刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 叉指形电极压电驱动器性能分析

    刘永刚,陈勇,沈星

    分析了叉指形电极压电驱动器的结构特点和电场结构。给出了压电驱动器的本构方程,建立了叉指形电极压电驱动器的有限元模型,研究了指形电极关键尺寸和压电片厚度尺寸对驱动器应力、应变的影响,对比分析了普通电极压电驱动器的应力和应变性能。研究结果表明:叉指形电极压电驱动器比普通电极压电驱动器驱动应力大,最大可以高达5倍;具有明显的正交异性,横向效应系数为–2.16;减小电极中心距和压电片厚度能提高驱动器性能。

    2005年04期 1-4+8页 [查看摘要][在线阅读][下载 504k]
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  • 弛豫时间对BTO/LAO超晶格介电异常的影响

    卢苇,肖定全,于光龙,朱建国

    铁电材料钛酸钡(BaTiO3,简称BTO)与非铁电材料铝酸镧(LaAlO3,简称LAO)可以组成BTO/LAO铁电/非铁电超晶格。BTO/LAO超晶格的铁电、介电和热释电性能呈现新的变化特点。模拟计算了不同弛豫时间对不同层状周期结构的BTO/LAO超晶格介电性能的变化规律;分析了BTO/LAO超晶格中的弛豫机制、Debye弛豫效应与Maxwell-Wagner效应之间的关系。模拟计算表明BTO/LAO超晶格在厚度为0.8nm/0.8nm~1.6nm/1.6nm时介电常数出现极值,与实验结果符合较好。超晶格的界面电荷的累积对于弛豫时间的作用直接影响了BTO/LAO超晶格的介电性能;BTO/LAO超晶格的介质损耗主要来源于BTO/LAO超晶格的电导率。

    2005年04期 5-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 398k]
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  • 纳米钛酸锶粉体的特殊液相沉淀法制备

    王开明,温传庚,周英彦,郇维亮,高首山,李晓奇,赵颖

    以制备纳米钛酸锶粉体为目标,在液相反应胶粒析出机理分析的基础上,通过碳酸铵沉淀途径,采用特殊的快速高强度机械混合液相沉淀法,调控各种工艺条件,例如浓度、pH值、高机械混合强度以及陈化时间等,得到分散性和过滤性均好的碳酸锶和无定形氢氧化氧钛高度混合的纳米粉体前驱体,其粒径为3~4nm(平均3.5nm)。经920℃度焙烧,获得了结晶度好、分散性好、平均粒径56nm的立方相钛酸锶粉体。

    2005年04期 9-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 537k]
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  • 综合信息

    2005年04期 12-19+31-35+43-51+56-64+71页 [查看摘要][在线阅读][下载 1985k]
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  • 紫外光照下ZnO基薄膜的光电和气敏特性研究

    刘宏伟,孙建平,惠春,徐爱兰

    用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征。测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电阻的变化,发现随着掺Al量的增大,薄膜在紫外光(波长为365nm)照射后其电阻先减小后增大。在室温下,对薄膜在不同浓度的CO气体下的敏感特性进行了研究,随着气体浓度的增加,薄膜电阻值逐渐减小;随着掺Al量的增大,气敏灵敏性先逐渐增大后减小,发现当铝含量为r(Al:ZnO)=0.5%时,对CO气体的灵敏度最大,并对紫外光照射下气敏半导体薄膜的气敏机理进行了简单分析。

    2005年04期 13-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 492k]
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  • Ag/ZnO基陶瓷复合材料的微结构和电学行为

    张锋,齐立祯,羊新胜,董亮,王豫

    通过制备银/氧化锌基陶瓷复合材料,研究了复合材料的微观结构和基本电学行为。通过XRD、SEM的分析和基本物理量(密度和电阻率)、I-V特性的测量结果发现,银与氧化锌陶瓷之间并没有发生化学反应,致密度也不高。但是,二者的复合使原来在2000V/cm下不显现非欧姆特性的氧化锌陶瓷具有了非欧姆特性,非线性系数α达8.4,此时银的质量分数约为20%,银若过多(≥30%)或过少(≤10%)都不利于非欧姆特性的实现。

    2005年04期 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 480k]
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  • 快速热退火前后ZnO及ZnO/Al薄膜性质的研究

    王海燕,卢景霄,段启亮,陈永生,靳瑞敏,张宇翔,杨仕娥

    鉴于直流反应溅射制ZAO膜对反应条件敏感,研究发现,经快速热退火(RTA)处理能放宽对反应条件的要求。实验中ZnO及ZnO/Al薄膜用直流反应磁控溅射法制备。选用金属Zn及金属合金Zn/Al靶。经快速热退火(RTA)后,通过XRD,UV-VIS-NIR分光光度计、四探针测方电阻等,研究了经不同温度RTA后ZnO及ZnO/Al薄膜的结晶状况、方电阻、电阻率、可见光透过率等的变化。对传统热退火和RTA进行了比较:经RTA600℃后电阻率减小5~9个数量级,达1×10–3·cm。

    2005年04期 20-23+27页 [查看摘要][在线阅读][下载 597k]
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  • LBL法制备Cu_3SbS_4薄膜

    杜金会,于振瑞,张加友

    针对水溶液化学沉积法沉积过程复杂且难于控制的缺点,利用LBL(layer-by-layer)法,在玻璃基片上制备出了Cu3SbS4薄膜。即首先在玻璃基片上沉积Sb2S3薄膜,然后再在其上制备CuS薄膜,最后进行退火处理。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构特性和光学特性。制备的薄膜为多晶Cu3SbS4(四方晶系)结构,厚度为344nm,直接光学带隙约为0.47eV。

    2005年04期 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 510k]
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  • 各向异性导电胶膜新型填充粒子的研究

    吴懿平,袁忠发,吴大海,吴丰顺,安兵

    用分散聚合法合成了直径为3μm左右的聚苯乙烯核,在核表面化学镀形成带小突起的镍合金导电层,制成ACF新型填充粒子,对聚合物核做了粒径分布、比表面积测试,对核以及导电微球做了环境扫描电镜(ESEM)测试。结果表明:制备的导电微球密度小,呈单分散,镀层结构致密,镀层表面形成了近球形、锥形及其它不定形突起。这些突起可以刺穿电极的氧化膜。实践证明通过控制工艺参数实现控制镀层结构是一条可行方法。

    2005年04期 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 370k]
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  • 镀银铜粉导电胶的研究

    吴懿平,吴大海,袁忠发,吴丰顺,安兵

    经过对200目商用铜粉进行球磨处理得到2~8μm细片状铜粉,再进行多次化学镀银处理,得到表面银覆盖率达90%以上的一种高性能镀银铜粉。该镀银铜粉与环氧树脂、固化剂以及其它添加剂合成制得的镀银铜粉导电胶,防铜氧化效果好,电阻稳定且电阻率可达10–4Ω·cm级别,相比银导电胶成本降低,耐迁移效果好。

    2005年04期 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 381k]
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  • 铌钴镧掺杂对BaTiO_3陶瓷结构与介电性能的影响

    刘波,庄志强,王歆

    根据超薄介质层对高介电常数和细晶结构介质陶瓷材料的需要,采用非均匀形核淀积方法实现Nb、Co、La的氧化物与BaTiO3(BT)水热粉体在纳米水平上的均匀混合。研究了该方法制备的Nb、Co、La掺杂BT陶瓷的相结构、显微结构以及介电性能。实验发现,La、Nb、Co的掺杂可获得致密细晶BT陶瓷,晶粒尺寸可控制在300nm范围内,室温相对介电常数达到3400,介温稳定性符合X7R要求。

    2005年04期 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 529k]
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  • 纳米SiO_2对铝电解电容器闪火电压的影响研究

    王守绪,王慧秀,王偕恕

    应用纳米材料改进铝电解电容器的性能将成为一条新途径。通过在工作电解液中添加纳米SiO2溶胶,研究了纳米SiO2对乙二醇体系工作电解液电导率和闪火电压的影响。结果表明,在研究体系中添加2%(质量分数)的纳米SiO2可以提高工作电解液的电导率10%、闪火电压提高20V,这与传统材料相比具有明显的优点。

    2005年04期 39-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 214k]
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  • BT基Y5V高压电容瓷织构对抗电强度的影响

    杨金平,江涛,江丽君

    在研制BaTiO3(BT)基Y5V高压电容器瓷料基础上,对不同配方的试样进行交流高压试验,SEM显微结构分析结果显示,当试样晶粒较小时(3~10μm),抗电强度较高(≥4.3MV/m),强交流电场引起的晶粒应力、应变不足以导致晶粒击穿;而晶粒较粗时(≥20μm),其应力、应变导致抗电强度明显降低。瓷体中次相对强交流电场有缓冲作用,随含量增加而抗电强度提高,但介电常数降低。在此基础上探讨了瓷体织构对抗电强度影响机制。

    2005年04期 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 685k]
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  • 精细氧化铝陶瓷水基凝胶注模成型工艺

    张立伟,陈森凤,沈毅,卢迪芬,弓琴双

    研究高性能氧化铝陶瓷的水基凝胶注模成型过程,探讨了pH值、分散剂、有机单体、交联剂以及球磨等诸因素对料浆浓悬浮体的流变性的影响。通过控制成型过程中的温度(50~70℃)和时间等因素,成功制出了固相含量达58%的料浆,以及强度20MPa以上,显微结构十分均匀的坯体。发现该工艺所制坯体的一种新颖特性——坯体可以在胶状柔韧态(吸水)和坚硬态(脱水)之间反复变化。它将大大改善陶瓷部件的可加工性,提高其生产效率。

    2005年04期 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 415k]
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  • 液相施主及高钙添加对PTC材料性能的影响

    孙宏全,陈亿裕,毛翠萍

    采用液相施主掺杂和高钙添加相结合的方法,制得性能优良,适合程控电话交换机防雷击、防过流用的耐强电限流器件的PTC材料。在液相施主Y(NO3)3的添加量(摩尔分数)为0.4%,CaCO3添加量(摩尔分数)为15%时,得到了室温电阻率为140?·cm,居里点tC为74℃,阻温系数α为13.9%℃–1,升阻比lg(ρmax/ρmin)为7.2,耐压强度Vb≥260V/mm的PTC材料。

    2005年04期 48-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 501k]
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  • 采用渐变尺寸的DGS结构的设计

    王正武,李应真,刘松

    在原有周期DGS(Defected Ground Structure)结构基础上,提出了一种周期渐变尺寸的DGS结构,比原有结构具有更好的阻带特性。并将其应用于毫米波微带通滤波器的设计,改善了阻带性能。对DGS结构的等效电路作了分析,与原有DGS结构仿真的比较,结果证明了优化的渐变尺寸DGS结构能有效地改善带阻特性,同时对通带内插入损耗的影响较小。

    2005年04期 52-53+56页 [查看摘要][在线阅读][下载 517k]
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  • 一种高性能实用型Sn-Cu无铅电子钎料

    晏勇,蒋晓虎,张继忠,徐建洋

    研制了一种具有自主知识产权的高性能无铅电子钎料CWB—07系列。它采用在Sn-Cu基体合金中加入Ni、Re、P等多种改性元素的方式,全面改善和提高了钎料的综合性能。经检测、对比和应用试验,证明本产品具有较高的性价比和较强的实用性。抗拉强度达到45MPa,超过Sn-3.5Ag,经济指数优于Sn-3.5Ag和Sn63Pb。

    2005年04期 54-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 274k]
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  • BST超细粉体的水热法形成机理及工艺控制

    苗鸿雁,周耀辉,朱刚强,仇越秀

    采用水热法制备了不同组成的BaxSr1–TiO3(BST)超细粉体。利用DTA/TGA、XRD、TEM等技术分析了x水热反应转变机理和BST相结构转变及微观形貌情况。研究了制备纳米BST粉体的各种影响因素。结果表明:获得的BST粉体颗粒度较细,钙钛矿结构通过络合物中间相和TiO2扩散形成,粒径为20~40nm,其最佳的工艺参数为温度在190~240℃,r(Ba/Ti)=3、r(Sr/Ti)=1/4或者r(Ba/Ti)=1/3、r(Sr/Ti)=4/5,KOH浓度为1.5~2mol/L。

    2005年04期 57-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 486k]
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  • 水基前驱体法制备BST铁电薄膜的研究

    向飞,刘颖,朱时珍,朱满康

    Ba1-SrxTiO3(BST)薄膜具有非线性强、漏电流小、不易疲劳等特点,在高密度动态随机存储器的应用,受到x了极大关注。以水基溶液为前驱体,调整Ti(OC4H9)4与H2O的配比以改变溶胶的黏度,并采用旋涂法制备了BST铁电薄膜。对水基BST前驱体溶液进行了DSC/TG和XRD分析。实验表明,采用较高浓度的水基前驱体,有利于薄膜的形成和均匀性。薄膜的相结构研究表明,随着退火温度的上升,BST薄膜的结晶度上升,而晶粒尺寸随之略有下降。

    2005年04期 61-64页 [查看摘要][在线阅读][下载 330k]
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  • 无铅电子钎料合金蠕变性能研究

    廖福平,周浪,黄惠珍,严明明

    设计制作了一种简单可靠的弯折蠕变测量装置,比较了两种无铅电子钎料合金Sn-9Zn和Sn-3.5Cu-0.7Ag与传统电子钎料合金Sn-40Pb的常温蠕变性能,以及冷却条件对其蠕变强度的影响。结果表明:两种无铅钎料的抗蠕变性能大大优于传统锡铅钎料;Sn-3.5Ag-0.7Cu合金的抗蠕变性能优于Sn-9Zn合金;冷却速率对Sn-9Zn合金和Sn-3.5Ag-0.7Cu合金组织的影响类似,然而对蠕变强度的影响却相反:水冷使两种合金的组织相对于空冷都明显细化,Sn-9Zn合金的蠕变强度因之降低,而Sn-3.5Ag-0.7Cu合金的蠕变强度却因之提高。对可能产生的原因进行了讨论。

    2005年04期 65-67页 [查看摘要][在线阅读][下载 507k]
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  • 磁性薄膜微电感器件的研究进展

    高孝裕,陈吉安,周勇,雷冲,王明军,张亚民,周志敏,毛海平

    综述了磁性薄膜微电感的研究现状,介绍了四种不同电感器件的结构设计(平面螺旋型,磁芯螺线管,曲折结构及夹心条状结构)及其优缺点和磁芯材料(坡莫合金,铁氧体,非晶,纳米晶软磁)对电感器件的影响。

    2005年04期 68-71页 [查看摘要][在线阅读][下载 354k]
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  • MLCC表面贴装中墓碑现象的研究

    齐坤,赖永雄,李基森

    墓碑现象是MLCC与PCB板焊接过程中一端离开焊区而向上方斜立或直立。主要原因是在焊接过程中MLCC两端的不平衡的润湿力。而不平衡润湿力产生的主要因素是:(1)MLCC两端不能同时熔融;(2)焊盘设计不合理。根据力学机理提出了保持MLCC的表面清洁,注意合理的焊盘设计、避免焊膏的活性减弱和确保MLCC两端同时熔融的解决措施。该措施能有效防止墓碑现象,并在实际生产中取得了良好的效果。

    2005年04期 72-74页 [查看摘要][在线阅读][下载 452k]
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