认定为首批国家级企业研究开发中心

    2006年05期 15页 [查看摘要][在线阅读][下载 163K]
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  • 间歇溅射和分段冷却对ZnO薄膜结构的影响

    常春荣;李子全;徐芸芸;周衡志;骆心仪;

    用超高真空射频磁控溅射技术制备了高c轴取向的ZnO薄膜,并用XRD和SEM研究了溅射和冷却方式对ZnO薄膜结构性能和工艺性能的影响。结果表明:与连续溅射相比,间歇溅射可以降低ZnO(002)的晶面间距,晶粒长大致密化,随着间歇时间的延长,薄膜的自优化程度增加;与连续冷却相比,分段冷却对ZnO薄膜的质量影响不大,但可将薄膜的冷却时间,从2.5~3 h缩短至1.5 h左右,从而提高了薄膜的制备速率。

    2006年05期 16-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 416K]
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  • 全方位气体摆式倾角传感器的结构原理

    林宇;朴林华;张福学;

    介绍了全方位气体摆式倾角传感器的敏感原理,并对几种敏感元件的结构设计方案进行了详细的分析。在影响传感器主要性能的基础上,比较了不同敏感元件的优劣,找出最合适的敏感元件结构设计,最后通过对实际制作的全方位倾角传感器进行测试,表明所介绍的全方位气体摆式倾角传感器的灵敏度达到0.1°,方位角测量范围达到360°,倾斜角度测量范围可达到25°,达到了预期的设计目的。

    2006年05期 19-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 394K]
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  • 热丝化学气相沉积制备多晶硅薄膜的研究

    刘韶华;刘艳红;吕博佳;温小琼;

    采用热丝化学气相沉积技术制备了多晶硅薄膜。利用Raman、XRD、SEM等检测手段,系统研究了沉积气压、衬底温度、衬底与热丝间距离、衬底种类等实验参数对多晶硅薄膜晶态比、晶面择优取向、晶粒尺寸的影响。得出优化条件:沉积气压42 Pa,衬底温度250℃,衬底与热丝间距离48 mm,在玻璃衬底上制备出晶态比Xc>90%,择优取向为(111),横向晶粒尺寸为200~500 nm,纵向晶粒尺寸为30 nm左右的优质多晶硅薄膜。

    2006年05期 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 582K]
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  • 高分子磁性材料的频率、温度特性及应用

    林云;干久志;蒋福全;邓科;林展如;

    以二茂铁为原料合成的高分子磁性材料(OPM),其磁参数(μ',μ")基本不随使用频率及温度而变化,用它制作的电感、电容的电感量与电容量几乎与温度变化无关。比较了用OPM及NiZn—10制作的分路器及宽带变压器的性能,结果表明,在500~1 000 MHz频段,前者较后者的磁损耗约小1.0dB,而宽带放大器在200~300MHz的增益,前者较后者高5.0dB以上。

    2006年05期 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 317K]
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  • 氧化锌p型共掺杂精细结构的第一性原理研究

    张富春;张志勇;阎军锋;张威虎;

    计算了ZnO材料p型掺杂精细结构,分析了p型掺杂ZnO晶体的电子结构、电荷布局、电子态密度、差分电荷。所有计算都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一原理平面波超软赝势方法。计算结果表明:掺杂Ⅴ族元素(N、P、As、In)的氧化锌材料在能隙中引入了深受主能级,载流子(空穴)局域于价带顶附近。而利用加入激活施主的共掺杂技术的计算结果却表明,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级。同时,受主能级带变宽,非局域化特征明显。

    2006年05期 31-35+38页 [查看摘要][在线阅读][下载 783K]
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  • Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9纳米晶磁粉芯制备及其性能研究

    李长全;

    采用聚乙烯醇作粘结剂,制备了纳米晶Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9磁粉芯。并对该类磁粉芯的磁性能进行了测试分析。结果表明,随粉体粒度减小,磁粉芯的μr减小、Bm、Hc上升;随压力增大,粉芯的致密度、μr、Bm上升,Hc值下降;磁粉芯的中心频率为10 MHz,其最大Q值为99.6。这种材料在高频范围内具有应用价值。

    2006年05期 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 389K]
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  • 超级电容器组件的电压均衡控制电路设计

    李忠学;陈杰;

    探讨了串联、并联和混联超级电容器组件的充放电性能,并针对串联超级电容器组件中单体电压的均衡,分析设计了基于buck-boost拓扑结构的主动型电压均衡控制电路。仿真结果表明该电路设计能避免组件中单体过压,使系统贮能量达到最佳。

    2006年05期 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 317K]
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  • 钽电容器用石墨导电胶的研究

    王军;郭玉花;付振晓;张其土;

    以石墨粉和热固性树脂混合配成导电胶,分析了石墨粉、稀释剂的用量,固化温度,固化时间等与电阻的关系。结果表明:当石墨含量在25%~35%,稀释剂含量在20%~25%(均为质量分数)时,在150℃下固化2~3 h得到的导电胶导电性最好,能够满足作为钽电容器阴极引出材料的需要。并用“逾渗理论”解释了导电胶的导电机理,与实验所得结论相符。

    2006年05期 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 341K]
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  • 高比容钽粉在电容器中的应用

    梁雅丽;王英红;

    优化了高比容钽阳极的烧结温度和压制密度,改进了氧化膜形成和被膜等工艺,最终解决了产品击穿电压低、阴极被膜不良等问题。产品的额定电压为4~16V、标称容量为10~100μF,各项指标均达到行业标准,成品合格率达到80%以上。产品容量约增加一倍、产品尺寸缩小一个壳号。

    2006年05期 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 292K]
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  • 钛酸锶钡的宽频带介电谱

    王卫林;

    利用常规固相反应法制备了系列钛酸锶钡(BaxSr1–xTiO3)(x=0.50,0.68,0.74)陶瓷。测量了样品的宽频段介电谱,发现钛酸锶钡的超低频介电谱在复介电常数平面上给出一段圆弧;但是,在高于5 Hz时偏离圆弧组成一段直线。实验表明:介质中慢极化效应的存在使得其介电弛豫普遍都不是德拜型的;在超低频至射频的广阔频段,样品的复εr不满足Kramers-Kroning(K-K)关系。实验证明在超低频下,测量εr的频域法并不适用,其物理含义还有待研究。

    2006年05期 49-51+68页 [查看摘要][在线阅读][下载 708K]
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  • 气氛烧结BiNbO_4微波介质陶瓷介电性能的研究

    刘璞凌;丁士华;杨同青;沈波;姚熹;

    研究了烧结气氛对BiNbO4陶瓷介电性能的影响。于不同气氛烧结的陶瓷样品,其晶粒形貌差别不大,均为斜方相结构。氮气氛烧结的陶瓷样品具有相对较小的密度、较小的εr和较高的Q。高温下热离子极化,导致各样品的εr和tgδ随着温度的升高而迅速增大,只在氮气氛烧结的陶瓷样品的温谱上观察到明显的弛豫现象。

    2006年05期 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 430K]
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  • BST/LSCO异质结构的研究

    段珂瑜;秦文峰;陶伯万;李言荣;

    利用脉冲激光沉积法在STO(001)基片上外延生长了La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)导电氧化物薄膜,研究了基片温度对LSCO薄膜结构和电性能的影响,并制备了Ni-Cr/BST/LSCO多层膜结构。XRD谱发现,沉积温度在450~700℃均能得到高度(00 l)取向的LSCO薄膜,LSCO(002)峰的半高峰宽FWHM=0.1°~0.2°;在LSCO薄膜上制备的BST介质膜具有良好的c轴取向和较高的表面平整度,其εr约为470,tgδ为0.036~0.060。

    2006年05期 55-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 365K]
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  • Zr掺杂TaO_x薄膜离子导体性能的研究

    黄佳木;吕佳;张新元;覃丽璐;

    采用射频反应磁控溅射工艺,以纯钽、锆为靶材,在WO3/ITO/玻璃基材上制备TaOx:Zr薄膜。研究锆掺入量、掺杂方式、溅射功率等制备工艺参数对TaOx薄膜性能的影响。用三位电极法和透射光谱等方法检测薄膜的离子导电性能。结果表明:TaOx:Zr薄膜主要为非晶态,在150 W的掺杂溅射功率和10 min的相对掺杂时间的实验条件下,所制备的TaOx:Zr薄膜有良好的离子导电性能,透光率约为90%。

    2006年05期 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 376K]
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  • 纳米氮化铝粉末表面修饰的研究

    马文石;董安辉;

    以活化指数和pH值为考核指标,通过变化改性剂的用量、处理温度以及处理时间等,研究了偶联剂–苯乙烯接枝改性剂对纳米AlN粉末的表面改性效果。结果表明:纳米AlN粉末经偶联剂–苯乙烯接枝进行表面修饰可显著提高其抗水解的能力,室温下长达一个月遇水不发生变化;在70℃的热水浴浸泡24h,其悬浮液pH值仍能保持在7.0。并对工艺条件进行了优化,其最佳工艺条件是:以无水乙醇为溶剂、处理剂的加入量为5%(质量分数)、70℃反应3h,活化指数可以达到1.0。

    2006年05期 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 209K]
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  • 射频鞘层中等离子体浓度对离子动量的影响

    李志刚;丁玉成;

    利用射频鞘层模型,推出了离子到达被加工材料表面时的动量的表达式。利用表达式分析了离子轰击材料表面的动量与等离子体浓度的关系。理论分析与实验数据有较好的吻合。等离子体浓度的增大对鞘内离子动量起抑制作用:随等离子体浓度(1015~1016 m–3)增加,离子动量(10–22~10–21kg.m.s–1)减小。等离子体浓度较小(约<3×1015m–3)时,对离子动量有较显著的影响;随等离子体浓度增大(约>3×1015m–3),其作用越来越平缓。

    2006年05期 65-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 467K]
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  • 无铅焊接工艺及失效分析

    黄卓;杨俊;张力平;陈群星;田民波;

    综述了目前无铅焊接工艺回流焊和波峰焊的工艺特点,指出了焊接中存在的几大主要失效问题,包括开裂、焊点空洞、晶须和板材胀裂,并介绍了避免或减弱这些失效问题的方法。

    2006年05期 69-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 730K]
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  • 我国高纯TiO_2的市场现状

    朱盈权;谌贵辉;

    我国高纯TiO2的主要市场在PTC热敏电阻、MLCC、半导体电容及SrTiO3基压敏电阻领域。年市场需求约6300t,其中,PTC热敏电阻约需1200t、MLCC约需5000t、半导体电容约需65t,SrTiO3基压敏电阻约需35t。高纯TiO2的国内售价,仅是日本东邦TiO2的1/3~1/2。

    2006年05期 73-75页 [查看摘要][在线阅读][下载 407K]
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  • 仪器仪表行业发展三大新动态

    测试测量技术是产品质量的重要保证,电子元件与材料技术的发展离不开测试测量技术。为了进一步促进现代测试测量技术和精密仪器在本行业中的应用,加快科研成果的推广、移植和转化的步伐,给业内人士提供一个交流与探讨的平台,今后本栏目的编辑将增强互动性,欢迎大家参与探讨。联系:028-81872522 84391569曾革

    2006年05期 76页 [查看摘要][在线阅读][下载 3679K]
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  • 安捷伦全线扫描中国市场

    曾革;

    2006年05期 76页 [查看摘要][在线阅读][下载 3679K]
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