刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • Sr引起的(Co,Ta)掺杂SnO_2压敏陶瓷的晶粒尺寸效应(英文)

    王矜奉,陈洪存,苏文斌,臧国忠,王春明

    研究了SrCO3对(Co,Ta)掺杂的SnO2压敏陶瓷的微观结构和电学性质的影响。当x(SrCO3)从0增加到2.5%,该SnO2压敏陶瓷的压敏临界电场强度从318V/mm猛增到3624V/mm,而相对介电常数从1509大幅降至69。当x(SrCO3)为2.0%时,样品的压敏电场和非线性系数分别为2204V/mm和24;添加x(SrCO3)为2.5%的样品的压敏电场和非线性系数分别为3624V/mm和22。

    2005年07期 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 179k]
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  • sol-gel纳米晶二氧化锡薄膜的制备及表征

    闫军锋,王雪文,张志勇,赵丽丽,何崇斌

    以SnCl4为原料,采用sol-gel技术,应用间接成胶法,在玻璃片上制备了纳米晶SnO2薄膜及粉体,以其灵敏度、响应时间和工作温度作为评价气敏性能的标准,对制备工艺参数进行了优化,并用DSC-TG、XRD、AFM等手段对样品进行了表征。结果表明,水与乙醇体积比为3:1,草酸与四氯化锡摩尔比为0.3:1,在500℃下退火的薄膜表面平整,平均粒度在20nm左右,且相应的薄膜元件对丙酮蒸气具有良好的选择性和较高的灵敏度、较短的响应时间和较低的工作温度(≈190℃)。

    2005年07期 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 559k]
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  • 多工位PTCR电流–时间特性测试系统的研制

    周东祥,孙义,赵俊,罗为

    基于PCI总线的数据采集卡,研制出了多工位PTCR元件电流–时间特性测试系统。它能同时对10个工位的PTCR元件的启动时间、峰值电流、残余电流、恢复时间、消耗功率等多个参数进行测量。系统测试方便,测量精度高,最大测试误差<1%,在实际应用中得到企业用户的好评。

    2005年07期 9-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 182k]
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  • 退火温度对纳米TiO_2薄膜微结构的影响

    胡晓云,李婷,张德恺,白晋涛,侯洵

    利用XRD、IR、UV-VIS、AFM、XPS等手段,研究了退火温度对溶胶–凝胶法制备的纳米TiO2薄膜微结构和表面形貌的影响。450~600℃退火处理的薄膜呈锐钛矿和金红石型混晶结构,700℃退火后为纯金红石相;水峰的吸收峰消失在300~500℃之间,至500℃有机基团完全消失,薄膜表面主要有C,Ti,O三种元素;改变退火温度,可以使薄膜的禁带宽度在3.26~3.58eV之间变化,可以在一定范围内,获得不同折射率的TiO2纳米薄膜;薄膜的表面粗糙度(RMS)为2~3nm。

    2005年07期 12-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 330k]
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  • 综合信息

    2005年07期 16-20+49-52+55-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 1196k]
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  • Ni/BaTiO_3陶瓷复合材料的制备及其PTC效应

    李晓雷,曲远方,冯亚青,马卫兵,郑占申

    为获得低室温电阻率的PTC材料,以草酸为沉淀剂,采用液相包裹法制备了NiC2O4·2H2O/BaTiO3前躯体,并由其热分解制得Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料。对该复合材料的研究表明,在还原气氛下烧成的Ni/BaTiO3基陶瓷复合材料具有很弱的PTC效应,但其PTC效应可通过适当的热处理工艺(600℃,空气气氛)得到有效恢复。其升阻比与室温电阻率为:(ρmax/ρmin=60)和(ρ=6.1?·cm)。

    2005年07期 17-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 468k]
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  • Ni/Cu电极MLCC烧成工艺的研究

    赖永雄,唐浩,李基森

    通过各项工艺对比实验,研究了烧成工艺参数对成品性能的影响。给出了最佳工艺参数:烧结温度为1280~1300℃,保温2h,用N2/H2/H2O的混合气控制P(O2)为10–8~10–10MPa,回火温度900~1100℃,保温2~5h,回火气氛氧含量(5~50)×10–6;1000℃以上的升降温速率控制在2~4℃/min。在此工艺条件下,选用合适的烧炉,可以得到性能合格的Ni/Cu电极MLCC。

    2005年07期 21-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 458k]
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  • 还原气氛烧成Y5V瓷粉的结构与介电性能

    王森,张跃,纪箴,黄运华,顾友松,周成

    运用SEM和XRD等手段,研究了掺杂对Y5V钛酸钡陶瓷材料结构和性能的影响。SEM和能谱的研究结果表明:掺杂促进了材料的烧结,Nd5+聚集在晶界的位置,形成针状的晶粒。XRD结果表明,掺杂材料中有新相形成,掺杂组分能够促进钛酸钡材料居里点向低温方向移动,并促进介温曲线平滑。还发现,由于还原气氛烧结,材料中电导损耗增加导致介质损耗上升。

    2005年07期 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 616k]
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  • 低温共烧片式多层带通滤波器仿真优化及制备

    邹佳丽,张启龙,杨辉,陆德龙

    采用AnsoftHFSS电磁场模拟仿真软件,对LTCC多层带通滤波器制备过程中的介质材料与工艺偏差进行模拟仿真,并与实际器件测试结果对比。研制的片式多层带通滤波器的偏差的允许范围是:微波介质陶瓷材料介电常数误差±2%,而品质因数由于本身较高,在一定范围内对滤波器的性能影响不大;工艺上应控制流延生瓷片厚度±1.5μm、叠层/切割误差±50μm,工艺中的分层缺陷则导致器件性能劣化,中心频率严重偏移。

    2005年07期 29-31+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 602k]
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  • 长寿命铝电解电容器用高压阳极箔的特性

    严季新,张台华,卫美华,张传超,王建中,徐国萍

    为了提高大型铝电解电容器的使用寿命,电极箔生产过程采用四级化成、多级处理、加入添加剂的方法,提高氧化膜的致密性,减少漏电流。做成400V,6800×10–6F/cm2的铝电解电容器,经过90℃,5000h的高温寿命试验,其各项参数依然良好,分别为ΔC/C<1.99%,tgδ<9.27×10–2,IL<2100μA。

    2005年07期 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 336k]
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  • SiO_2掺杂对PMS-PZT陶瓷结构和电性能的影响

    范桂芬,吕文中,汪小红,杨桁

    对Pb0.98Sr0.02(Mn1/3Sb2/3)0.1Zr0.47Ti0.43O3(简称PMS-PZT)+w(SiO2)(0≤w≤0.6%)三元系压电陶瓷材料的微观结构和电性能进行了研究。XRD图谱表明室温下该材料为钙钛矿结构,并随SiO2掺杂物的加入材料由四方相向三方相转变。实验结果表明:当w(SiO2)为0.1%时,在1300℃,1h条件下烧结,能获得较好的综合性能:εr为1642,tgδ为0.0043,kp为0.57,Qm为1553,d33为325pC·N–1,可以满足压电电动机和压电变压器等高功率应用方面的要求。

    2005年07期 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 561k]
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  • 添加剂对CaTiO_3陶瓷性能的影响

    朱海奎,刘敏,周洪庆

    研究了Nb2O5、La2O3、ZnO、NiO的加入对CaTiO3陶瓷的烧结和介电性能的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明:选择合适种类和数量的添加剂能够降低CaTiO3烧结温度并能在1260~1300℃之间烧结,该材料的温度系数为–1000×10–6℃–1,在10kHz~20MHz的相对介电常数为175、介质损耗为10–4,是一种理想的高频热补偿电容器材料。

    2005年07期 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 408k]
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  • BNT铁电薄膜电容的制备及其特性研究

    王宁章,李兴教

    用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4–xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x=0.80时,薄膜具有最大的剩余极化(Pr),在应用电压为10V时,Pr及Ec分别达到27×10–6C/cm2和70×103V/cm。在1MHz时,Au/BNT/p-Si(100)电容在读/写开关次数达到1010后表现出较好的抗疲劳特性。

    2005年07期 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 348k]
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  • 金属/BAS微晶玻璃复合基板的制备与性能研究

    杨娟,堵永国,张传禹,郑晓慧

    制备了与0Cr18Ni9不锈钢热膨胀相匹配的Ba-Al-Si系微晶玻璃,利用流延法将玻璃制成生瓷带。在不锈钢板表面生瓷带经温压烧结后形成金属/微晶玻璃复合基板。电气性能测试结果,介质层厚度>73.5μm时,击穿电压>1.28kV,泄漏电流<0.05mA;微晶玻璃膨胀系数为10×10–6/℃。

    2005年07期 44-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 339k]
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  • 衬底温度对反应磁控溅射制备AlN压电薄膜的影响

    王忠良,刘桥

    采用反应磁控溅射法在Si(111)衬底上沉积了AlN薄膜。XRD分析表明,在5种温度下,AlN均以(100)面取向,衬底温度的提高有利于薄膜结晶性的改善,在600℃以上时AlN中Al—N0键断裂,仅出现(100)衍射峰。AFM分析显示,在600℃时平均晶粒尺寸90nm,Z轴最高突起仅为23nm。

    2005年07期 47-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 586k]
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  • Al_2O_3-SiC复相微波衰减材料的性能研究

    方勇,李晓云,丘泰

    采用热压烧结工艺制备了Al2O3-SiC复相微波衰减材料。通过网络分析仪,研究了SiC含量对材料的微波衰减性能的影响。结果表明,当w(SiC)<3%,复相材料具有选频衰减的频谱曲线,谐振峰位置基本不变;当w(SiC)为3%~16%,材料的谐振损耗峰向低频方向移动;当w(SiC)>16%时,材料呈现出宽频衰减特性。对复相材料的微波衰减机理作了初步探讨,弛豫损耗和电导损耗是其主要的衰减机理。

    2005年07期 50-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 436k]
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  • 微复合技术制备超细CaSiO_3导电粉

    杨国兴,刘剑虹,刘立佳

    用sol-gel法粉体技术和化学镀膜技术的微观复合,在溶液中得到超细CaSiO3导电粉。讨论了醛基溶液浓度、溶液pH值对导电粉性能的影响,确定了导电粉制备的工艺条件为:n(CaSiO3粉体)∶n(Tollen试剂)=1∶1,且pH=9。用SEM/EDS对粉体形貌和元素组成进行表征和分析,得出CaSiO3导电粉体粒径为30~50μm,体积电阻率在10–6?·m以下。

    2005年07期 53-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 386k]
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  • Au/(Si/SiO_2)/p-Si结构中电流输运机制的研究

    张开彪,马书懿

    用射频磁控溅射法制备了Si/SiO2薄膜,利用Au/(Si/SiO2)/p-Si结构的I-V特性曲线对其输运机制进行了分析。结果表明,在较高的正向电场下,载流子主要是以电场协助隧穿(Fowler-Nordheim隧穿)方式通过氧化层,而在低场范围内和反向电场下,电流的产生则以热电子发射的方式为主。

    2005年07期 56-57+60页 [查看摘要][在线阅读][下载 578k]
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  • 溅射工艺参数对BST薄膜介电常数的影响

    林明通,肖田,楼均辉,陈国荣,杨云霞

    采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基片上制备了约700nm的Ba0.5Sr0.5Ti03(BST)薄膜。研究了溅射功率、气压、ψ[O2/(Ar+O2)]比和基片温度对εr的影响,获得各种溅射条件下的薄膜的εr为250~310。提出了较优的工艺,即本底真空1.5×10–3Pa、靶基距6.2cm、功率300W、气压1.8Pa、ψ[O2/(Ar+O2)]为30%和衬底温度500℃,并研究了薄膜的晶相、组成和形貌。

    2005年07期 58-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 413k]
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  • 电子元器件的贮存可靠性及评价技术

    杨丹,恩云飞,黄云

    综述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,分析了元器件贮存失效模式及原因,表明减少元器件自身缺陷、改善固有可靠性是提高其贮存可靠性的关键。并从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析。

    2005年07期 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 495k]
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  • 紫外光照下金属氧化物薄膜气敏特性研究进展

    孙建平,惠春,徐爱兰,刘宏伟

    介绍了近期文献中对紫外光照下半导体金属氧化物薄膜气敏特性的研究结果:紫外光照引起SnO2,In2O3,ZnO薄膜电导显著增大;提高室温下薄膜对CO,NO2气体检测的灵敏度,减少响应和恢复时间;介绍了一种对紫外光增强气敏机制的物理模型分析方法。最后讨论了当前存在的难点问题(室温下气体检测的灵敏度不高及使用紫外光源不便)及未来研究方向(借改变薄膜的制备方法、工艺条件、优化金属氧化物薄膜的结构;通过掺杂复合改变薄膜的成分以及寻找禁带宽度窄的半导体材料等)。

    2005年07期 65-68页 [查看摘要][在线阅读][下载 350k]
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  • 多功能性氨基蒽醌聚合物的合成及其电子元件

    李虎,黄美荣,李新贵

    总结了氨基蒽醌聚合物的合成方法,讨论了氨基蒽醌聚合物的特异电性能,重点论述了氨基蒽醌聚合物在研制电子元件如二次电池、超电容器、修饰电极等方面的应用。特别指出氨基蒽醌聚合物在电导性、电催化增敏性、储能性等方面都表现出优于无机物和其它导电聚合物的特性,是一种很有发展潜力的新型电子聚合物材料。

    2005年07期 69-73页 [查看摘要][在线阅读][下载 392k]
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