- 张伟,朴林华,林宇,张福学
研究了气体摆式水平姿态传感器的工作原理、结构、信号获取电路及补偿技术。采用铂电阻丝作为热源,在密闭腔中使气体产生自然对流,用硬件电路和数字化软件补偿技术提取载体姿态信号并进行处理。研制出测量范围为±45°,非线性度小于1%FS,分辨率小于0.01°的气体摆式水平姿态传感器。
2005年08期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 390k] [下载次数：131 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：71 ] - 张富春,邓周虎,阎军锋,允江妮,张志勇
计算了Ga、Al、In掺杂ZnO体系电子结构,分析了掺杂对ZnO晶体的结构、能带、电子态密度、差分电荷分布的影响。所有计算,都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。计算结果表明:在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子(Ga:2.57×1021cm–3;Al:2.58×1021cm–3;In:2.53×1021cm–3),明显提高了体系的电导率。同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料。
2005年08期 4-7+10页 [查看摘要][在线阅读][下载 889k] [下载次数：1152 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：40 ] |[阅读次数：91 ] - 陈金菊,蒋美连,冯哲圣,杨邦朝
用水解沉积-阳极氧化法制备高介电常数的Al-Ti复合氧化膜,研究了含钛无机盐溶液的浓度、温度、pH值处理时间,以及退火温度对Al-Ti复合氧化膜比容增长率的影响。结果表明,铝腐蚀箔在浓度为0.002mol/L、pH1.5的含钛无机盐溶液中,65℃浸渍处理10min,取出并烘干后的样品,550℃热处理10min,所制得的Al-Ti复合氧化膜比容最大。35V阳极氧化电压下,比容提高率大于30%。
2005年08期 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 339k] [下载次数：134 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：123 ] - 苏未安,刘鹏,边小兵
用固相反应法制备了一系列铌锑酸镁(Sb含量x≤2)陶瓷,研究了该陶瓷的烧结性能、物相结构和微波介电性能。结果表明,当x≤1.6时,铌锑酸镁形成了连续固溶体,少量Sb5+对Nb5+的取代(0.4≤x≤0.8),使得陶瓷最佳烧结温度从1400℃降到1300℃,而材料εr和Q·f值没有降低。1300℃,5h烧结的铌锑酸镁陶瓷具有优异的微波介电性能:εr为11.61,Q·f为169820GHz,τf为–54.4×10–6℃–1。
2005年08期 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 398k] [下载次数：150 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：100 ] - 2005年08期 13-16+34-48+59-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 1395k] [下载次数：24 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：40 ]
- 熊胜虎,杨荣春,吴丹菁,郑东风,田民波
从导电性角度考查银粉颗粒形貌和粒径大小对导电胶电阻率的影响。用不同形貌和不同平均粒径的银粉,按相同配方制成导电胶,比较其体电阻率。结果发现不同形貌的银粉体系的电阻率存在数量级上的差异;填充片状银粉的体系电阻率与银粉平均粒径成反比,在5~12μm内,平均粒径越大电阻率越低。
2005年08期 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 507k] [下载次数：996 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：70 ] |[阅读次数：140 ] - 杨华荣,堵永国,张为军,李刚,高蓉,宁文敏
为提高不锈钢基厚膜电阻浆料的重烧稳定性,采用丝网印刷、高温烧成等厚膜工艺制备了不锈钢基厚膜电阻,研究和分析了烧成膜厚度对方阻、电阻温度系数和重烧稳定性的影响规律和机理。结果表明,随着膜厚的增加,厚膜的方阻减小,电阻温度系数略有增大;当烧成Ag-Pd膜厚约为12μm时,厚膜电阻的重烧稳定性最佳,其方阻重烧变化率小于3%。
2005年08期 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 329k] [下载次数：252 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：115 ] - 毛旭,陈长青,周祯来,杨宇,吴兴惠
用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析。结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)衬底上生长出立方碳化硅(β-SiC)薄膜。并且薄膜材料的结晶度随着衬底温度的升高而改善。
2005年08期 20-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 413k] [下载次数：602 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：99 ] - 朱乐平,曹全喜,徐林海
研究了不同LiOH掺杂量和烧结温度对环形钛酸锶元件电性能的影响。实验结果表明,随着LiOH含量的增加,压敏电压先降低,后升高,在x(LiOH)为4.5%时,电压呈现最低值;同时,烧结温度也是影响电性能的重要因素之一,1400℃是电性能发生明显变化的转折点。借助SEM对样品进行了观察和分析,发现LiOH主要是通过影响晶界的行为来控制元件宏观的电性能。
2005年08期 23-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 324k] [下载次数：88 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：91 ] - 江涛,黄莉莉,江丽君
鉴于气氛炉设备昂贵,笔者提出用非气氛炉烧结SrTiO3基环形压敏电阻器。并研制了与之相匹配的SrTiO3基环形压敏电阻器双功能(电容–压敏)瓷料。采用电子陶瓷常规设备(箱式炉或隧道炉)与工艺技术,制备了电性能符合标准要求的SrTiO3基环形压敏电阻器产品:V10mA=3.0~30.0V,α=3~9,C=15.0~140nF。结果表明:非气氛炉烧结技术,具有成本低、易操作、效率高的优点。
2005年08期 26-27+30页 [查看摘要][在线阅读][下载 408k] [下载次数：113 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：93 ] - 连红,侯后琴
用射频磁控反应溅射法在Si基片上沉积SnO2超微粒薄膜,借集成电路技术制成气敏元件,并用RQ—1型气敏特性测试仪在动态配气系统中测试其气敏特性。结果表明:烧结体SnO2元件的气敏效应出现在300℃以上,而该元件的气敏效应则出现在90℃以下,有利于降低功耗;在80~90℃时,该元件对H2的灵敏度比C2H5OH和CH4高出2~3个数量级,对CO和LPG几乎不敏感。因此可用作在低温条件下工作的薄膜化、集成化、高性能的H2传感器。
2005年08期 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 339k] [下载次数：104 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：107 ] - 凌志远,邱文辉,王科
Sb2O3掺入量(均为质量分数)<1.9%时,晶体结构为纯钙钛矿相,平均晶粒尺寸随掺入量增大由17μm减小至2μm,压电活性逐渐增强;Sb2O3掺入量>1.9%时,为钙钛矿与焦绿石两相复合结构,随Sb2O3掺入量增加,平均晶粒尺寸保持稳定,压电活性减弱;Sb2O3掺入量为1.9%～2.0%处,压电活性最强。主要性能指标:εr为1925,tgδ为2.35×10–2,d33为440pC/N,kp为64%,Qm为70,tC为300℃。
2005年08期 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 807k] [下载次数：473 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：42 ] |[阅读次数：97 ] - 朱嘉林,魏益群,李业隆
利用0—3型PZT/P(VDF-TFE)压电复合材料设计制作了切向极化圆柱形水听器,并对水听器的灵敏度进行了理论分析,通过对样机的测试,灵敏度与理论计算值接近。理论研究和实验结果表明,使用0—3型压电复合材料可以研制出高灵敏度[–190.2dB(ref.1V/μPa)],的切向极化圆柱形水听器,而且制作工艺简单。
2005年08期 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 346k] [下载次数：259 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：85 ] - 薛荣生,郭露村
将纳米Al2O3引入半导化钛酸钡的材料中,着重研究了纳米Al2O3对其烧成温度、材料性能以及显微结构的影响。实验表明,与普通Al2O3相比,纳米Al2O3能显著提高PTC陶瓷的性能:温度系数增大60%,常温电阻降低20%,耐压增大13%,升阻比增大近1个数量级。并对纳米Al2O3增强PTC效应机理进行了探讨。
2005年08期 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 502k] [下载次数：156 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：111 ] - 靳锐敏,卢景霄,扬仕娥,王海燕,李瑞,冯团辉,段启亮
为研究温度对固相晶化的影响,用玻璃作衬底,在不同温度下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把在室温、350℃和450℃下沉积的样品,在600℃和850℃下退火3h,把前后样品用拉曼光谱和扫描电镜分析,发现二次晶化后的晶化效果比直接沉积的薄膜好,850℃下退火的薄膜比600℃好。在450℃下沉积、850℃退火3h,SEM观察,表面最大晶粒尺寸为900nm左右。
2005年08期 41-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 256k] [下载次数：277 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：118 ] - 成鹏飞,李盛涛
为了确定Bi系MLCV的最佳烧结温度。借助于SEM直接观察、内电极间不同位置处的能谱分析及高斯扩散公式的拟合,研究了内电极的扩散过程,并测量了内电极扩散对MLCV电气性能的影响。发现烧结温度高于1040℃时,内电极的扩散较显著;Ag和Pd沿晶界扩散的扩散系数相同,约10–11cm2/s。以Ag/Pd为内电极的MLCV的最佳烧结温度为1000℃左右,在该温度下烧结的试样其非线性指数可达28。
2005年08期 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 379k] [下载次数：146 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：73 ] - 张丽伟,卢景霄,段启亮,王海燕,李瑞,靳锐敏,王红娟,张宇翔
用XRD测试仪、分光光度计、四探针等测试仪器,探讨了制备气氛、退火温度和退火环境对AZO薄膜光电性能及结构的影响。结果表明:氧气和氩气的体积流量比为2∶1时,薄膜透光率最高(95.33%);退火有利于薄膜结晶;低于400℃退火时,温度越高薄膜电阻越小,超过400℃后,真空中退火温度再升高电阻变化不大,而空气中退火温度再升高电阻反而变大。
2005年08期 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 318k] [下载次数：508 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：21 ] |[阅读次数：106 ] - 周健,孙扬善,薛烽
采用气泡最大压力法对Sn-9Zn-XBi焊料进行了表面张力测试,用平衡法测试焊料的润湿性。结果表明:Bi的添加大大降低了Sn-Zn系焊料熔体的表面张力;然而焊料暴露在空气环境下1min后,表面形成ZnO导致其表面张力增大;Bi的增加提高了焊料在铜片上的润湿力,缩短了润湿时间;Sn-9Zn-XBi焊料润湿力仍低于Sn-40Pb,其原因是焊料–铜界面能偏高。
2005年08期 49-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 314k] [下载次数：706 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：36 ] |[阅读次数：78 ] - 蒋美连,冯哲圣,陈金菊,杨邦朝
分析了氧化铝的水合作用机理、不同pH介质溶液中氧化铝的表面性能以及阳极氧化形成过程中水合氧化物的生成。结果表明:耐水合剂与氧化铝表面作用应形成一定的特征,才能起到很好的耐水合作用,不同类型的耐水合剂,其耐水合机理也不同。介绍了国内外有关氧化铝耐水合处理的研究现状和发展趋势,并提出了有待改善现行耐水合处理试剂、工艺和测试方法的问题。
2005年08期 53-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 271k] [下载次数：256 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：10 ] |[阅读次数：145 ] - 崔婧怡,马莒生,王广龙
介绍了纳米结构制作的一种新方法——微接触印刷术的工艺流程和关键技术,并简要分析了影响微印刷技术的几个因素。它克服了传统光刻技术的缺陷,能在金、银、硅片等多种基材上制作平面和曲面上的纳米–微米量级的精细结构。精确重复,工艺简单,对实验室条件要求不高,加工成本低,生产效率高。
2005年08期 56-59页 [查看摘要][在线阅读][下载 343k] [下载次数：742 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：13 ] |[阅读次数：86 ] - 齐坤,赖永雄,李基森
研究了铜电极端浆以及不同的烧端工艺对MLCC耐焊接热的影响。结果表明:选择粒径小且均匀的片状铜粉,可提高MLCC端头的致密性,提升其耐焊接热能力;选用Zn-B-Si作为玻璃体系,对片容的耐焊接热具有明显的改善作用;在端头不被氧化的前提下,烧端工序充足的氧含量对改善耐焊接热具有积极作用。通过以上改进,在实际生产中RSH失效率已由改进前的100×10–6以上降到了5×10–6以下。
2005年08期 60-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 497k] [下载次数：254 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：119 ] - 左文全
导针型铝电解电容器的开路现象主要是因为裂箔、钉接不良、钉接花瓣小、正箔表面箔灰厚及原箔腐蚀太深而造成。假性短路的现象主要是跑片、抽芯、钉花毛刺、导针毛刺、铝箔边缘毛刺、芯子高低脚等原因而造成。只要加强工艺的控制、选用适当的材料可以杜绝铝电解电容器的开路和假性短路现象的发生。
2005年08期 63-65页 [查看摘要][在线阅读][下载 265k] [下载次数：154 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：79 ] 下载本期数据