刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 磁控溅射生长Cu/Si薄膜

    毛旭,刘宇,张伟,张福学

    用溅射方法在Si(111)上生长Cu/Si,Ti/Si,Cu/Ti/Si薄膜。用XRD,红外吸收光谱,台阶仪对薄膜进行分析和测量。结果表明:在150℃溅射生长出的Cu/Ti/Si薄膜的缓冲层为硅化物TiSi2(311);Cu薄膜的主要成分是晶粒大小为17nm的Cu(111);Cu/Ti/Si(111)平均厚度为462nm,粗糙度为薄膜厚度的3%。在以TiSi2薄膜为缓冲层的Si(111)衬底上生长出的Cu薄膜抗氧化性较强、薄膜均匀性和致密性较好。

    2005年10期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 690k]
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  • 柔版显示器件用TiO_2粉体的制备与性能

    伍媛婷,王秀峰,王列松,程冰

    以硫酸钛为原料,通过Pechini溶胶-凝胶法制备柔版显示器件用TiO2粉体。SEM和AFM结果表明,以去离子水和无水乙醇混合液为溶剂制备的TiO2粉体为完整的实心球形颗粒,颗粒表面非常光滑,分散性比较好,粒径约为300nm。XRD与TG-DTA结果显示,制得的Pechini凝胶经过煅烧,在500℃时开始出现锐钛矿相TiO2,800℃由锐钛矿相向金红石相转变,900℃转变完全。

    2005年10期 4-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 756k]
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  • 编读通信

    2005年10期 7-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 501k]
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  • 金属/SiO_2/Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的J-V特性

    李建军,王耘波,郭冬云,王龙海,高峻雄,于军

    采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜。测试了其在直流电场下流过铁电薄膜的漏导电流J-V特性。测量结果显示正向漏电流明显小于负向漏电流。并讨论了金属–铁电薄膜所形成的整流接触特性,以及金属/SiO2/Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜系统在不同电压范围(0~±6V)的导电机制。

    2005年10期 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 608k]
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  • Bi_2O_3和V_2O_5复合掺杂BaTi_4O_9微波介质陶瓷

    凌栋,徐国跃,蔡绍

    研究了多元掺杂对BaTi4O9微波介质陶瓷的烧结和介电性能的影响。通过单独添加烧结助剂Bi2O3和V2O5以及复合添加Bi2O3、V2O5来降低烧结温度,并且保持较好的微波介电性能。实验结果表明,当复合添加Bi2O3和V2O5各0.5%(质量分数)烧结温度为1160℃时,BaTi4O9微波介质陶瓷在2.5GHz下:εr为40.1,tgδ为6×10–4,τf为64×10–6℃–1,保持了良好的介电性能。

    2005年10期 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 692k]
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  • 中高压铝电解电容器用电极箔腐蚀工艺研究

    黄新民,丁厚福,张金武,王跃,任鑫

    采用硫酸-盐酸腐蚀体系研究了中高压铝电解电容器电极箔多段腐蚀方法。通过三段腐蚀工艺和二段腐蚀工艺的比较,发现多段腐蚀能提高铝箔表面小孔成核率,减少腐蚀介质对氧化膜的进一步腐蚀,有利于小孔向纵深发展。三段腐蚀工艺制备的电极箔表面孔尺寸为0.6~1.0μm,孔深34~36μm,比容高达2.5×10–6F/cm2。

    2005年10期 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 807k]
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  • 综合信息

    2005年10期 16-19+35-60+64页 [查看摘要][在线阅读][下载 897k]
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  • 前驱物性质对PMN-PT弛豫铁电薄膜制备的影响

    王歆,庄志强,陆裕东

    以无机盐为原料,柠檬酸和EDTA为复合螯合剂,乙二醇为溶剂制备PMN-PT弛豫铁电薄膜,研究了复合金属有机盐前驱物的性质对薄膜结构和成膜质量的影响。结果表明:成膜的前驱物最佳浓度为0.35~0.40mol/L;苯甲酸添加剂参与溶胶的聚合,有利于钙钛矿结构相的形成。获得了均匀连续的近全钙钛矿结构相(≥99%)PMN-PT弛豫铁电薄膜。

    2005年10期 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 697k]
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  • 固化工艺参数对导电胶导电性的影响

    刘运吉,杨道国,秦连城,张旭,李宇君

    用四点探针法的原理设计了一种测试导电胶电阻的新方法。研究了固化温度、时间及导电胶层厚度对导电胶固化后导电性的影响。结果表明:夹具经预热导电胶,在80~140℃固化较好;未预热时在110~150℃固化较好,但固化时间较长;随着导电胶层厚度增加,固化时间和固化后的最低电阻都有一定的增大;最佳的固化效果是固化到电阻变化很微小时停止固化。

    2005年10期 20-22+26页 [查看摘要][在线阅读][下载 695k]
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  • 复合无机粘结剂对钌酸铋/银基厚膜电阻性能影响

    郑晓慧,堵永国,张为军,芦玉峰,唐珍兰

    采用钙铝硅玻璃和硼硅酸铅玻璃组成的复合体系作为无机粘结剂制备厚膜电阻浆料,研究复合无机粘结剂对厚膜电阻各性能的影响。结果表明,二组元在复合体系中体积分数的改变影响钌酸铅“过渡层”的存在状态和无机粘结剂中晶相和玻璃相的比例,使厚膜电阻的方阻和电阻温度系数随之变化,当二组元体积分数均为50%时,制备的电阻膜性能稳定,重烧变化率为2.7%。

    2005年10期 23-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 650k]
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  • 掺钕钛酸铋铁电陶瓷靶的研制

    王宁章,李兴教

    用添加晶种的方法制备了掺钕钛酸铋(BNT)铁电陶瓷靶材。通过XRD及SEM研究了烧结工艺对铁电陶瓷BNT晶相结构的影响,用RT66型铁电测试仪测定铁电材料BNT的电滞回线。结果表明,采用在800℃预烧、保温2h,1100℃烧结、保温12h的烧成工艺,所得的BNT铁电陶瓷具有良好的c轴取向,具有较好电滞回线(Pr-Ec)。在应用电压为5V,测试频率为1MHz下,BNT铁电陶瓷的剩余极化强度(Pr)及矫顽场强(Ec)可分别达到2.2×10–6C/cm2和5×103V/cm。

    2005年10期 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 696k]
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  • 纳米复合ZnO粉体烧结过程晶粒生长的分析

    侯清健,徐国跃,凌栋,魏静

    根据ZnO晶粒生长动力学方程,确定了晶粒生长的动力学指数和激活能,研究了纳米复合ZnO粉体的烧结过程以及烧结过程中的晶粒生长规律。实验结果表明:由纳米复合ZnO粉体制备的陶瓷,其晶粒生长动力学指数n为3,激活能Q为(185±26)kJ/mol。与微米粉体相比,纳米复合ZnO粉体的晶粒生长动力学指数和激活能都比较小,因此液相烧结的温度低,晶粒生长速度加快。

    2005年10期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 697k]
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  • 多糖绿色合成纳米氧化锌的研究

    陆鹏,陆红霞,李世涛,邓少高,曹洁明

    利用一种高分子多糖——葡聚糖作为稳定剂和软模板,通过一条绿色途径合成了粒径为70nm左右的纳米氧化锌,发现其在380nm处有一个强烈的吸收峰。通过SEM,TEM等测试手段,研究了葡聚糖分子以及热处理对纳米氧化锌形貌和粒径的影响,并探讨了纳米氧化锌的形成机理。此种方法也可拓展到其它纳米氧化物的合成领域。

    2005年10期 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 784k]
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  • sol-gel法制备表面改性纳米氧化锌

    刘桂香,徐光亮,罗庆平

    采用Zn(NO3)2.6H2O和NH3.H2O及合适的表面改性剂,通过sol-gel前驱体法,制备了高纯度的纳米ZnO粉体。采用激光粒度分析、SEM、XRD等手段,对所制备的粉体进行了表征。并研究了主盐浓度、反应温度、反应体系的pH值、表面改性剂等因素对ZnO晶体形成过程和显微结构的影响。结果表明:在Zn2+浓度为0.1mol/L、反应体系温度为50℃、pH值为6.0,采用聚乙二醇(PEG-2000)作为表面改性剂,将制得的前驱体在400℃分解2h,获得了纯度高、分散性好、结晶完整、粒度分布窄、粒状的纳米ZnO粉体。

    2005年10期 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 572k]
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  • 纳米SnO_2的制备及其酒敏性能研究

    娄向东,王晓兵,刘淑萍,贾晓华,梁慧君

    以SnCl4为原料的化学共沉淀法、sol-gel法和以金属Sn粒为原料的溶解–热解法分别制备出纳米SnO2粉体。采用TG-DTA、XRD、TEM等手段对其进行表征,静态配气法测试SnO2的酒敏性能。结果表明:采用溶解–热解法制备的SnO2粒径小于10nm,在210℃的工作温度下,对0.005%的乙醇具有160倍的高灵敏度,响应恢复时间仅1s的优良特点。讨论了影响材料气敏性能的因素。

    2005年10期 39-41+44页 [查看摘要][在线阅读][下载 766k]
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  • ZnO压敏电阻器性能的改进

    宋建军,曹全喜,李智敏

    为了提高ZnO压敏电阻器的性能,采用共沉淀法制得含五种添加剂的复合添加剂。用该复合添加剂、ZnO、Sb2O3及Al(NO3)3溶液混合球磨后的粉体制成氧化锌压敏电阻器。通过TEM和粒度测试,分析了复合添加剂的尺寸和微观结构,并对电阻器的性能进行了测试。结果表明:采用化学共沉淀方法制备的复合添加剂粉体粒径小,活性大。用该添加剂制备的氧化锌压敏电阻器的通流能力,较传统工艺提高35%,其漏电流约为0.1μA,非线性系数为53。

    2005年10期 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 620k]
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  • 双施主掺杂对高居里点PTC陶瓷性能的影响

    郝永德,钟海波,熊眩,龚树萍

    在分别研究了Nb5+、Y3+掺杂对高温PTC陶瓷性能的影响后,得出结果:Y3+既可作为施主,又可起受主作用,还可以提高升阻比;Nb5+主要是起施主作用,但可以抑制Pb的挥发。为了能够使高温PTC陶瓷整体性能提高,因此结合Nb5+、Y3+各自的优点,用正交法对高温PTC陶瓷进行了双施主掺杂配方的试验,优选了最佳配方:Nb5+应该控制在0.06~0.08之间,Y3+控制在0.08~0.12之间较好。

    2005年10期 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 618k]
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  • B位Sn~(4+)取代铌锌酸钡陶瓷及其介电性能

    石锋,吴顺华,王宇新

    向铌锌酸钡中添加适量的锡酸钡,使Sn4+取代B位的Zn以改善其介电性能。锡酸钡为立方钙钛矿结构,正值温度系数τC约为+190×10–6℃–1。锡离子的引入会增大钙钛矿晶胞中B位阳离子的平均半径,致使氧八面体阴阳离子间的空隙减小,降低晶格的非简谐相互作用,造成衰减因子γ减小,tgδ降低。当锡酸钡添加量(摩尔分数)为0.226或0.32时,其τC接近于0,τf位于(–5~0)×10–6℃–1。

    2005年10期 48-49+55页 [查看摘要][在线阅读][下载 693k]
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  • 异质材料共烧匹配性调制在LTCC领域的研究进展

    崔学民,周济,王悦辉,缪春林,沈建红

    针对LTCC技术的特点,深入分析了LTCC中异质材料共烧匹配性的关键技术及其难点,研究后提出:通过调整粉体粒度,调整流延配比中有机物的含量、调节烧结制度、插入中间层,以及适量掺杂烧结助剂等方法对异质材料的共烧匹配性进行合理有效地调制,最终获得共烧界面结合完好,复合功能满足应用要求的多层结构及功能器件。

    2005年10期 50-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 714k]
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  • BGA封装锡球制备技术研究

    高德云,夏志东,雷永平,史耀武

    综合介绍了BGA封装使用锡球常用制造方法,分析了研究较多的均匀颗粒成型技术的原理。用均匀液滴法制备的BGA锡球颗粒具有真圆度高,表面质量好,颗粒粒度均匀等特点,能直接得到满足使用要求的锡球,生产效率远胜于传统生产技术。重点介绍均匀颗粒成型的几种实现方法及特点,其中AC-DC雾化法具有实现方式简单,成型优异的特点。

    2005年10期 56-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 769k]
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  • 双电层电容器电解质研究进展

    邓梅根,杨邦朝,张治安,胡永达

    双电层电容器(EDLC)的电解质对电容器的工作电压、内阻、功率特性和温度特性等具有十分重要的影响。EDLC电解质可以分为液体电解质和固体电解质。简介了EDLC电解质的特点和要求。分析了各种电解质的性能、研究了现状和发展趋势。今后很长一段时间内,EDLC电解质的发展方向是宽电位窗口、高电导率、宽使用温度范围和固体化。

    2005年10期 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 593k]
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  • 积极应对无铅化的挑战

    钟彩霞

    2005年10期 70页 [查看摘要][在线阅读][下载 90k]
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