刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 超声波化学法合成纳米铁酸镁粉末

    吕维忠,刘波,游新奎,李均钦

    用超声波化学法合成了纳米尖晶石型铁酸镁(MgFe_2O_4)粉末,并用 X 射线衍射(XRD)、电子透射电镜(TEM)、红外光谱对产品的纯度、结晶度,粒径以及内部形态及结构进行了分析表征。结果表明:当镁和铁以 1:2 的摩尔比配合、超声频率为 20.81 kHz、超声辐射 50 min 时,可得到纯度较高、结晶度好、粒径分布窄的尖晶石型铁酸镁纳米颗粒。

    2005年02期 1-2页 [查看摘要][在线阅读][下载 229k]
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  • PBGA器件固化残余应力的有限元分析

    蒋廷彪,田刚领,杨道国,巫松

    采用有限元分析软件模拟研究了PBGA器件在先固化再进行温度加载和直接从温度循环开始加载两种情况下,固化过程对 PBGA 器件的影响,发现固化过程不仅改变了器件中芯片的应力分布,而且劣化了 DA(环氧树脂)材料与芯片接触面的应力值,也同时使得 BT 材料基底中的应力分布产生较大的改变。并且对 DA 材料选用几种不同的固化时间,发现固化时间的不同对器件封装残余应力的大小和最大应力位置有重要的影响,这为预测芯片的垂直开裂的位置提供了很好的依据。

    2005年02期 3-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 285k]
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  • 综合信息

    2005年02期 6-10+15-23+41-47+60页 [查看摘要][在线阅读][下载 1549k]
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  • 喷雾热解法制备掺氟的氧化锡透明导电膜

    郝喜红,许启明,赵鹏,姚燕燕,田晓珍

    采用喷雾热分解的方法,在片状日用玻璃基材和石英玻璃基材上制得了掺氟氧化锡透明导电薄膜。研究了F 的掺杂量、成膜温度和沉积时间对薄膜方阻 R□和在可见光范围内的平均透过率 T 的影响。实验结果表明,当 NH4F的掺杂量为 SnCl_4·5H_2O 的 32%(质量分数)、成膜温度为 450℃、沉积时间为 15 s 时,可使所得薄膜的方阻 R_□最低,为 10Ω/□,可见光范围内的平均透过率为 80%。

    2005年02期 7-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 465k]
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  • 粉料埋烧的TiO_2瓷致密性和微观规整性研究

    孟凡明,孙兆奇

    通过与裸烧工艺的对比实验,研究了粉料埋烧对 TiO_2陶瓷性能的影响。采用金相显微分析、密度测量、压敏电压测量和介电测量等实验手段,分析了埋烧的作用机理。结果表明,采取粉料埋烧有利于晶粒均匀生长、促使陶瓷致密(密度达 4.112 g·cm–3)、降低压敏电压(E10mA=5.4 V·mm–1),同时提高了介电常数(εra=7.61×104)。该研究结果为 TiO_2基低压压敏电阻器的研制探索出一条新途径。

    2005年02期 11-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 244k]
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  • BSTO/MgO铁电移相材料的研究

    杨春霞,周洪庆,刘敏,吴红忠,梁斌斌,金宇龙

    采用固相反应法制备了钛酸锶钡/氧化镁(BSTO/MgO)铁电移相材料。研究了材料的相组成、显微结构和介电性能。经测试分析表明:MgO 与 BSTO 复合后,并没有出现二次相,且晶粒形状分布均一,粒度均匀;w(MgO)为 50%时,材料的低频(10 kHz)εr为 157,tgδ 为 0.000 6,高频(约 2.5 GHz)εr为 120,tgδ 为 0.008;4 000 V/mm偏压下的调谐性为 17.5%,基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求。

    2005年02期 13-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 373k]
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  • 烧结工艺对纳米SrTiO_3陶瓷介电性能的影响

    徐云龙,余蓉蓉,钱秀珍

    采用 sol-gel 方法制备 SrTiO_3陶瓷粉体,利用 TG-DTA 分析 SrTiO_3干凝胶粉的分解、化合反应,初步确定了SrTiO_3陶瓷预烧和烧结温度,采用 SEM 研究了 SrTiO_3陶瓷的内部结构,重点探讨了不同烧结制度对 SrTiO_3陶瓷介电性能的影响。研究表明,当采用在空气气氛下以 5 ℃/min 的升温速率直接升温至 1 000℃,保温 0.5 h,再降温至 750℃保温 0.5 h 后随炉冷却的烧结工艺,SrTiO_3陶瓷纯度高,致密性好,晶粒粒径小于 100 nm,且具有良好的介电性能,低频下相对介电常数高达 3 000 左右。

    2005年02期 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 751k]
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  • 有机双电层电容器用活性炭电极的修饰

    苏岳锋,吴锋,刘亚栋,包丽颖

    利用石墨、炭黑、碳纳米管三种导电碳材料,对高比表面积活性炭进行掺杂修饰,制备有机电解液双电层电容器用薄膜电极。经电化学测试发现,在 1 mol/L 的 LiPF6/EC-DEC(体积比 1∶1)溶液中,经不同导电材料修饰后的活性炭电极,其单电极比容量和大电流充放电性能均有较大改善。其中,掺杂 10%(质量分数)碳纳米管的活性炭电极,在 330 mA/g 电流密度下的单电极比容量可达 81 F/g,比未掺杂活性炭电极 60 F/g 的比容量提高了 35%;电流密度从 60 mA/g 增至 330 mA/g,该电极的容量保持率为 79.4%。

    2005年02期 20-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 621k]
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  • 钛酸钡微晶粉粒的热刺激电流

    王卫林,刘健平

    研究了铁电微晶粉粒的热刺激电流及其铁电相变。对三种不同化学成分的钛酸钡粉料与硅油的混合物进行了热刺激电流测量。钛酸钡粉粒与硅油的混合物有很明显的热刺激电流(TSC)且表现出和铁电相变有关的明显的峰,显示出与粒径存在一定的关系;得出了样品的表观极化强度曲线。证明了当粉料与硅油混合后,用介电谱观测不到的粉料的铁电–顺电相变,用 TSC 方法可以观察到。

    2005年02期 24-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 249k]
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  • 快速光热退火法制备多晶硅薄膜的研究

    冯团辉,卢景霄,张宇翔,杨仕娥,李瑞,靳锐敏,王海燕,郜小勇

    为了制备应用于太阳电池的优质多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术。先利用 PECVD 设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热退火炉中进行退火。退火前后的薄膜利用 X 射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,用电导率设备测试其暗电导率。研究表明退火温度、退火时间对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响,光热退火前先用常规高温炉预热有助于增大多晶硅薄膜的晶粒尺寸和暗电导率。

    2005年02期 26-28+31页 [查看摘要][在线阅读][下载 775k]
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  • BST薄膜的微结构研究

    陈宏伟,杨传仁,符春林,赵莉,高志强

    采用射频磁控溅射法在 Pt/Ti/SiO2/Si 衬底上制备了钛酸锶钡(BST)薄膜。利用 X 射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)分别研究了 BST 薄膜的成分、晶体结构。用优化的成膜工艺制备出成分与靶材基本一致,具有钙钛矿结构的 BST 多晶薄膜。利用扫描力显微镜中的压电模式(PFM)观察到了 BST 薄膜中的 a 畴和 c 畴,初步确定在 BST薄膜中多畴转变为单畴的临界尺寸为 28~33 nm。

    2005年02期 29-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 543k]
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  • sol-gel法制备多孔纳米SiO_2薄膜

    李智,姚熹,张良莹

    以 NH_3·H_2O 为催化剂,用正硅酸乙酯(TEOS)溶胶–凝胶工艺制备纳米多孔二氧化硅薄膜。强碱催化使二氧化硅胶粒溶解度增大并增大了体系的离子强度;丙三醇的加入,与水解中间体结合,有效抑制了二氧化硅溶胶胶粒的长大;PVA(聚乙烯醇)对二氧化硅胶粒有强的吸附作用,使胶粒聚联成大的网络结构,增加了成膜性能。通过改变反应物的剂量,调节添加剂的用量,可以制得折射率 1.18~1.42,对应孔率 60.50%~7.75%并且孔径小于 100 nm 的纳米多孔二氧化硅薄膜,。单层薄膜厚度在 3 μm 以内精确可控。

    2005年02期 32-34+37页 [查看摘要][在线阅读][下载 658k]
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  • 湿化学法合成CLSNT微波介质陶瓷粉体

    黄国华,周东祥,徐建梅,邓青

    用改进的 Pechini 法合成 Ca_(0.28)Li_(0.15)Sm_(0.28)Nd_(0.15)TiO_3(CLSNT)陶瓷粉体。采用 TG、DTA、XRD 和 SEM等技术对 CLSNT 陶瓷粉体进行分析。在 600℃预烧 3 h 后,钙钛矿结构的 CLSNT 相形成,但有少量 Sm_2Ti_2O_7、TiO_(1.49)、Ti_3O_5、Ti_4O_7 相。预烧温度升高到 1 000℃,只有钙钛矿结构的 CLSNT 相。用这一方法能在相对低的温度下制备出性能优良的微波介质陶瓷。在 1 230℃下烧结 3 h,εr为 98,Q·f 为 6 360 GHz,τf 为 8×10–6℃–1。

    2005年02期 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 458k]
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  • 共面波导结构MEMS滤波器的设计

    赵继德,李应良,马传龙

    设计了一种基于共面波导结构的 MEMS 带阻滤波器。利用计算机软件 HFSS 模拟出滤波器的带阻中心频率约为 22 GHz、损耗 19.86 dB、阻带宽度为 5 GHz,而设计大小仅为 1 000 μm×1 100 μm×400 μm。只需改变设计参数,即可获取其它频段的带阻滤波器。该滤波器具有阻带高、插入损耗低、尺寸微小、加工容易等特点。在微尺寸条件下分析了滤波器结构的热应力特性,利用大型有限元软件 ANSYS 模拟表明在–50~+80℃的温度范围内,结构不会产生变形,表明了器件有良好的可靠性。

    2005年02期 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 300k]
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  • SrTiO_3压敏电阻的化学蜕变

    李标荣,陈万平,庄严

    借电化学注氢的方法研究了 SrTiO_3 压敏电阻器在潮湿环境中的蜕变机理,即以 SrTiO_3 压敏电阻器的电极作为阴极在 0.01 mol/L NaOH 的溶液中进行水的电解。结果表明:该处理使其漏电流和介质损耗增加,非线性变差,丧失压敏特性。但通过一定的热处理之后,其压敏性能又可恢复。水电解产生的 H 原子向陶瓷颗粒边界扩散、化学吸附,破坏其绝缘阻挡层,造成失效。并对蜕变机理进行了探索。

    2005年02期 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 371k]
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  • 通信用SMD型PTC热敏电阻的研制

    王柳华

    论述了程控交换机二级保护用 SMD 型 PTC 热敏电阻的研制。重点研究了在原二元基多重掺杂的基础上添加石墨材料,考察其耐电流能力;同时研究了不同烧结温度及温升对耐压能力的影响。实验表明:添加 1%~5%的石墨,产生了少量气孔,能有效提高耐电流冲击能力;在 1 320~1 350℃范围内,烧结温度越高,元件的耐压能力越高;温升速度为 350~450℃/h 时,耐电流能力增强。

    2005年02期 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 357k]
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  • 音响分频网络电路用铝电解电容器的研制

    姜正明,熊兆贤

    根据音响扬声器分频网络电路对双极性铝电解电容器特性的要求,研制开发出具有高稳定性、高电导率和优良高频特性的 Z 系列工作电解液,通过电容器结构的改进、原材料的筛选,生产的电容器产品经用户厂家设计采纳并经上机负荷试验全部性能优良:IL为 0.03CU+3(μA),tgδ 为 4×10–2,ΔC·C–1为±10%,±20%。

    2005年02期 48-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 338k]
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  • 导电聚合物PEDT对固体钽电解电容器性能的影响

    卢斐,吴志明,徐建华,陈健,毛云武

    采用具有高导电率(1~500 S/cm)、热稳定性好的导电聚合物 PEDT(聚 3,4-乙烯二氧噻吩)取代 MnO)_2,在固体钽电解电容器芯子上制作 PEDT 阴极层。主要研究了化学聚合条件对电容器性能的影响,结果显示聚合温度对电容器的损耗有一定的影响;氧化剂与单体的体积比保持在 3~6 范围内有利于降低 Res值,达到 0.02~0.08 Ω,并改善了钽电容器的频率特性。

    2005年02期 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 471k]
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  • 基于DS18B20多点温度采集和无线传输

    刘鸣,蒋新颖,姚雪峰

    鉴于信号线的长距离传输相互容易产生干扰,而采用总线结构的数字式传感器及无线通信, 可以很容易地解决这个问题。结合具体器件介绍了多路温度信号的采集和无线传输技术及实用方法,该系统最多可检测 256 路温度信号,在室内多点温度测量控制中能达到很好的效果。

    2005年02期 54-57页 [查看摘要][在线阅读][下载 209k]
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  • 电子陶瓷材料发展现状、展望与思考

    范福康,吴红忠

    综述了电子陶瓷的现状及发展趋势。重点介绍了基板材料、电阻基体材料、电容器陶瓷介质材料、压电陶瓷材料、微波陶瓷介质材料、热敏陶瓷材料,并对未来发展进行了展望与思考。

    2005年02期 58-60页 [查看摘要][在线阅读][下载 316k]
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  • 信息摘要

    信息是企业发展的命脉。在当今信息爆炸的时代,日理万机的您,要在信息的浩瀚大海中捕捉与本行业发展相关的信息却非易事。对您异常重要的信息,却往往因沟通不畅而与您失之交臂,贻误了您的发展良机。为使广大读者及时获悉有用信息,特推出《信息摘要》专栏。

    2005年02期 61-62页 [查看摘要][在线阅读][下载 307k]
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