刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • SiO_2:nm-Ag的制备及其结构特性

    杜金会,于振瑞,张加友,李正群,王妍妍

    采用溶胶–凝胶法制备了掺纳米银的二氧化硅(SiO2:nm-Ag)微粉,并探讨其形成机理。用TG-DTA、XRD和TEM研究了微粉的结构特性及其影响因素。结果表明,通过控制制备条件和退火温度可以得到不同结构的SiO2:nm-Ag微粉。干凝胶研磨后在500℃退火,得到的微粉中SiO2主要以非晶硅藻土形式出现,银簇细小而均匀;在900℃退火时得到的微粉中,SiO2主要以低温方石英形式出现,银簇较大且分散。

    2005年06期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 203k]
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  • 基于聚亚苯基分子器件的二进制减法器

    赵虎,许进,林兆骥

    为了在分子电路水平实现减法运算,按照固态电子学组合逻辑原理,提出了一种基于聚亚苯基分子器件的二进制减法器(包括半减器和全减器)逻辑电路的设计。这种单分子电路是用聚亚苯基分子逻辑门的分子结构代替组合逻辑中非门、与门和XOR门,再用Tour分子线作为框架,同时考虑有机分子的形状和连接产生的几何和空间排列的约束条件,用Hartree-Fock(HF)从头算方法优化得到,其结构尺寸是传统固态电子电路的百万分之一。这种分子减法器电路的实现对分子电子学发展有重要的意义。

    2005年06期 4-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 114k]
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  • 适用多层压电降压变压器的改性钛酸鉛研究

    仇杰,周桃生

    为了获得适用于厚度振动模式的低温共烧多层压电降压变压器材料,采用A、B位取代及添加低共熔物,研制了组成为(Pb0.98–xCaxCd0.02)(Ti1–yMny)O3+1%(质量分数)Bi4Ti3O12+z%SiO2的改性压电陶瓷。当钙离子取代25%离子,锰离子取代2%钛离子,并在体系中添加0.08%(质量分数)SiO2时,该材料表现出良好的压电和介电性能。在1000℃烧结时,kt为0.48,kp为0.032,Qm为450,tgδ为1×10–2,为172,居里温度tC为320℃。

    2005年06期 9-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 422k]
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  • 综合信息

    2005年06期 11-14+23-32+41页 [查看摘要][在线阅读][下载 647k]
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  • MoO_3掺杂对BiNbO_4陶瓷微波介电性能的影响

    毛羽,丁士华,张良莹,姚熹

    采用固相反应法,研究了MoO3掺杂对BiNbO4陶瓷微结构、烧结特性和微波介电性能的影响。对相对介电常数εr和品质因数Q随烧结温度的变化以及谐振频率温度系数随MoO3掺杂量的变化也进行了研究。MoO3的掺杂量x低于0.05时,实现了BiNbO4陶瓷在970℃以下的低温烧结,并且相转变温度也降低了约60℃。通过对εr以及介质损耗随温度的变化特性的研究,证实了缺陷偶极子对材料介电性能的影响。

    2005年06期 12-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 493k]
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  • BST薄膜的膜厚与铁电性能关系研究

    陈宏伟,杨传仁,符春林,高志强,赵莉

    采用射频磁控溅射法制备了Ba.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了不同膜厚的BST薄膜的介电偏压特性曲线和电滞回线。结果表明,当膜厚从250nm增加到650nm时,BST薄膜的εr、εr的电压变化率和最大极化强度分别从195,9%,4.7×10–6C/cm2逐渐增加到1543,19%,30×10–6C/cm2,而矫顽场强随膜厚的变化较复杂。进一步分析发现,膜厚通过影响矫顽场强和最大极化强度进而影响铁电薄膜的电压非线性。

    2005年06期 15-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 413k]
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  • 镍钴酸锂的空气气氛下高温固相合成

    郭红兵,康雪雅,王天雕,韩英

    通过改进马弗炉结构,在空气气氛下合成了LiNi0.7Co0.3O2锂离子二次电池正极材料。利用XRD、SEM和循环充放电测试等手段,研究了材料结构与电化学性能之间的关系。实验电池以C/3的电流倍率在2.7~4.2V进行恒流充放电循环,电池首次充电比容量与放电比容量分别为181mAh/g和157mAh/g,库仑效率为86.7%。经过15次循环后,放电比容量趋于稳定,库仑效率保持在98%以上。循环40次,放电比容量为122mAh/g。

    2005年06期 18-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 482k]
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  • p型单晶硅涂源掺锰新方法

    崔志明,巴维真,陈朝阳,蔡志军,丛秀云

    研究了扩散源的浓度与掺杂后硅材料补偿度之间的关系。以MnCl2·4H2O乙醇溶液为扩散源,涂在初始电阻率为3.8?·cm的p型单晶硅片表面,在高温(1200℃)下掺杂锰后,在室温避光条件下,用SDY—5型双电测四探针仪测样品电阻率ρ。改变扩散源的浓度重复实验,用XRD对扩散后的样品进行分析,结果表明:当硅片表面浓度为23.4×10–8mol/cm2时,扩散后样品体电阻率的径向不均匀度在5%以内,扩散后硅片的补偿度最大。

    2005年06期 21-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 441k]
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  • Zn掺杂n型硅材料的补偿研究

    蔡志军,巴维真,陈朝阳,崔志明,丛秀云

    为了获得不同补偿度的硅材料,采用高温气相扩散的方法,在n型硅中掺杂深能级杂质Zn,得到各种电阻率(在25℃下)的补偿硅。实验表明,对具有不同初始电阻率的硅材料,扩散后电阻率随扩散温度和杂质投入量的不同都有较大变化,而且随杂质投入量的增加,电阻率都有一个急剧变化的转折点。

    2005年06期 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 374k]
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  • 电极对PTC热敏电阻老化性能的影响

    晏伯武,张海波,林汝湛,姜胜林,周东祥

    为探究电极因素对PTC热敏电阻老化性能的影响,分别对烧渗Al电极,烧渗Ag-Zn电极和烧渗Ni电极等三种类型的PTC热敏电阻元件进行了老化试验。结果显示:烧渗Ag-Zn电极的元件有较好的老化性能,阻值变化率?R/R≈–4%,电流冲击失效率≈0。从材料热力学和电极的电化学两方面,对该老化特性进行了分析,表明材料热膨胀失配和电极电化学不稳定性,是电极影响元件老化性能的两大因素。

    2005年06期 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 418k]
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  • 铁铜铌硅硼非晶磁粉芯性能研究

    李长全,朱正吼,宋晖,徐玉华

    采用聚乙烯醇做粘结剂,制备了Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶磁粉芯。并用XRD、SEM等手段对其进行了表征。还对其磁性能进行了研究,结果表明:μ值随着粉体粒度的减小而减小,随着压力增大而增大;磁粉的粒径变小,粉芯的Bm值上升,Hc值增大;随着压力增大,粉芯的Bm值上升,Hc值则呈下降趋势。粉体粒度的变化对Q值影响不大。磁粉芯的中心频率为10MHz,其最大Q值为20。软磁粉芯在10MHz左右高频范围内,具有较好的应用价值。

    2005年06期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 345k]
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  • 纳米氧化锰电极在中性水系电解液中的电容特性

    杨邦朝,张治安,邓梅根,胡永达,汪斌华

    利用液相共沉淀法制备纳米氧化锰。用XRD和SEM进行了材料表征。以泡沫镍作集流体,以KCl、Na2SO4和K2SO4为电解液,通过循环伏安法,研究了不同的电位窗口、扫描速度和浓度对氧化锰电极电容特性的影响。结果表明,样品为无定形的α-MnO2·nH2O,粒径为40~50nm。氧化锰电极在Na2SO4和K2SO4电解液中具有良好的稳定性,在0.5mol/LK2SO4溶液中,–0.2~0.8V(vsSCE)的电位窗口内,具有良好的电容行为,比容量高达143.7F/g。

    2005年06期 33-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 522k]
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  • 快离子导体作填料的PEO基聚合物电解质

    庞明杰,王严杰,王利,潘颐

    为了获得更高的离子电导率,用快离子导体和PEO(聚环氧乙烷)复合制备聚合物电解质。将PEO、LiClO4和Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3按r(EO/Li)=8经过溶液浇铸法制备得到复合聚合物电解质膜。用差热分析(DSC)和电化学阻抗法(EI)测试,发现在维持r(EO/Li)=8恒定条件下,复合膜的电导率在w(Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3)为15%时达到最大值,373K和298K时分别为1.378×10–3S/cm和1.387×10–5S/cm。

    2005年06期 37-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 495k]
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  • 氮掺杂对a-C:F薄膜表面形貌和键结构的影响

    刘雄飞,周昕,高金定

    用射频等离子体增强化学气相沉积设备制备了氮掺杂a-C:F(氟化非晶碳)薄膜,研究了不同氮源流量比对薄膜表面形貌和键结构的影响。AFM观察结果发现:随氮流量的增加,薄膜表面粗糙度降低,颗粒粒径变小,薄膜更加均匀致密。Raman光谱分析表明:氮源流量的增加会引起薄膜内sp2键态含量增加,即芳香环式结构比例上升,当r(N2/(CF4+CH4+N2))为68%时,ID/IG由未掺N2时的1.591增至4.847,薄膜的热稳定性增强。

    2005年06期 42-43+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 358k]
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  • 基于Pspice的热释电红外探测器设计探讨

    王芳,李蕾,蒋国平

    介绍了热释电红外探测器的结构及工作原理,由热释电效应推导出了热释电电流及电压响应表达式,利用仿真软件Pspice分析了热释电探测器等效电路模型,并在红外专用芯片BISS0001不可重复触发工作方式下给出了探测器的实用电路。

    2005年06期 44-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 203k]
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  • ZnO-TiO_2系微波介质陶瓷的相结构及研究进展

    刘向春,谢述锋,陈晓龙,高峰,李光耀,王春娟,田长生

    对ZnO-TiO2体系相结构进行了分析,并从制备工艺、掺杂改性和低温烧结三个方面综述了ZnO-TiO2系微波介质陶瓷的研究进展,提出ZnO-TiO2系微波介质陶瓷的主要发展方向:①掺杂金属阳离子改性;②采用物理方法(包括半化学法)降低颗粒半径,在提高反应活性的基础上,掺杂适量助烧剂,实现陶瓷的低温烧结。

    2005年06期 47-50+66页 [查看摘要][在线阅读][下载 495k]
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  • 压电变压器外围电路的最新研究进展

    余厉阳,王德苗,董树荣

    压电变压器的外围电路也应突出无电磁污染、易小型化等特点,详细介绍了外围驱动电路和反馈控制电路。列举并分析了不同驱动电路和反馈控制电路的设计原理和工作特点,并对未来外围电路的发展做了简单的预测。

    2005年06期 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 211k]
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  • 银粉及电子浆料产品的现状及趋势

    赵德强,马立斌,杨君,张春雷

    阐述了国内外银粉、电子浆料产品的技术现状和发展趋势。国内的相关产品存在技术落后、产品规模小,研发力量投入不足、技术力量薄弱。国外产品科技含量较高,产品大多达到规模化生产、产品逐渐向高性能、低成本方向发展。不断增长的市场需求及国外公司建厂于中国,对尚在发展中的银粉、电子浆料企业带来前所未有的机遇和挑战。

    2005年06期 54-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 71k]
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  • 水性粘合剂在电子陶瓷流延成型中的应用

    曹秀华,姚卿敏

    总结了水性粘合剂的种类,分散形态,及其物理化学性质,如黏度、分子量、玻化温度等对电子陶瓷流延成型的影响,阐明了水性粘合剂对陶瓷浆料的稳定机理。从环保和MLCC高性能化的角度出发,指出采用水基流延的必然趋势,其重要研究方向在于提高水基流延的膜片强度。

    2005年06期 57-59+62页 [查看摘要][在线阅读][下载 429k]
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  • 影响直流高压MLCC表面放电的因素

    赖永雄,张尹,肖培义,李基森

    通过悬浮内电极排布、加大端头间距、使用自制专用表面整理剂对高压MLCC表面彻底清洁等工艺措施,对高压MLCC表面放电现象有很大改善,并显著提高了其耐电压性能。采用单悬浮电极排布、3.2mm端头间距,并用自制专用表面整理剂处理,制作1808规格、容量100pF、工作电压3000V的NP0特性MLCC产品,在6000V下没有表面放电现象,击穿电压在10000V以上。

    2005年06期 60-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 163k]
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  • 多晶硅微悬臂梁断裂的可靠性预测模型

    姜理利,唐洁影

    分析了多晶硅微悬臂梁断裂失效机理,利用威布尔分布理论建立了多晶硅微悬臂梁在轴向拉抻和垂直两种受力方式下的断裂可靠性预测模型,模型考虑了由于实际加工工艺所带来的残余应力因素,模型所得的预测曲线与实验数据比较吻合。

    2005年06期 63-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 388k]
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