刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 金红石型纳米TiO_2粉体的制备及其分散

    程冰,王秀峰,伍媛婷

    为使金红石型纳米TiO2在水溶液中良好稳定地分散,采用Ti(SO4)2水热合成法,在低温下制备了纳米TiO2粉体,并选取几种无机、有机分散剂对合成的TiO2在水中的分散行为进行了比较。XRD图谱显示,合成的TiO2为金红石型;TEM照片表明,TiO2颗粒粒径在100nm左右,且基本为球状颗粒;分散测试得出以质量比为1:1混合的三聚磷酸钠和1631作为复合分散剂具有最佳的分散效果,分散率在70%左右。

    2005年05期 1-4页 [查看摘要][在线阅读][下载 730k]
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  • 退火条件对FeSiCoB薄膜应力阻抗效应的影响

    谌贵辉,杨国宁,张万里,彭斌,蒋洪川

    为了提高FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的磁弹性能,利用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积制备薄膜样品,并在真空中退火。测试了不同温度退火后,薄膜样品的应力阻抗效应。结果表明,退火处理条件对薄膜的应力阻抗效应有较大的影响。在6.4kA·m–1磁场下,薄膜经300℃、40min退火处理后,单层FeCoSiB和多层FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的应力阻抗效应分别为1.86%和8.30%。

    2005年05期 5-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 752k]
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  • FeCuNbCrSiB薄膜的制备及其巨磁阻抗效应研究

    张亚民,陈吉安,周勇,丁文,王明军,高孝裕

    采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜。在频率(1~40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系。结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向GMI效应分别达–17.4%和–20.7%。薄膜材料的纵向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后减,而横向GMI效应随外加磁场的增加而单调递减,其变化规律与薄膜的易轴取向有很大关系。

    2005年05期 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 690k]
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  • 综合信息

    2005年05期 10-13+16-20+23-26+62页 [查看摘要][在线阅读][下载 889k]
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  • 二次热处理的SrTiO_3压敏陶瓷电性能的研究

    牛丽霞,周方桥,陈志雄,庄严

    采用逐层研磨及电测量的方法,对800~1050℃不同温度下,热处理的SrTiO3陶瓷电容–压敏元件的表面氧化层进行了研究。结果表明:该类元件存在明显的表面氧化层结构,且随着热处理温度升高,表面氧化层厚度增大,800~1000℃不同温度热处理的样品,其表面氧化层厚度为26~107μm;表面氧化层内扩散氧的浓度和晶界势垒的高度是由表及里逐渐减小的。

    2005年05期 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 712k]
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  • sol-gel法制备之纳米钡铁氧体微波性能的研究

    卓长平,张雄,李敏

    利用柠檬酸sol-gel法合成了六方晶系M型钡铁氧体,采用XRD、原子力显微镜对其晶型、粒径分布及显微结构进行了研究,利用网络分析仪对铁氧体的微波性能进行了分析,并分析了其改性思路。结果表明:实验制得粉体为纯净的M型钡铁氧体,其粒度在50nm左右,并且在4.5~5.5GHz范围内,具有良好的吸波性能。

    2005年05期 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 810k]
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  • 悬臂梁式硅微加速度计的研制

    单光宝,阮晓明,姚军,耿增建

    介绍一种悬臂梁式硅微加速度计的结构与工作原理,并利用ANSYS软件进行了仿真模拟。采用体硅“无掩膜”腐蚀技术,对设计出的敏感芯片进行了工艺试制。通过合理的设计,使挠性梁腐蚀区域侧面上产生(311)面,通过控制所产生的(311)面对(111)面的侵削作用,获得了所需结构。为提高灵敏度和线性,该加速度计采用静电力反馈闭环控制方式,检测与处理电路采用高精度双极线性电路工艺进行了工艺流片。利用多芯片组装工艺进行了敏感芯片与一次集成的检测和处理电路的混合封装。经测试硅微加速度计性能为量程±50g,分辨率3×10–3g,非线性<5×10–4,质量为9.6g。

    2005年05期 17-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 1114k]
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  • 切丝重熔法制备的BGA焊球及其表面形貌

    刘海霞,雷永平,夏志东,韩飞

    BGA及μBGA、CSP、MCM封装片及倒装片与基板的连接过程中,其关键与核心是钎料凸点的制作技术。制作这种凸点可以采用事先制作好的焊球,介绍了BGA焊球的实验室制备方法——切丝重熔法,用该方法可获得尺寸准确,表面质量较好的焊球。并对焊球颗粒的表面显微结构进行了分析。

    2005年05期 21-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 871k]
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  • PLD法生长硅基ZnO薄膜的特性

    何建廷,庄惠照,薛成山,王书运

    用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)平面上生长ZnO薄膜。XRD在2θ为34°处出现了唯一的衍射峰,半高宽仅0.85°;傅里叶红外吸收(FTIR)在413.08cm–1附近出现了对应Zn—O键的红外光谱的特征吸收峰;光致发光(PL)测量发现了位于330,368,417和467nm处的室温光致发光峰;SEM和TEM显示了薄膜的表面形貌以及结晶程度。ZnO单晶薄膜具有c轴取向高度一致的六方纤锌矿结构。

    2005年05期 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 689k]
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  • Sn-9Zn无铅电子钎料助焊剂研究

    金泉军,周浪,孙韡,严明明,丁岩

    Sn-9Zn共晶合金在一般松香助焊剂条件下润湿性较差。开发了一种新的改性松香助焊剂。用铺展面积测量和润湿天平两种手段,表征不同助焊剂条件下Sn-9Zn合金对铜的润湿性,用失重测量表征助焊剂对铜和焊料合金的腐蚀性。结果表明:在乙醇–松香中加入少量SnCl2作为助焊剂可大大改善Sn-9Zn对铜的润湿性,但对焊料合金有一定的腐蚀性。选择了一种具有较强活性的有机碱性缓蚀剂,含SnCl2的助焊剂中加入该缓蚀剂后可基本消除腐蚀作用,同时还改善了润湿性。

    2005年05期 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 695k]
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  • sol-gel法制备(002)高度定向的Li:ZnO薄膜

    刘龙春,朱兴文,陆液

    用sol-gel法在玻璃载玻片上旋涂3~9层制备氧化锌薄膜。用X射线衍射、扫描电镜等研究了掺Li、旋涂层数、溶胶的浓度以及热处理温度对氧化锌薄膜(002)定向性的影响。结果表明,溶胶中掺入一定量的Li可显著地促进ZnO沿(002)生长;浓度为0.45mol/L旋涂3层或浓度为0.25mol/L旋涂7层的样品,即使有Li的掺入也不能呈现较好的(002)定向性,这是由于薄膜太薄所致;提高热处理温度至610℃,有利于薄膜(002)高度定向。

    2005年05期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 1011k]
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  • 中温烧结CLNT微波介质陶瓷

    张启龙,杨辉,童建喜

    研究了Bi2O3对CLNT陶瓷的烧结性能、物相和介电性能的影响。添加4%~10%(质量分数)Bi2O3,在液相Bi2O3和Bi2O3-TiO2两重作用下,烧结温度降至1050℃。XRD分析表明:斜方钙钛矿相出现分裂,产生第二相。随Bi2O3含量增加,Q·f值下降,τf向负温度系数方向移动,当0<w(Bi2O3)≤4%,εr基本不变;w(Bi2O3)>4%,εr因气孔增加而减小。4%Bi2O3试样在1050℃烧结4h,εr为37.8,Q·f为11030GHz,τf为12×10–6℃–1。

    2005年05期 33-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 1042k]
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  • 卷绕式聚吡咯铝电解电容器的制备工艺研究

    陈泳,朱绪飞

    采用化学氧化聚合法在铝电解电容器的芯子中形成聚吡咯。使用四种不同的工艺方法制作了卷绕式的PPy(聚吡咯)铝电解电容器,研究了电容器的各项电性能,如:电容量-频率特性、损耗-频率特性、阻抗-频率特性。发现工艺方法三、四制得电容器的各项性能均比一般同类产品优良,解决了聚吡咯不易在电容器芯子内部形成的难题。

    2005年05期 37-39+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 886k]
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  • PZT铁电薄膜的印迹研究

    陈富贵,杨成韬,刘敬松,田召明,彭家根,张树人

    印迹(Imprint)是造成铁电存储器失效的一个重要因素,通过分析不同厚度的PZT薄膜电容的界面层后认为,造成印迹的原因是上下电极与铁电薄膜之间界面层厚度的不同,导致了铁电薄膜表面极化钉扎状态的差异。矫顽电压偏移量对铁电薄膜的厚度依赖性,以及矫顽电压的偏移量随时间变化规律,很好地证实了笔者的设想。

    2005年05期 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 700k]
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  • 一次性烧成晶界层半导体陶瓷电容器

    章士瀛,王守士,李言,李静,章仲涛,王艳

    采用一次性烧成技术研制了晶界层半导体陶瓷电容器,在瓷料配制过程中先后加入施主杂质和含有受主杂质的晶界助烧剂,两者在还原烧成时促使晶粒生长并半导化,助烧剂在氧化时有利于晶界绝缘层形成。在一台联体烧成设备中,采用大梯度温度和气氛变化,连续完成还原烧成和氧化处理。还原烧成时,升温速度大于400℃/h。在还原烧成温度下保温后,立即在几分钟内,从还原气氛转到氧化气氛,同时降温300℃以上。整个烧成过程中,瓷体全部是堆烧(叠烧10~20层),生产效率比二次烧成提高10倍以上。

    2005年05期 43-45+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 885k]
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  • 用于超电容器的高性能活性炭研究

    邓梅根,杨邦朝,胡永达

    运用化学活化法制备了超电容器用高比表面积活性炭。利用碘吸附、亚甲蓝吸附和BET测试,对样品的孔隙性进行了分析。以制备的活性炭为超电容器电极材料,利用循环伏安和恒流充放电测试其电容特性。结果表明,实验研制的活性炭的比表面积为173m2·g–1,平均孔径为2.36nm,绝大部分孔径都在5nm以内;在10–2A·cm–2的电流密度下活性炭的比容达180F·g–1,基于研制的活性炭的超电容器具有良好的功率特性。

    2005年05期 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 714k]
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  • 环氧模塑封材料的热-机械疲劳失效分析

    郝秀云,杨道国,秦连城,刘运吉

    封装材料的热疲劳失效是封装器件失效的主要原因之一。对在微电子封装中应用很广的环氧模塑封装材料进行了常温和高温下的拉伸、疲劳实验。基于以疲劳模量作为损伤因子的疲劳寿命预测模型,相应的材料参数通过实验获得。并通过实验得出了该环氧模塑封装材料考虑温度影响的疲劳寿命预测模型,利用该模型可以对微电子封装用高聚物的疲劳寿命进行预测。

    2005年05期 49-51+54页 [查看摘要][在线阅读][下载 875k]
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  • MLCC制造中产生内部开裂的研究

    张尹,赖永雄,肖培义,李基森

    从内电极设计、内浆(内电极浆料)的选择、内电极干燥工艺等方面对MLCC内部开裂的原因进行了深入研究,结果表明,通过测试瓷膜与内浆的热收缩曲线,选择收缩率相接近的瓷膜与内浆来制作MLCC;调试选用合适的内电极干燥温度、时间;改变内电极设计,在产品中间层加一个厚度2~5倍于其它介质厚度的不错位夹层,MLCC内部开裂几率由原来的5.1%下降到目前的0.38%。

    2005年05期 52-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 720k]
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  • 稀土掺杂Y_2O_3纳米晶发光材料的研究进展

    石士考,周济

    总结了近几年稀土掺杂Y2O3纳米晶发光材料的研究工作。回顾了Y2O3:Eu3+纳米晶的制备方法及发光性质,特别是采用溶胶–凝胶热解过程,在激发光谱中观察到同基质晶格和粒径相关的蓝色位移(≈600cm–1)。详细介绍了Er3+和Ho3+掺杂的Y2O3纳米晶的上转换机理,由于纳米晶表面容易吸附空气中的CO2和H2O,使得上转换性能明显低于体材料。通过对其进行表面改性处理,可以大大提高发光效率。并探讨了其发展前景。

    2005年05期 55-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 702k]
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  • 氧化锌铝薄膜的光电特性、制备技术及应用

    王华

    ZAO薄膜具有低电导率、高可见光透射率、高红外光反射率及其它半导体特性,应用于平板显示器件、太阳能电池、反射热镜、气体敏感器件、特殊功能窗口涂层等领域。ZAO薄膜原料易得,制造成本低廉,无毒,易于实现掺杂,且在等离子体中稳定性好,易刻蚀,因而有可能成为ITO的替代产品,尤其是在太阳能电池透明电极领域。

    2005年05期 59-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 710k]
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