刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 弛豫铁电陶瓷最佳退火条件的正交试验法

    云斯宁,王晓莉,曹文娟

    采用正交试验法,通过计算水平均值和极差,运用直观分析来确定因素的最佳水平组合和因素的主次顺序,寻求退火的最佳实验条件。根据最小二乘法原理,给出了测量数据真值的最佳估计值。采用正交试验法获得的最佳退火条件对Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-BaTiO3弛豫铁电陶瓷试样进行热处理,介电常数显著提高,最大增幅达137%,高于已有的报道130%[J.Appl.Phys.2002,92(5)]。实验结果表明:运用正交试验法进行退火是研究弛豫铁电陶瓷改性的一种有效途径。

    2005年09期 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 224k]
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  • 中温制备钛酸钕钙-钛酸钕锂系高介微波陶瓷

    郑兴华,陈湘明,梁柄亮

    将温度系数相反的钛酸钕钙(CNT)和钛酸钕锂(LNT)进行复合,中温下(1200℃)烧结获得了εr>100的CNT-LNT微波介质陶瓷。该陶瓷为斜方结构的CaTiO3基固溶体单相。介电常数随x增加先增加后减小,在x=0.5处最大。Q.f值和谐振频率温度系数随LNT含量增加而线性下降。中温下制备了性能良好的CNT-LNT系微波介质陶瓷,如x=0.6时微波性能为:εr=123.9,Q.f=1500GHz,τf=12.0×10–6℃–1。

    2005年09期 5-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 399k]
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  • 第六届光华工程科技奖提名工作已经开始

    2005年09期 7页 [查看摘要][在线阅读][下载 66k]
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  • 电子信息系统质量与可靠性学术研讨会于山西平遥召开

    2005年09期 7页 [查看摘要][在线阅读][下载 66k]
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  • sol-gel法制备BiLaFeO_3薄膜及其电性能

    刘红日

    用sol-gel方法在LaNiO3包覆的Si衬底上制备了(010)择优取向的BiFeO3以及Bi0.95La0.05FeO3薄膜,XRD分析结果表明,通过La的掺杂BiFeO3的择优取向度由77.0%增加到96.6%;铁电性的测试表明,通过La掺杂,使薄膜的介电性和铁电性得到了增强,剩余极化强度由0.15×10–6C/cm2增加到0.2×10–6C/cm2。

    2005年09期 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 235k]
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  • 元器件业:升值是一把双刃剑

    2005年09期 10页 [查看摘要][在线阅读][下载 180k]
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  • 软件业:压力巨大

    2005年09期 10页 [查看摘要][在线阅读][下载 180k]
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  • 镧掺杂钛酸铋钠钾系无铅压电陶瓷的制备工艺

    周川钧,喻佑华,尹雪帆,艾凡荣,丁银忠

    利用XRD、SEM等技术分析方法,研究了工艺条件对[(Na0.5Bi0.5)0.82(K0.5Bi0.5)0.18]1-xLaxTiO3(x=0~0.1)无铅压电陶瓷的物相组成、显微结构和压电性能的影响。结果表明:提高合成温度至870~900℃有利于主晶相的形成;在1130℃下烧结可得到高致密样品。同时研究了极化工艺条件对材料压电性能的影响:极化温度保持在80~100℃之间,极化电场强度为4MV/m可以得到较好的压电性能。

    2005年09期 11-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 436k]
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  • 人民币升值对家电业的影响

    2005年09期 15页 [查看摘要][在线阅读][下载 227k]
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  • 片式高压多层陶瓷电容器击穿问题的研究

    曾祥明,康雪雅,张明,赵根妹,周家伦

    根据实验数据分析了引起片式高压多层陶瓷电容器击穿的机理,结果表明:在静电场中节瘤的凸点电场强度,是电极平面节点电场强度的3倍;端头尖端电荷密度远大于周围电荷密度;空洞和分层中的空气在高压下电离,造成的介质变薄,是MLCC被击穿的重要原因。据此提出改进措施。通过提高膜和印叠质量控制电极厚度、排粘时间和升温速率、调整端浆比例等措施,控制相关因素,使高压产品的耐压性能提高1.5倍左右。

    2005年09期 16-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 463k]
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  • 单纯形法在电解液配方优化中的应用

    宋晔,朱绪飞,邱万里

    为了减少工作电解液的配方试验工作量,利用单纯形法对高含水率(48%,质量分数)电解液进行试验设计。选择己二酸(A)、磷酸二氢铵(B)、水合抑制剂(C)和吸氢剂(D)等四种溶质为考察因素,采用均匀设计法构成初始单纯形。结果表明,单纯形法能明显降低试验工作量,通过较少的试验即可获得最佳配方。所得到的优化电解液,可以通过105℃,1500h电容器储存寿命试验。

    2005年09期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 377k]
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  • NiSnO_3纳米粉体的常温固相合成及其气敏特性

    傅军,何平,董名友

    以镍盐、四氯化锡及NaOH为原料,在常温条件下采用固–固相化学反应法制备钙钛矿型复合氧化物NiSnO3粉体。并用X射线粉末衍射(XRD),透射电镜(TEM)等对其进行表征。结果表明:产物基本上是NiSnO3,平均晶粒为60nm左右。将样品制成旁热式气敏元件测试其气敏特征,结果表明:在290℃时对乙醇有较高灵敏度,但对H2和LPG灵敏度较低,且其响应恢复特性较好。

    2005年09期 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 207k]
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  • 钇掺杂纳米α-Fe_2O3_的合成及气敏性能研究

    陈思顺,陈新华,丁明洁,牛新书

    采用柠檬酸sol-gel法制备了不同掺杂量的Y2O3-Fe2O3(w(Y2O3)=0~7%)纳米粉体材料,并用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,并进行了气敏性能测试。研究发现:掺杂适量Y2O3可抑制α-Fe2O3晶粒的生长,提高粉体材料的气敏性能,其中掺杂量为5%的烧结型气敏元件在160℃的较低温度条件下,对汽油有较高的灵敏度,较好的选择性及响应–恢复特性,且线性检测范围较宽。

    2005年09期 25-27+29页 [查看摘要][在线阅读][下载 475k]
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  • 片式ZnO压敏电阻烧端工艺对限制电压比的影响

    唐斌,祝忠勇,赖扬,伍尚国

    通过对烧端工艺中不同烧端温度以及保温时间的试验,研究了它们对片式ZnO压敏电阻器限制电压比的影响。结果表明:当烧端温度为850℃,保温时间15min时,产品的限制电压比最小。

    2005年09期 28-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 218k]
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  • 高磁导率800材料的研究

    祝忠勇,陈志华,王勇军,陈婕

    高磁导率800铁氧体是制作高感量叠层片式电感器的关键材料,以NiCuZn体系为基础,通过选取缺铁量配方,调节n(Ni)∶n(Zn)及添加适量CuO、Bi203等方法,研制出了结构致密、晶粒大小在1~3μm,烧结温区宽(865~895℃),起始磁导率μi达到800±10%,能与Ag内电极匹配共烧的高磁导率铁氧体材料。

    2005年09期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 393k]
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  • 智能微尘

    钱默抒,熊克

    2005年09期 32页 [查看摘要][在线阅读][下载 275k]
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  • 锑掺杂二氧化钛的制备及其可见光催化性能

    李思平,邓昭平

    用草酸氧钛酸分解法制备了锑掺杂的二氧化钛光催化剂粉体。用XRD和TEM测定了样品的晶型、粒度等表征参数。结果表明:所制备的掺杂TiO2光催化剂为金红石型TiO2和锐钛矿型TiO2的混晶,颗粒直径在100nm左右。在可见光下,用锑掺杂量为0.2%(摩尔分数)、900℃煅烧保温0.5h后的TiO2降解6h后,甲胺磷的无机磷回收率达到96.4%。

    2005年09期 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 297k]
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  • 第六届海峡两岸青年科学家学术研讨会在京召开

    2005年09期 35页 [查看摘要][在线阅读][下载 238k]
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  • SiC薄膜的制备及其对气氛的响应研究

    赵武,张志勇,吴铁柱,王雪文,邓周虎,戴琨

    在CH4,H2,SiH4混合气体中用热丝化学气相沉积(HFCVD)法生长SiC薄膜。利用XRD、原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌和晶体结构进行测试分析,结果表明,薄膜的确是SiC,其厚度为310nm。对该薄膜在较高温度(250℃)下进行气敏特性测试,发现其对乙醇、乙醚有较好的敏感特性。进一步研究表明,不同的薄膜制备工艺条件对薄膜的气敏特性有一定的影响,其中H2流量,掺杂(N2)浓度对薄膜气敏特性影响较大。

    2005年09期 36-38+41页 [查看摘要][在线阅读][下载 519k]
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  • ITO薄膜的制备及其光电特性研究

    辛荣生,林钰

    采用直流磁控溅射法,分别用ITO陶瓷靶、In-Sn合金靶,在玻璃基片上镀膜。研究ITO透明导电膜其膜厚、靶材、溅射气压和溅射速率等工艺对光电特性的影响。结果表明,采用陶瓷靶镀膜要比合金靶效果好,膜厚70nm以上、溅射气压0.45Pa和溅射速率23nm/min左右为最佳工艺条件,并得到了ITO薄膜电阻率1.8×10–4Ω.cm、可见光透过率80%以上。

    2005年09期 39-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 271k]
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  • 压电陶瓷微进给机构直流高压电源研制

    杨涛,胡助理

    针对压电陶瓷微进给机构所需,使用了较少的元器件,设计与制作了连续可调的直流高压电源0~530V。电路设计的核心部分由两个直接耦合的高耐压三极管组成放大电路。分别做了开环与闭环的实验,进行了比较,运用闭环补偿的电路,稳定性与线性度明显优于开环电路。

    2005年09期 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 219k]
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  • AlN基板表面处理对薄膜附着力的影响

    刘刚,王从香,符鹏

    用扫描电镜和X射线能谱分析仪研究高温氧化及薄膜工艺过程中主要溶液对氮化铝陶瓷(AlN)基板的影响。结果表明:高温氧化使表面氧含量增加,在1000℃氧化2h,表面已形成致密的氧化层。碱性溶液清洗和去离子水煮会使表面产生多孔的疏松化合物。采用高温氧化、酸性清洗、溅射前加强离子轰击等措施,磁控溅射TiCu,其薄膜膜层附着力不低于15MPa。

    2005年09期 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 577k]
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  • 添加微量高熔点金属对无铅焊料性能的影响

    王文海,王珺,唐兴勇,肖斐,俞宏坤

    研究了在SnAgCu、SnAgBi、SnZn三个系列无铅焊料中添加质量分数为0.1%的高熔点金属(Ni、Co、Fe)对其熔融特性、力学基本性能和浸润性的影响。结果表明,添加微量高熔点金属对焊料的熔融特性影响小于2%。添加微量Ni能明显改善SnAgCu系和SnZn系焊料的力学性能,并能使SnAgBi系焊料在铜表面的接触角降低约10%~14%。添加微量Co或Fe后的新焊料仅少部分性能指标有所提高,而部分性能参数则严重下降。

    2005年09期 48-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 237k]
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  • 改变我国多晶硅严重短缺局面迫在眉睫

    2005年09期 51页 [查看摘要][在线阅读][下载 132k]
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  • 铝基板阳极氧化成膜温度与膜层结构

    杨克涛,傅仁利

    对铝基板在草酸体系下阳极氧化成膜温度进行了研究,发现膜的起始破坏温度为32.5℃,而与草酸电解液的浓度关系不大。通过XRD、SEM对膜层进行了分析,并测试了膜层的绝缘性能。结果表明:氧化膜层是以非晶态形式存在的,膜表面存在直径80nm左右的针状物,形成Al(OH)3水合物。较高溶液温度下,草酸的溶解作用加剧了膜层断面开裂、膜质疏松等缺陷,严重影响着膜层的绝缘性能,温度不超过32.5℃,能得到均匀、致密的膜层。

    2005年09期 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 256k]
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  • 2005年1~6月电子信息产品经济运行中存在的问题

    2005年09期 54页 [查看摘要][在线阅读][下载 214k]
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  • PA-Cap在滤波电路中的应用研究

    王杰,徐友龙,屈秀文

    以微机开关电源的滤波电路(工作频率为64.5kHz)来研究PA-Cap(片式聚合物铝固体电容器)在实际电路中的应用情况。实验发现用实测容量28.6μF的PA-Cap代替实测容量为960μF的液体铝电解电容器,可以得到同样的滤波效果;甚至可以用60μF的PA-Cap代替原电路中的960μF的电容和350μH的电感也得到同样的滤波效果。如果用片式二氧化锰钽电解电容,则分别需要127μF和192μF。其主要原因是采用高电导率的聚合物作阴极的PA-Cap具有优异的阻抗频率特性。

    2005年09期 55-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 228k]
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  • 微连接焊点可靠性的研究现状

    杨洁,张柯柯,周旭东,程光辉,满华

    从焊点的形态预测、焊点应力应变过程的数值模拟以及其热疲劳寿命预测等三个方面对近年来国内外在微连接焊点可靠性方面的研究进行了综述,指出探索多因素作用下焊点三维形态的通用性预测模型、研究更为精确的物理模拟方法及在此基础上的数值模拟和对新型无铅钎料的可靠性进行研究将是未来的发展方向。

    2005年09期 58-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 158k]
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  • 被动元件、PCB行业:处于弱市

    2005年09期 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 106k]
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  • 氧化锌压敏电阻器的失效模式

    王茂华,胡克鳌,张南法

    在生产和应用中,氧化锌压敏电阻器经常出现的几种失效模式为:与电极层相关的失效,平均功率过应力失效与受潮失效。通过对这些失效现象的进一步分析和研究,掌握了产生这些现象的机理和规律,并可以增加压敏电阻的电极层厚度,降低其电阻;对于34mm×34mm的SPD用电阻片,可用In为15kA作为标称放电电流;受潮失效后的压敏电阻,不会导致电路故障,通过侧面绝缘处理,可防止受潮失效。

    2005年09期 62-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 260k]
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  • 我国电话用户突破7亿户 上网用户突破1亿户

    2005年09期 64页 [查看摘要][在线阅读][下载 211k]
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  • 薄膜声体波谐振器(FBAR)的研究进展

    王德苗,金浩,董树荣

    综述了国内外FBAR技术的研究现状和进展。分析了基于空气腔和布拉格反射层两种主流FBAR的结构、工作原理和建模方法。阐述了适用于FBAR的压电薄膜材料、电极材料以及布拉格反射层材料的选择。并介绍了作为FBAR主要应用的射频滤波器和双工器的拓扑结构和设计方法,以及制备FBAR器件时需克服的关键技术等问题。

    2005年09期 65-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 270k]
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