- 杜鹃;王矜奉;赵明磊;陈洪存;梁兴华;盖志刚;苏文斌;臧国忠;
采用传统电子陶瓷制备工艺制备(1–y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1–x)O3无铅压电陶瓷,获得了d33高达185pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。对Bi的挥发进行了补偿,添加过量Bi2O3(摩尔分数z=0.08)的钛酸铋钠基压电陶瓷,d33高达218pC/N。研究了Mn掺杂对钛酸铋钠基陶瓷压电、介电性能和损耗的影响,获得了高性能的无铅压电陶瓷,其中d33为214pC/N,kt为0.44,k33为0.52。
2006年04期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 427K] [下载次数：506 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：14 ] |[阅读次数：108 ] - 2006年04期 3页 [查看摘要][在线阅读][下载 319K] [下载次数：16 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：49 ]
- 2006年04期 3页 [查看摘要][在线阅读][下载 430K] [下载次数：56 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：35 ]
- 李兵红;丁士华;梁逵;庄凯;胡军;
采用化学共沉淀法制备出超级电容器用掺CeO2的MnO2电极材料,通过XRD、SEM对样品进行了表征,研究了掺杂量对MnO2电极稳定性能的影响。结果表明,产物主相为α-MnO2,粒度分布较均匀,在50～100nm;在6mol/L的KOH电解液中,该掺杂MnO2电极材料具有优良的电容行为和循环稳定性能。当掺CeO2量为10%(与MnO2的质量比)时,在电流密度为250mA/g时,比电容量达257.68F/g;循环500次,容量仅衰减1.18%。
2006年04期 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 753K] [下载次数：408 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：13 ] |[阅读次数：103 ] - 2006年04期 6页 [查看摘要][在线阅读][下载 508K] [下载次数：26 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：52 ]
- 吴裕功;王斌;李艺峰;乔劲轩;
提出了一种制备PZT粉料及陶瓷的新工艺,即采用湿-干法制备PZT固溶体粉料。首先用聚合物中间体方法合成了钙钛矿型PZT中的B位离子氧化物固溶体ZrxTi1-xO2(x=0.50～0.56),并以此作为B位先驱体,其物相为单相,组成超出固相反应可以合成的单相ZrxTi1-xO2固溶体的锆钛比范围;然后用该先驱体与碳酸铅通过固相反应合成PZT固溶体。固相反应温度可显著降低至725℃,PZT粉料颗粒的粒度达到130nm。常温下,PZT陶瓷εr的最大值达到1260。
2006年04期 7-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 610K] [下载次数：117 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：167 ] - 张柏顺;全祖赐;郭涛;章天金;
分别以CF4/Ar和CF4/Ar/O2作为刻蚀气体,采用磁增强反应离子刻蚀(MERIE)技术对sol-gel法制备的BST薄膜进行刻蚀。结果表明,刻蚀速率与刻蚀气体的混合比率呈现非单调特性。当CF4/Ar的气体流量比R(CF4:Ar)为10:40时,刻蚀速率达到极大值。当CF4/Ar/O2的气体流量比R(CF4:Ar:O2)为9:36:5时,刻蚀速率达到最大值,最大刻蚀速率为8.47nm/min。原子力显微镜(AFM)分析表明,刻蚀后的薄膜表面粗糙度变大。对刻蚀后的薄膜再进行适当的热处理,可以去除部分残留物。
2006年04期 10-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 440K] [下载次数：167 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：93 ] - 2006年04期 13页 [查看摘要][在线阅读][下载 384K] [下载次数：1630 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：66 ]
- 彭佳;王清华;孟大伟;朱晴;明翠;宋晔;
采用化学氧化法合成可溶性导电聚苯胺,作为电容器的阴极而取代传统的工作电解液阴极,研制了一种新型导电高分子固体铝电解电容器。其额定工作电压DC6.3V,标称电容量1000μF,tgδ≤0.036(100Hz,+20℃),漏电流IL≤20μA。此种电容器频率-阻抗特性优良,阻抗极低Z≤0.015?(100kHz,+20℃),并具有良好的温度特性和自愈特性。
2006年04期 14-16+19页 [查看摘要][在线阅读][下载 779K] [下载次数：303 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：13 ] |[阅读次数：95 ] - 郑夏莲;黄新友;高春华;董海飞;刘亚兵;
采用正交实验优化了各氧化物掺杂CaBi4Ti4O15(CBT)陶瓷的最佳配方。A、B位复合掺杂改性效果比A位或B位掺杂改性明显。研究了预合成温度、保温时间、烧结温度和烧结方式对CBT基陶瓷性能的影响规律及其机理。结果表明:在850℃预合成,保温3h,1130℃Al2O3埋烧工艺条件下,研制出介质损耗为0.0055,相对介电常数为163.60,烧成收缩率为12.1%的陶瓷试样。
2006年04期 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 445K] [下载次数：217 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：87 ] - 尧彬;张树人;周晓华;唐斌;
研究了钙硼硅(CBS)微晶玻璃掺杂BaTiO3(BT)-Nb2O5-ZnO系统的微结构和介电性能,并用掺杂后晶粒壳与晶粒芯体积分数的变化规律分析了其改性机理。对比SEM照片得出,不同含量CBS掺杂BT的室温εr与掺杂后BT陶瓷的晶粒生长情况以及玻璃相的多少和分布密切相关。经优化配方和工艺后,在空气中于1150℃烧成的BaTiO3陶瓷材料的主要性能指标达到:εr25℃>1350,tgδ≤1.0×10-2,ρ≥1011?·cm,最大电容量变化率不超过±10%(-55～+150℃),适于制备中温烧结X8R多层陶瓷电容器。
2006年04期 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 793K] [下载次数：397 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：29 ] |[阅读次数：97 ] - 范凌云;沈晓冬;崔升;袁林生;
在悬浮液中加入表面改性剂,改变纳米粒子表面的性质,从而抑制纳米粒子间的团聚,有力地改善了碳纳米管在聚合物中的分布,增强了纳米复合材料的电性能。并研究了不同的改性剂对电性能的影响。经研究,经过十八醇表面改性后的纳米粒子对纳米复合材料的电性能影响最好,改性后的MWNTs/PMMA纳米复合材料电阻最小可达到4k?左右。
2006年04期 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 796K] [下载次数：886 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：31 ] |[阅读次数：104 ] - 陈国华;刘心宇;
研究了氧化钙对MgO-Al2O3-SiO2系微晶玻璃烧结特性和性能的影响。结果表明:氧化钙替代氧化镁能够促进微晶玻璃粉体的烧结致密化,影响玻璃的晶化特性、介电性能和热膨胀特性。随着氧化钙量的增加,样品的介电常数和热膨胀系数增加,但其介质损耗呈现先减小后稍微增加的趋势。含3%CaO(质量分数)的样品可在900℃烧结致密化,并具有低的εr(5.4)、低的tgδ(≤0.13×10-2)和低的α(3.55×10-6℃-1),是一种有应用前景的低温共烧陶瓷基板材料。
2006年04期 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 775K] [下载次数：485 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：14 ] |[阅读次数：83 ] - 李志军;王春华;王仕果;
在电流控制电流传输器的基础上采用交叉耦合电流镜技术实现了多输出端口电流控制电流传输器(MOCCCII)。并利用该器件设计出一种结构简单的双二阶通用电流模式滤波器。该滤波器结构简单,仅包含2个有源器件,2个接地电容,并可通过改变外部输入电流的接入方式和接入数目,在同一输出端和不同输出端分别实现多种滤波功能。完成了实际电路的PSPICE仿真,结果表明提出的电路正确有效。
2006年04期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 575K] [下载次数：104 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：66 ] - 张为军;堵永国;胡君遂;
介质浆料的烧结致密化程度对不锈钢基板的绝缘性能具有至关重要的影响。以CaO-Al2O3-SiO2系玻璃为研究对象,制备不锈钢基片用介质浆料,研究该介质浆料的烧结致密化工艺。结果表明在CaO含量为45%,平均粒度为2~3μm的玻璃粉所调制的介质浆料,烧结温度为870℃,烧结时间为10~20min的条件下,获得致密化的介质浆料。
2006年04期 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 599K] [下载次数：333 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：116 ] - 万学华;2006年04期 35页 [查看摘要][在线阅读][下载 436K] [下载次数：87 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：56 ]
- 何世明;李言荣;刘兴钊;
对比研究了MgO和LaAlO3(LAO)单晶基片上采用脉冲激光法生长的SrTiO3(STO)薄膜的微观结构和介电性能。通过XRD,AFM和制备叉指电容测量的方法研究发现,在MgO基片上生长高质量(00L)织构STO薄膜需要较高的生长温度;LAO基片上的STO薄膜更加平整;而MgO上的STO薄膜具有更高的零偏压介电常数和更强的非线性介电性质。
2006年04期 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 677K] [下载次数：186 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：101 ] - 范跃农;毛敏芬;李蔓华;
通过瓷件表面粗糙度、瓷件的清洗方式、烧渗银温度和曲线等工艺过程的试验,研究了压电陶瓷银层附着力的影响因素。结果表明主要影响因素是瓷件表面粗糙度、清洁度以及银层烧结温度和曲线。在实际应用中,如果用天然石榴石金刚砂W40微粉细磨瓷件表面,再采用超声波清洗及煅烧,然后在780℃左右烧渗银,可使附着力达到最大,约1800N/cm2。
2006年04期 39-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 97K] [下载次数：321 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：69 ] - 唐杰;刘颖;张然;刘显坤;涂铭旌;
在烧结坯放气完毕后即采用不同的烧结方式处理NdFeB磁体。研究发现,真空烧结样品比气氛烧结样品的抗氧化和抗腐蚀能力强;但是,样品的Br、Hcj和(BH)max则要低一些。SEM分析表明,气氛烧结样品与真空烧结样品相比,晶粒更致密、均匀,缺陷也较少。试验结果指出,气氛烧结是一种较好的烧结方式,可以降低生产成本和稳定磁性能。
2006年04期 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 636K] [下载次数：327 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：87 ] - 2006年04期 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 499K] [下载次数：68 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：64 ]
- 钟世安;胡启明;古映莹;
在磁场条件下,用水热法制备了尖晶石型锰锌铁氧体粉末。利用X射线衍射、X射线光电子能谱和高锰酸钾分光光度法,对铁氧体粉末的微观结构、表面原子信息和锰的平均价态进行了研究。研究表明,在水热条件为:180℃4h外加磁场的条件下制备的物质没有新相产生,在内加磁晶和外加磁场的条件下得到的铁氧体样品,有一部分锌进入了尖晶石的B位。
2006年04期 44-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 510K] [下载次数：285 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：12 ] |[阅读次数：90 ] - 崔敏;张维佳;钟立志;吴小文;王天民;李国华;
通过PECVD法制备了纳米硅薄膜(nc-Si:H),采用Raman散射谱,AFM对样品的结构和形貌进行了测试,并测试了样品的室温电导率。结果表明:制备出的纳米硅薄膜,其电导率达到4.9S·cm-1。另外制备了本征nc-Si:H膜作缓冲层,结构为ITO/n+-nc-Si:H/i-nc-Si:H/p-c-Si/Ag的PIN型太阳能电池,其Voc达到534.7mV,Isc达到49.24mA(3cm2),填充因子FF为0.4228。
2006年04期 47-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 681K] [下载次数：310 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：74 ] - 2006年04期 49页 [查看摘要][在线阅读][下载 452K] [下载次数：46 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：44 ]
- 范小燕;廖小平;
在工艺流程以及材料选择的基础上,用Coventorware和HFSS对间接加热终端式MEMS微波功率传感器进行了模拟与设计。模拟结果包括共面波导(CPW)与终端电阻上的温度分布,以及热电堆的接近对CPW性能的影响。确定了热偶对数为50,热电堆与CPW之间的距离为50μm,并选择了GaAs和Au作为热电偶的两臂,TaN作终端电阻。
2006年04期 50-52+56页 [查看摘要][在线阅读][下载 555K] [下载次数：153 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：98 ] - 殷焕顺;邓建成;
以苯酐和氯化亚锡为原料,采用固相法合成锡酞菁(SnPc),再和发烟硫酸反应合成磺化锡酞菁(SnPcS)。用元素分析,红外光谱,紫外光谱对它们进行了表征。结果表明:磺化锡酞菁的溶解性比锡酞菁要大得多;热稳定性研究发现,磺化锡酞菁从100℃开始失去磺酸基,400℃酞菁环才开始分解;且磺化锡酞菁在水中的氧化还原过程具有可逆性;同时,对磺化锡酞菁的电子光谱进行了研究。
2006年04期 53-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 126K] [下载次数：242 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：87 ] - 2006年04期 56页 [查看摘要][在线阅读][下载 13K] [下载次数：78 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：58 ]
- 孟凡明;
按配方TiO2+0.3%(SrCO3+Bi2O3+SiO2)+0.075%Ta2O5,以典型的陶瓷工艺制备样品。通过I-T和I-V测量,将压敏电阻视为双向导通的二极管,应用半导体理论对低压下的I-V数据进行处理,测定了TiO2-SrCO3-Bi2O3-SiO2-Ta2O5压敏陶瓷的势垒高度?b为0.43eV。
2006年04期 57-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 493K] [下载次数：151 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：59 ] 下载本期数据