刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 无铅钎料开发研究现状

    郭康富;康慧;曲平;

    综述了国内外无铅钎料开发的新进展和部分钎料的应用情况,重点介绍了合金元素对Sn-Zn和Sn-Ag两种合金系的性能影响。结合目前的研究成果,详细介绍了无铅钎料开发的现状及前景。

    2006年02期 1-3+7页 [查看摘要][在线阅读][下载 539K]
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  • 各向异性导电胶粘剂膜的研究进展

    黎文部;王洛礼;于洁;

    介绍了ACF的结构、原理、组成、应用及发展前景,详述了导电粒子、粘结剂、添加剂等组分在体系中的作用和对ACF性能的影响,综述了热固性树脂中离子聚合树脂型ACF和自由基聚合树脂型ACF的现状,并指出自由基聚合树脂型ACF是将来的发展趋势。

    2006年02期 4-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 570K]
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  • 氧化改性Ni(OH)_2的电化学电容特性研究

    李兵红;梁逵;庄凯;胡军;

    为获得高比电容量电极材料,制备出氧化改性Ni(OH)2,并对样品进行了XRD和XPS分析,通过恒流充放电测试分析了氧化改性Ni(OH)2/活性炭非对称型电化学电容器的电容特性,讨论了活性炭与氧化改性Ni(OH)2质量比对比电容量的影响。结果表明,氧化改性Ni(OH)2电容器性能稳定,稳定工作电压可达1.60V;在活性炭与氧化改性Ni(OH)2质量比约为2.7时,比电容量高达93.78F/g。

    2006年02期 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 662K]
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  • PLT晶种层对PLZT薄膜介电性能的影响

    张卫华;南瑞华;赵高扬;赵卫;

    采用sol-gel工艺,以钛酸铅镧(PLT)作为晶种层,在Pt/TiO2/Si基板上,制备了锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜。研究了有晶种层的PLZT薄膜的结晶温度及介电性能。结果表明:引入PLT晶种层的PLZT薄膜,在600℃热处理可得到良好的钙钛矿结构,比无晶种层薄膜降低了约100℃;其相对介电常数为1177(1 kHz),提高约60%,介质损耗为0.10~0.13,降低幅度最高可达40%~50%。

    2006年02期 11-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 737K]
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  • 综合信息

    2006年02期 14+17+21+34+37+44+47+51+61+64页 [查看摘要][在线阅读][下载 2121K]
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  • TiO_2纳米粉体的烧结行为及其性能的研究

    孙秀果;张建民;李更辰;周炬;

    分别采用Ti(SO4)2、TiOCl2沸腾回流直接水解制得了纯锐钛矿型和混晶的纳米TiO2。用XRD、SEM对不同煅烧温度下的纳米TiO2粉末结构、粒径大小进行了表征。结果表明:混晶中的锐钛矿相转变温度(500℃)明显低于纯锐钛矿相的(600℃以上)。纳米TiO2粉末的光催化活性与煅烧温度密切相关,500℃煅烧的混晶结构的纳米TiO2粉体表现出较高的光催化活性,20 min催化氧化降解率达到92.3%。

    2006年02期 15-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 745K]
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  • 金纳米粒子LB单层膜的制备及其I-V特性

    曲鹏;王英;张亚非;

    在不同条件下采用LB技术制备了金纳米粒子单层膜,并利用SEM对所得到的薄膜的表面形貌进行表征。结果表明决定薄膜质量的关键因素是表面压。将表面压控制在22~26mN/m的范围内以较慢的拉膜速度在Si(100)基底上进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜。在室温下测量两点之间单层膜的I-V特性,得到了非欧姆特性,这是由电子在电场作用下发生隧穿产生的。

    2006年02期 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 1200K]
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  • 铁/碳纳米管催化剂CVD法制备碳纳米管

    刘金平;李园园;钟强;艾汉华;黄新堂;

    以乙烯为碳源,碳纳米管负载铁基为催化剂,于790℃制备了平均直径约为30 nm的多壁碳纳米管。研究了700~850℃范围内碳纳米管产物的形貌特征和纯度,并与以Al2O3负载铁基作为催化剂的产物进行了比较。利用SEM、TEM、拉曼光谱,对催化剂和产物进行了表征。发现在最佳反应温度下,两种催化剂制备的碳纳米管形貌、直径分布范围及平均直径相当,但以碳纳米管负载铁基为催化剂,产量明显提高100%,且不具有难处理的氧化物载体,纯度很高。

    2006年02期 22-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 820K]
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  • 碲化铅薄膜电学特性的研究

    刘倩;张方辉;牟强;

    用真空蒸镀法制备了Pb49Te51薄膜,并对薄膜的显微结构、导电类型和电阻率等电学特性及热处理对薄膜性能的影响进行了研究。结果表明:热处理对薄膜结构和性能影响很大,热处理后薄膜呈铜黄色,晶粒有明显取向,其形状为片状,且晶粒尺寸变大为300~400nm;薄膜为p型半导体薄膜,其电阻率4.624×10–2Ω.cm比晶体材料12.410×10–2Ω.cm大。

    2006年02期 26-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 618K]
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  • TiO_2系压敏陶瓷施主掺杂研究

    朱道云;周方桥;庄严;

    研究了Ta2O5和Nb2O5掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响。采用电子陶瓷制备工艺,制备了两组TiO2系压敏陶瓷,借助热电子发射理论,分析了样品的I-V特性及介电频谱特性。结果发现,Ta2O5掺杂的样品具有最低的压敏电压(E10mA=5.03 V.mm–1)和最大的视在介电常数(εra=1.5×105)。

    2006年02期 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 627K]
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  • 工艺因素对NdFeB粘结磁体磁性能的影响

    周维娜;李文学;王玉峰;张风云;陈刚;

    研究了用快淬钕铁硼制备粘结磁体的工艺以及工艺因素对粘结磁体性能的影响。结果表明,不同尺寸的颗粒按一定比例混合可以适当提高磁性能;粘结剂的含量对磁体的性能有影响,其含量应在一个合适的范围;随成型压力的增大,剩余磁化强度和磁能积增大;为防止氧化,各个过程应采用惰性气氛保护,氧化后磁体出现α-Fe相。最优粘结磁体性能如下:密度ρ=6.38 g/cm3,剩磁Br=7.14×10–1T,内禀矫顽力Hcj=721kA/m,最大磁能积(BH)max=86kJ/m3。

    2006年02期 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 717K]
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  • 钛酸钙对BZN-CaTiO_3系统介电性能的影响

    赵康健;吴顺华;孙萍;

    研究了利用电子陶瓷工艺制得的主晶相为Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)和CaTiO3的新型陶瓷,BZN具有立方钙钛矿结构。通过烧结温度的改变得到不同介电性能的陶瓷材料,发现CaTiO3的添加量对系统介电性能有显著影响。在1 395℃烧结的BZN-CaTiO3陶瓷,当CaTiO3的添加量为60%(质量分数)时介电性能最佳,其εr为99.97,tgδ为0.54×10-4,αC为–13.05×10-6℃–1(25~85℃,1MHz下测量)。

    2006年02期 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 888K]
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  • 颗粒包覆法制备BZT-CT复合陶瓷

    董一鸣;沈波;张良莹;姚熹;

    采用预合成的方法,分别用得到的单斜类锆钙钛矿相Bi2(Zn1/3Ta2/3)2O7(β-BZT)和钙钛矿相CaTiO3(CT)的粉末作为正负温度系数组元,用sol-gel法制备的ZnO-B2O3-SiO2玻璃,包覆两组元颗粒以阻止其相互反应,从而制备复相零温度系数微波陶瓷。结果表明:预合成及颗粒包覆法可抑制两相固溶反应,有效降低复相陶瓷的烧结温度,调节温度系数。特别是900℃烧结的w(CT)为4%的样品,其εr约为47,αε为2.8×10–6℃–1。

    2006年02期 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 785K]
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  • Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3-LiTaO_3无铅压电陶瓷的研究

    张慧君;赵鸣;张昌松;高峰;田长生;

    采用传统固相反应合成法制备(1–x)Na0.5K0.5NbO3-xLiTaO3无铅压电陶瓷,研究了LiTaO3对Na0.5K0.5NbO3材料晶体结构和压电性能的影响。结果表明:随着LiTaO3含量的增加,材料逐渐由斜方相向四方相过渡。当x<0.06时,材料为斜方相;当x>0.06时,材料为四方相;并发现有未知相结构的Ta2O5存在;材料在x=0.06处为准同型相界,该组分材料具有良好的压电性能:d33=134~151 pC.N-1,kp=30%~38%,Qm=153,Nd=3 181 Hz.m.

    2006年02期 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 828K]
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  • 有序结构ZnO的自组装生长及光学性能研究

    谢娟;邓宏;徐自强;李燕;姜斌;

    利用重力场下的自组装,将单分散的ZnO胶体球悬浮液自组装为排列有序的结构。通过SEM、TEM对制得的有序结构进行了表征。结果表明,这种方法可得到直径为50~800 nm的ZnO胶体球。所得样品的透射谱在200~1 100 nm范围内出现一强烈的衰减峰(带隙中心波长为λc),且λc随ZnO胶体球粒径的减小向短波长方向移动(蓝移),λc的位置还随前处理温度的降低而蓝移。

    2006年02期 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 789K]
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  • ITO玻璃衬底上PLZT铁电薄膜的制备与电性能

    刘国营;刘祖黎;柳擎;刘红日;

    用sol-gel法在掺Sn的In2O3导电透明膜(ITO)衬底上,制备了La掺杂的PbZr0.5Ti0.5O3(PLZT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜的铁电、介电和漏电性质的影响。结果表明,x(La)为5%的PLZT薄膜经650℃退火,有优良的铁电特性,外加15V电压下,剩余极化强度为35.4×10–6C/cm2,矫顽场强为111×103V/cm。100kHz时的εr和tgδ分别为984和0.13。在外加电场小于9V时,薄膜的漏电流密度不超过10–8A/cm2。

    2006年02期 48-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 3359K]
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  • SnAgCuY钎料高温时效过程的显微组织演化

    郝虎;田君;史耀武;雷永平;夏志东;

    研究了无铅钎料合金Sn3.8Ag0.7Cu高温时效过程中显微组织,特别是金属间化合物(IMC)的演化规律,以及稀土Y的添加对其产生的影响。结果表明:在高温时效过程中合金内部组元发生扩散与重组,伴随着共晶组织的逐渐溶解,新的IMC在组织内部呈球形弥散析出。结晶初期形成的具有规则形状的较粗大的IMC逐渐发生解体,树枝状富Sn相逐渐取代共晶组织成为受腐蚀的对象。随着时效时间的延长,合金内部各组元的成分也在不断发生变化。

    2006年02期 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 918K]
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  • 用苯并环丁烯进行圆片级硅–硅气密性键合

    刘玉菲;李四华;吴亚明;

    应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片进行了圆片级低温键合,并研究了其在气密性封装工艺中的应用。测试表明:在250℃的低温键合条件下,封装后样品的气密性优于3.0×10–4Pa.cm3/sHe;剪切力达4.7MPa以上;封装样品合格率达94%以上;通过热循环可靠性测试之后仍具有很好的气密性。BCB是一种较理想的圆片级低温气密性健合封装材料。

    2006年02期 55-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 625K]
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  • 片式元件与基板间隙对无铅焊点可靠性的影响

    杨洁;张柯柯;程光辉;余阳春;周旭东;

    采用非线性有限元方法,讨论了片式元件与基板的间隙对Sn-2.5Ag-0.7Cu无铅钎料焊点的应力分布和热疲劳寿命的影响。结果表明,当间隙高度为0.1~0.2mm时,焊点薄弱处——元件底部拐角处、焊根的顶部和底部以及焊趾顶部具有较低的应力,此时预测得到焊点的热疲劳寿命也最长。这一结果对于焊点几何形态的设计及优化具有指导意义。

    2006年02期 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 625K]
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  • T41.8投影副线圈用磁环的烧结工艺探讨

    李爱民;

    2006年02期 62页 [查看摘要][在线阅读][下载 488K]
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  • 铁氧体材料预烧温度对磁芯包封性能的影响

    2006年02期 62-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 509K]
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  • 报废铁氧体磁性材料的回收再利用

    2006年02期 63-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 433K]
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  • 部分电子产品生产用元器件、原材料2006年进口暂定税率表

    <正>~~

    2006年02期 65页 [查看摘要][在线阅读][下载 167K]
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  • 年轻的学科带头人——李言荣教授

    2006年02期 66页 [查看摘要][在线阅读][下载 929K]
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