刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • BST薄膜的残余应力分析

    尹开锯,杨传仁,冷文建,廖家轩,符春林,张继华,陈宏伟,姬洪

    采用射频磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜,利用气氛炉对薄膜进行晶化处理,晶化后薄膜的应力采用XRD表征。研究其残余应力随晶化温度变化的趋势。结果表明:在550,650,700℃晶化后的BST薄膜宏观残余应力表现为压应力,且随着晶化温度的升高,呈线性变大。

    2005年11期 [查看摘要][在线阅读][下载 768k]
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  • 国内外高压电解电容器用铝箔的性能比较

    杨宏,毛卫民,钮震霖

    利用XRD、SIMS、SEM、电化学腐蚀等方法,对高压铝电解电容器用铝箔(原箔)进行了比较分析。结果表明,国产铝箔在微量元素设计和杂质控制,立方织构占有率(95%以上)方面已达到国外同类产品的先进技术水平,但在加工质量、表面状态和微量元素的分布控制方面与国外同类产品存在差距,同时提出了国产高压铝电解电容器用铝箔的技术改进方向。

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  • 多层片式ZnO压敏电阻器内电极材料研究

    钟明峰,苏达根,庄严

    把三种不同钯银比例的浆料用作多层片式ZnO压敏电阻器(MLCV)的内电极材料,并研究了它们对MLCV电性能的影响。结果表明:含钯内电极材料的压敏电阻的电性能,明显优于纯银内电极的压敏电阻。压敏电阻的限制电压与压敏电压比(Vc/V1mA)及漏电流(IL)随着钯含量的升高而减小;非线性系数(α)、峰值电流(Ip)及能量耐量(ET),随着钯含量的升高而提高。分析认为,随着内电极材料中Ag含量的升高,Ag+的扩散增加,导致晶粒电阻增加,即施主浓度(Nd)减少,势垒高度(■)升高,致使MLCV的电性能劣化。

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  • In_2O_3纳米粉体的制备及其气敏性能研究

    牛新书,仲皓想

    以In2(SO4)3为原料,通过sol-gel法制备了立方晶系的In2O3粉体。利用X射线衍射仪、透射电镜对材料的组成、晶粒的大小、结构进行了表征。结果表明,产物为平均粒径30 nm左右的圆球形颗粒。将前驱体分别在不同温度下进行热处理,对其气敏性能研究发现,900℃热处理的元件,在工作温度245℃时,对50×10–6 Cl2表现出较好的灵敏度(1.5×104)和选择性。600℃热处理的元件,在工作温度245℃时,对50×10–6 NO2的灵敏度高达2.5×105。最后,对其气敏机理进行了分析。

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  • 水热合成钛酸铋纳米粉体的研究

    夏傲,苗鸿雁,李永强

    采用Bi(NO3)3.5H2O和TiCl4的混合物为前驱物,以KOH为矿化剂,在高压釜内经不同温度和时间的水热处理,获得了晶粒完整的Bi4Ti3O12粉体。借助XRD、SEM及TEM对Bi4Ti3O12的晶相组成、粒度、形貌进行了分析。研究结果表明:随水热温度的提高及时间的延长,晶体发育越完整,粒度越大;当温度为240℃,反应时间为4 h时,Bi4Ti3O12为短轴在30 nm左右,长轴大于100 nm的矩形片状晶体。

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  • 高性能铌酸钾钠无铅压电陶瓷研制

    臧国忠,王矜奉,明保全,亓鹏,杜鹃,郑立梅,盖志刚

    用常规氧化物固溶方法制备了无铅压电铌酸盐((Na0.5K0.5)1-xLixSbyNb1-yO3)陶瓷。实验结果表明,Li+和Sb5+的引入提高了陶瓷的压电性能。在一定配比范围内(Li和Sb在10%摩尔分数以内),材料为斜方、四方相共存的钙钛矿结构,材料的压电常数d33在270 pC/N以上,机电耦合系数kp、kt、k33分别达到49×10–2、43×10–2、64×10–2。介质损耗tgδ小于2.0×10_2,居里温度tC高达375℃。

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  • 混合型超级电容器的封装结构及其温度场研究

    张莉,宋金岩,邹积岩

    利用有限元分析方法模拟了内部温度场的分布;分析了不同的封装结构对混合型超级电容器传热过程的影响。结果表明:当沿着轴向和径向的传热比例达到平衡时,内部温度场分布均匀,散热效果最佳。以此为依据,结合电气性能参数,进一步确定了混合型超级电容器封装的最佳形式为三个单元。

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  • 双电层电容器用酚醛树脂基活性炭的制备

    张琳,刘洪波,李步广,何月德,周应和

    以酚醛树脂为原料,KOH为活化剂制备双电层电容器用高比表面积活性炭电极材料。考察了工艺因素对活性炭比电容的影响,探讨了酚醛树脂基高比表面积活性炭作双电层电容器电极的电化学特性。结果表明,在固化温度为150℃、炭化温度为700℃,ζ(碱/炭)为4,活化温度为800℃时,制得的高比表面积活性炭双电极比电容可达74.2 F/g。

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  • 纳米金属及无机材料的绿色合成

    季学来,陶杰,邓杰,石峰,潘峰,陆鹏

    高聚物模板是用来合成纳米材料的重要方法之一,但在制备纳米材料的过程中,这些高聚物往往难以被大自然所降解。而淀粉类生物多糖物质来源广泛,并具有很好的生物降解性和相容性,以淀粉类生物多糖为模板合成纳米材料已经引起了广泛的重视。现报道以淀粉类生物多糖作为模板,来引导纳米金属及无机材料合成的最新研究进展。

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  • 纳米SnO_2粉体的制备与掺杂研究

    樊亮,彭同江,段涛

    利用液相沉淀法制备了一系列掺杂型SnO2纳米粉体,晶粒度小于20 nm。研究了Ni2+、Co2+、Cu2+掺杂对SnO2粉体物相结构、晶化行为及晶粒度的影响。分析认为,各SnO2粉体样品都属于金红石结构,掺杂离子以类质同象方式进入SnO2晶格,对SnO2晶胞参数、结晶度、晶粒度等方面产生影响,其中Ni2+和Cu2+的掺入影响较大,可对SnO2晶粒生长有明显的抑制作用,大大降低其晶粒度。

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  • N~+注入ZnO薄膜表面性质的变化

    王海燕,段启亮,陈泳生,靳瑞敏,杨仕娥,卢景霄

    用直流反应磁控溅射法制备ZnO薄膜,将N+注入ZnO薄膜经快速热退火(RTA)后,通过XRD,AFM,UV-VIS-NIR分光光度计等比较了N+注入后ZnO薄膜的电阻率、导电类型、表面形貌和可见光透过率等的变化。经不同条件处理后的ZnO薄膜均具有相同的择优取向(002)。经RTA后颗粒普遍增大;N+注入后经RTA颗粒增大明显,最大有1μm。N+注入后,使ZnO膜的导电类型由原来的n型转变为弱p型。

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  • sol-gel法制备GaN纳米棒的研究

    吴玉新,薛成山,庄惠照,田德恒,刘亦安,张晓凯,艾玉杰,孙莉莉,王福学

    采用简单、有效的sol-gel法在1 000℃时通过氧化镓凝胶和氨气反应成功合成了GaN纳米棒。XRD和SAED的测试结果表明,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构。用TEM观察发现,大部分GaN纳米棒平直而光滑,直径为200 nm~1.8μm,最长的纳米棒达几十微米。室温下光致发光谱的测试发现了较强的355.6 nm处的紫外发光峰和445.9 nm处的蓝色发光峰。

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  • 掺杂Y_2O_3对BaSrTiO_3介质瓷性能的影响

    曲远方,李远亮,刘超,韩风龙,李小燕

    以碳酸钡、碳酸锶和二氧化钛等为原料,Y2O3为掺杂剂,制得了BaSrTiO3系介质瓷。用Automatic LCR Meter 4225测试了1 kHz条件下试样的电容量C和介质损耗因数D,并测试了–30~+125℃试样的C和tgδ,得到了试样相对介电常数εr及εr和tgδ随温度的变化曲线。结果表明,在室温下,试样的相对介电常数最大值εr max不小于5 500,tgδ的最小值不大于16×10–4。

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  • 钛酸锶钡陶瓷中的吸收电流

    王卫林

    用常规固相反应法制备了Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)陶瓷样品。用时域方法,测得样品的快效应介电常数εrH=672.5,慢效应介电常数εrL=1.183×104。结果表明,样品的极化过程中慢效应起着主要作用。研究了样品在正弦外电压作用下通过的电流,发现它主要是不遵从RLC电路方程的慢极化效应所提供的吸收电流,其幅值与位移电流的幅值相近。这时的复介电常数的意义成为存在争议的复杂问题。

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  • 掺杂BNT对SrTiO_3陶瓷介电性能的影响

    曲远方,刘超,李远亮,韩凤龙,李晓燕

    采用碳酸锶、氧化铋、二氧化钛、碳酸钠为原料,制备了SrTiO3系介质陶瓷。研究了BNT(钛酸铋钠)加入量对SrTiO3系陶瓷的εr、tgδ的影响,以及εr和tgδ随温度的变化。结果发现,室温下SrTiO3系陶瓷的εr随着BNT加入量的增加而逐渐提高,达到一定峰值后又逐渐下降,其最高可以达到4 300。

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  • 新型Sn-Ag-Cu-Cr无铅焊料合金的研究

    张富文,刘静,杨福宝,胡强,贺会军,朱学新,徐骏,石力开

    对新型Sn-Ag-Cu-Cr无铅焊料进行了熔点、力学性能、润湿性能等的测试,并从微观方面分析了Cr对Sn-Ag-Cu系无铅焊料的作用规律机理。结果表明:Cr的加入对材料力学性能的影响较为显著,当Cr含量(质量分数)在0.1%左右时可提高焊料的各项力学性能指标,而当含量过高后,又将降低材料的强度,提高脆性,Cr含量少于0.5%时,对焊料的熔点影响较小,而Cr的加入对焊料的铺展性能却有降低作用。

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  • Co掺杂对BST薄膜介电性能的影响

    高丽娜,杨晓静,张良莹,姚熹

    用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了掺Co的钛酸锶钡(BST)薄膜,研究了Co的掺杂量x(Co)对BST薄膜的晶相结构和电学性能的影响。结果表明:随着x(Co)的增加,BST薄膜的介电常数εr,介质损耗tgδ和漏电流密度JL均降低;当x(Co)为5%时,BST薄膜的εr、tgδ、JL、可调性和品质因子分别为:228.3、0.013、3.69×10–7 A/cm2、15.4%、12.03。

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  • QFN封装元件组装工艺技术研究

    鲜飞

    QFN是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴的表面贴装芯片封装技术。由于底部中央的大暴露焊盘被焊接到PCB的散热焊盘上,这使得QFN具有极佳的电和热性能。QFN封装尺寸较小,有许多专门的焊接注意事项。介绍了QFN的特点、分类、工艺要点和返修。

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  • 多芯片组件热阻技术研究

    邱宝军,何小琦

    在传统单芯片封装热阻定义的基础上,针对多芯片组件(MCM)传统热阻表示方法的不足,基于线性叠加原理,采用有限元模拟技术,提出了MCM的结到壳的热阻表示方法——热阻矩阵,并利用有限元模拟方法对热阻矩阵进行了验证。结果表明,采用热阻矩阵方法预测器件结温的误差小于2%。

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  • 综合信息

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  • 多芯片组件技术应用实例

    徐晨,孙海燕,王强

    给出了一个基于硅基板的6芯片MCM设计实例。设计中对散热、耐压及抗干扰等进行了优化,使用Zeni EDA工具进行MCM布局、硅基板的版图设计。该MCM经上海市集成电路设计研究中心测试,温升小于10℃、耐压达到70 V。

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  • 介电常数对介质谐振器调频工作效率的影响

    曹良足,陈刚,胡鸿豪

    当介质材料的εr一定时,谐振器的频率与其高度成反比。通过试验发现:当谐振器的频率相同时,采用低εr的介质材料,可以降低研磨加工所需的精度要求,从而提高调频的工作效率。采用εr=40介质材料制成1 500 MHz的谐振器,当高度误差为±0.01 mm时,频率误差小于3 MHz;如果采用εr=90的材料,则超过5 MHz。

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  • 铝电解电容器用低压箔接触电阻超标分析

    洪涛,王兰东,董晓红

    通过金相分析和铝箔铆接后的接触电阻对比,研究了铝箔的腐蚀形貌、铝箔表面粉状物、氧化膜厚度、引线质量、铆接工序控制等对接触电阻的影响。提出了降低接触电阻的几点建议:①采用多级变频复合腐蚀工艺,以得到“乔木状”的蚀孔。②改进处理工艺,减少粉状物的产生。③调整工艺控制条件,改善腐蚀形貌。

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