刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 水热法制备掺镁钛酸钡粉体及其电性能研究

    董敏;苗鸿雁;蒲永平;谈国强;

    利用水热法制备了掺镁的超细钛酸钡粉体并高温烧结后得到瓷体,运用XRD、AES和SEM等测试手段,分析了掺镁对钛酸钡粉体及陶瓷电性能的影响。研究表明,镁固溶到了钛酸钡的晶格中并取代钛位。镁的掺杂有助于获得细晶高致密的陶瓷,当n(Mg)/n(Ti)为0.06时,致密度最高,常温下相对介电常数高达4100,击穿场强达到3.2MV/m以上。

    2005年12期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 508K]
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  • ZVD型片式塑封ZnO压敏电阻器的制备

    章士瀛;曹光堂;罗世勇;李言;王艳;

    用圆片压敏电阻器的单层被银瓷片,制成片式ZnO压敏电阻器,从而解决了制造尺寸较小、电压较高、电流较大的片式压敏电阻器这一难题。将ZnO陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线贴在外壳表面,得到了片式塑封ZnO压敏电阻器。该产品与片式单层矩形和多层矩形ZnO压敏电阻器相比,具有更高的可靠性和性价比。

    2005年12期 4-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 661K]
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  • 基于沉淀转化法制备的纳米NiO超级电容器研究

    方勤;

    运用沉淀转化法制备Ni(OH)2超微粉末,并通过热处理得到纳米NiO。利用TG、XRD、TEM、N2吸附、循环伏安和恒流充放电测试对样品进行了分析和表征。结果表明,实验制备的NiO粒径为10nm左右,比表面积达到186.3m2/g,并具有合适的孔径分布,NiO赝电容器的工作电压为0.35V,在电流密度为60mA/g时,其比容达到243F/g。

    2005年12期 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 587K]
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  • Mg取代Ca的CLST陶瓷的结构和介电性能

    孙道明;李谦;黄金亮;周焕福;王茹玉;

    采用固相反应法制备Mg取代Ca的CaO-Li2O-Sm2O3-TiO2(CLST)陶瓷,用XRD图谱研究其晶体结构。结果表明:Mg取代Ca的量x为1~8时,在1250℃烧成,形成单一的钙钛矿相。随着x增大,晶格常数都逐渐减小;x为16时,晶格常数突变,形成富Sm非钙钛矿的主晶相。在1MHz下,εr和tgδ都随x增大而降低,x为12时,εr为42.6,tgδ为0.0012。

    2005年12期 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 630K]
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  • 特高频高磁损耗材料的制备及其磁特性研究

    孙宏亮;王群;

    采用磁粉芯工艺制备了抑制电磁干扰(EMI)用高磁损耗软磁合金复合材料(SCM)。通过SEM微观形貌观察与复磁导率(μr'、μr'')测试,对不同制备阶段的样品进行了分析,研究了球磨与退火过程对磁导率的影响,并与铁氧体材料磁导率特性进行了对比。结果表明:μr''呈磁共振双峰宽频分布,1.2GHz时,μr'为7.3,μr''max为14.5。特高频带内,SCM磁损耗性能超过铁氧体材料。

    2005年12期 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 532K]
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  • 用微粒群算法与神经网络实现传感器误差补偿

    孙健;

    为减少传感器非线性特性带来的测量系统误差,提出一种采用微粒群算法与BP(Back-propagation)神经网络相结合的方法设计误差补偿环节,将传感器非线性特性改造成为与实际物理过程相一致的不失真的线性特性,从而减小非线性误差。在电感微测仪位移测量系统实验中,采用PSO(Particleswarmoptimization)算法训练后,网络的BP算法收敛速度很快,且精度高,在经过120次学习后,误差平方E<0.001。

    2005年12期 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 104K]
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  • 一种环保型电子封装用复合材料

    修子扬;张强;宋美慧;朱德志;武高辉;

    采用挤压铸造专利技术制备了体积分数为65%高纯Si的环保型Sip/Al-Si20复合材料。试验结果表明:复合材料的铸态组织均匀、致密,没有明显的颗粒团聚和偏聚,也不存在微小的孔洞和明显的缺陷;Sip/Al-Si20是一种轻质(密度为2.4g/cm3)、低膨胀系数(7.77×10-6℃-1)、高热导率[156.34W/(m·℃)]复合材料,电导率为4.08MS/m,具有较高的比模量和比强度;Sip/Al-Si20复合材料可以进行镀Ni和封装焊接。

    2005年12期 20-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 635K]
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  • 世界各国在电子封装方面的环保情况

    2005年12期 22页 [查看摘要][在线阅读][下载 442K]
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  • PEEC在LTCC电路分析中的应用

    李杰;赵永久;

    应用一种准静态的电磁场分析方法——部分元件等效电路方法对低温共烧陶瓷电路进行分析。作为实际应用的例子,对一个低通滤波器分别用PEEC算法和权威3-D软件HFSS进行了仿真计算,结果表明,两者S参数的幅度和相位十分吻合,而PEEC算法的计算速度却提高了一百多倍。

    2005年12期 23-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 254K]
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  • 无VOCs水基免清洗助焊剂的研究

    徐冬霞;雷永平;夏志东;史耀武;

    研制了一种以水作溶剂,不含挥发性有机化合物(VOCs)的水基免清洗助焊剂。根据信息产业部制定的免清洗液态助焊剂标准,使用Sn-3.8Ag-0.7Cu无铅焊料,对该免清洗助焊剂进行了性能检测。结果表明:该助焊剂在外观、稳定性、粘性、卤化物含量等方面都符合标准,对无铅焊料助焊效果较好,无卤化物,无毒,无刺激性气味,环保,安全,节省成本。对无VOCs水基免清洗助焊剂在波峰焊中的应用给出一些建议。

    2005年12期 26-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 334K]
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  • 高度(100)取向的BST薄膜及其高介电调谐率

    蒋力立;黄开胜;唐新桂;陈王丽华;

    用脉冲激光沉积法制备(Ba1-xSrx)TiO3(x=0.35,0.50简称BST35和BST50)介电薄膜。在650℃原位退火10min,获得高度(100)取向柱状生长的晶粒。BST35薄膜的平均晶粒尺寸为50nm,BST50薄膜的晶粒尺寸为150~200nm。在室温和1MHz条件下,BST35的最大εr和调谐率分别达到810和76%,其介电调谐率高于国内外同类文献报道的数据;BST50的εr和调谐率最大分别达到875和63%。薄膜为(100)取向生长,因为薄膜沿平面c轴极化而产生应力,在电场作用下,而获得高介电调谐率。

    2005年12期 29-31+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 542K]
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  • 硼硅对BST薄膜结构和性能的影响

    丁士华;杨晓静;姚熹;张良莹;

    用sol-gel法制备0.5mol/L钛酸锶钡(Ba0.7Sr0.3TiO3)前驱溶液,并在其中加入硼、硅成功地制备了室温下具有优良铁电性质的BSTS薄膜。XRD及DSC分析显示,BSTS薄膜呈现钙钛矿结构。测试结果表明,随着硼、硅的加入量增加,其εr和tgδ明显降低。当硼、硅的加入量小于10mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的低,当硼、硅的加入量大于15mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的高。

    2005年12期 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 421K]
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  • 氧气的析出对多孔膜形成的影响

    张红卫;

    研究了纯铝在磷酸二氢铵(A)和癸二酸铵/硼酸(B)溶液中的阳极氧化,通过阳极氧化曲线的测定及氧化膜的SEM表面照片分析,研究了多孔膜生长的全过程。结果表明在阻挡膜/电解液界面上氧气的析出是造成多孔膜形成的前驱点。阻挡膜转变成多孔膜是先形成沟槽,而后在沟槽中形成多孔。A电解液中,在115V下得到多孔氧化膜,孔径150nm。B电解液中在445V下得到孔径为55nm的多孔膜。

    2005年12期 35-37+41页 [查看摘要][在线阅读][下载 766K]
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  • BaTiO_3基无铅高压陶瓷电容器材料性能的研究

    张其土;张校平;李斌;

    采用BaTiO3基料,加入SrTiO3、CaCO3、Bi2O3·3TiO2等添加剂制备无铅高压陶瓷电容器材料,研究了添加剂对材料性能的影响,得到了介电常数可调、综合性能较佳的材料。结果表明,在BaTiO3中加入30%SrTiO3、10%CaCO3,并外加3%Bi2O3·3TiO2时(均为摩尔数分数),其εr为3802、tgδ为4.2×10-3、Eb为9.2MV/m;而当在BaTiO3中加入40%SrTiO3、15%CaCO3,并外加4%Bi2O3·3TiO2时,其εr为2089、tgδ为6×10-4、Eb为16.9MV/m。

    2005年12期 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 437K]
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  • 2005汉诺威五大工业贸易展汇演上海

    2005年12期 41页 [查看摘要][在线阅读][下载 364K]
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  • 银/导电陶瓷复合电极浆料导电性的研究

    张宇;张承琚;

    采用银和导电陶瓷(LaNiO3和LaFe0.25Ni0.75O3)作复合电极浆料,并研究了复合电极浆料的导电性与导电陶瓷比例及种类的关系。结果发现,复合电极浆料的电阻率随导电陶瓷比例的增加而增大,当LaNiO3和LaFe0.25Ni0.75O3两种导电陶瓷的质量分数<15%时,两种复合浆料的导电性均变化不大。SEM观测显示,复合电极浆料制成的电极有很好的烧成表面。

    2005年12期 42-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 534K]
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  • 叠层片式ZnO压敏电阻器配方研究

    唐斌;祝忠勇;赖杨;

    研究了以ZnO-Bi2O3-SiO2系为基础,适当添加Co、Mn、Sb、Cr、Ni等金属氧化物的叠层片式ZnO压敏电阻器配方。通过严格控制Bi2O3及SiO2的含量,较好地解决了瓷料与银鈀内电极的共烧问题,且电性能优良。其瓷料的特点是烧结温度低(<1050℃),产品非线性系数高(≥25),泄漏电流小(<5μA),限制电压低(V1A/V1mA<1.70),通流能量大(≥1800A/cm2)。

    2005年12期 44-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 435K]
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  • 飞利浦半导体完成符合RoHS无铅产品的转换

    2005年12期 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 384K]
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  • 制备高质量ZnO光电薄膜的关键技术

    丁瑞钦;

    提高ZnO薄膜的质量,使之适应制备光电器件的要求,是目前ZnO薄膜研究的一个主要问题。在对近年来人们在ZnO薄膜的制备上所作的工作进行调研的基础上,总结出对提高薄膜的质量有普遍参考价值的三种关键技术:“缓冲层”,“氢钝化”和“表面化学处理”。对三种关键技术的主要内容,及其在提高薄膜结晶质量与光电性能方面的效果和物理机制,作了较详细的介绍。并对这些技术提出了自己的一些见解。

    2005年12期 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 344K]
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  • 通讯论坛(2)

    2005年12期 49页 [查看摘要][在线阅读][下载 320K]
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  • 高介电常数微波陶瓷材料的研究进展

    赵梅瑜;王依琳;

    叙述了BaO-Ln2O3-xTiO2系陶瓷的掺杂、添加烧结助剂和晶粒取向对其烧结温度和微波介电性能的影响。简述了(Pb1-xCax)(Fe0.5Nb0.5)O3系陶瓷的掺杂改性和低温烧结的研究进展。介绍了迄今为止εr最高的一类微波介质陶瓷CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2系材料。提出了需要进一步思考和解决的问题。

    2005年12期 50-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 427K]
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  • 国内外高纯BaTiO_3的生产现状

    朱盈权;

    介绍了国内外已产业化的、三种生产高纯BaTiO3的方法,即:固相法,草酸共沉淀法及水热合成法。重点介绍了它们的工艺流程,反应机理,研究进展,优缺点,主要厂家及其年产量。还介绍了高纯BaTiO3的主要应用领域,国内市场容量,国内外的价格等市场现状。随着MLCC产量的迅猛增长,水热合成法的地位,将日显重要。

    2005年12期 55-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 651K]
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  • 埋入式电阻的热特性研究

    陈清远;容锦泉;

    通过对电阻的热功率、表面积的分析,研究了PCB板中的埋入式电阻的热特性,给出了PCB板中埋入式电阻的温升的解析表达式。计算了埋入式电阻在PCB板中的不同位置的温升情况,详细讨论了多个埋入式电阻的温升与单个电阻温升的关系,得到了计算具有多个埋入式电阻的PCB板的温升的方法。在设计PCB板时,大功率埋入式电阻应安排在板的中部,埋入式电阻的相互距离要分散并远离PCB板表面。

    2005年12期 61-63页 [查看摘要][在线阅读][下载 495K]
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  • 阳极氧化铝薄膜厚度测试方法的研究

    李东栋;朱绪飞;孟大伟;肖迎红;

    通过自制的铝电解电容器模型,利用氧化铝薄膜具有的介电性能,通过电容量法可以准确快捷地计算氧化膜的厚度,并通过显微直接观察法、电解电量法、伏安法进行了验证。得到如下结论:所用铝条样品天然氧化膜的厚度约为8.0nm;在H3PO4溶液中形成的氧化膜厚度随氧化时间变化为50~80nm;阻档层生成率1.219。

    2005年12期 64-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 571K]
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  • 《电子元件与材料》索引

    <正>~~

    2005年12期 68-72页 [查看摘要][在线阅读][下载 385K]
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