刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 锑掺杂氧化锡纳米粉体的水热合成与表征

    丁常胜,苗鸿雁,罗宏杰

    以SnCl4?5H2O、SbCl3为基本原料,采用水热合成法制得了锑掺杂氧化锡纳米粉体。运用XRD、TEM等分析测试手段研究了粉体的晶相组成、晶粒粒度和晶貌特征,并根据晶格常数研究了锑的掺杂形式。结果表明:在240~300℃的水热条件下,反应2~8h,可制得结晶良好、分散性好、粒度在3~15nm、具有四方晶系金红石结构的锑掺杂氧化锡球形颗粒;Sb是以Sb3+的形式进入SnO2晶格中。

    2005年01期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 349k]
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  • 磁控反应溅射SnO_2薄膜的气敏特性研究

    李朝林

    为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜。探讨和分析了SnO2薄膜气敏元件的敏感机理。对SnO2薄膜的电阻和灵敏度的测试以及对实验结果的分析表明:SnO2薄膜厚度在150~400nm为宜,一般膜厚在250nm时较为敏感。在SnO2薄膜中掺入Pd、Pt、Ag等微量杂质可大大提高SnO2薄膜气敏元件的灵敏度,且使灵敏度的峰值向低温方向移动,增强了对H2、CO和C2H5OH等可燃气体的选择性、响应时间由3min缩短到0.5s以下。

    2005年01期 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 218k]
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  • 湿敏半导体陶瓷阻–湿特性的研究

    单丹,曲远方

    定量分析了多孔半导体陶瓷低湿度范围内的湿敏机理,通过理论推导,得出电阻与相对湿度关系的解析表达式。湿度较低时,半导体陶瓷中起主要作用的是电子电导。假定吸附表面态由吸附氧离子构成,表面态吸附水分子后,向体内发射电子,用统计理论对这一过程进行推演,得出了阻–湿关系表达式。结果表明:在低湿度区(x<10%),表达式与文献提供的TiO2材料的实验数据吻合良好。

    2005年01期 7-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 194k]
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  • 稀土氯化物溶液掺杂BaTiO_3基PTC陶瓷性能研究

    周斌,徐国跃

    采用稀土氯化物(YCl3、LaCl3)溶液作为施主掺杂剂,在1350℃空气气氛下烧结制备一系列BaTiO3陶瓷样品。借助XRD、XRF等手段,研究了氯化物溶液掺杂对BaTiO3基PTC陶瓷性能的影响。结果显示,YCl3掺杂样品的最低室温电阻率为17?·cm、LaCl3掺杂的为47?·cm,且样品都具有一定的PTC效应。室温电阻率大幅降低的原因,是引入的Cl元素有一部分能进入晶格取代O位起施主作用。

    2005年01期 10-12+15页 [查看摘要][在线阅读][下载 438k]
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  • Mn的形态对NTC热敏陶瓷性能的影响

    纪士东,王春玲

    以MnO2及MnCO3为锰的引入源,研究了锰的引入形态对Mn-Co-Ni三元系NTC热敏陶瓷电性能的影响。结果表明:锰的引入形态对材料的阻温特性无根本的改变,但对材料的室温电阻及B值有很大的影响,且随着MnCO3含量的增加呈U型变化。

    2005年01期 13-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 480k]
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  • 叠层片式电感的短路失效模型

    陈后胜,陆秀荣,袁海兵,陈镇,周荣林

    通过对叠层片式电感器短路失效样品的电性能测试和显微分析可知,叠层片式电感器的短路主要为引出端短路和介质层短路,其根源在于铁氧体的粒度、浆料分散性、丝网制作及烧结工艺,通过完善球磨工艺、改变加料方式、减少丝网乳胶厚度、控制成型和烧结工艺,可使短路率由15%以上降低为6%以下。

    2005年01期 16-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 160k]
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  • 新型sol-gel技术制备BST0—3型厚膜

    陈书厅,姚熹,张良莹

    采用传统高温固相烧结法合成了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)陶瓷粉,并用高能球磨法将其细化为纳米粉,均匀分散于组分相同的BST溶胶中,形成稳定的厚膜先体溶液,而后用匀胶法制备出厚度约为6.5μm的BST厚膜。XRD测试结果表明,650℃热处理后的厚膜为单一钙钛矿相。SEM观测显示厚膜表面均匀一致,无裂纹出现。800℃热处理后的厚膜在室温、频率1kHz下相对介电常数εr和介质损耗tgδ分别为455、0.036。

    2005年01期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 439k]
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  • 不同晶粒尺寸钛锡酸钡陶瓷的烧结及介电性能

    邹欣,姚熹,张良莹

    利用溶胶包覆和高能球磨的方法,经传统的陶瓷工艺,得到相对密度在95%以上,晶粒尺寸在0.36~23μm之间的Ba(Ti0.9Sn0.1)O3钛锡酸钡陶瓷。发现用溶胶包覆粉体的方法,可以阻止烧结过程中晶粒的异常长大,并且降低陶瓷的烧结温度。对样品介电性能进行了研究,发现随着晶粒尺寸的减小,Ba(Ti0.9Sn0.1)O3陶瓷表现出相对介电常数峰值对应的温度(tm)向低温方向移动,相变弥散程度增加,室温(25℃)相对介电常数先增大后减小的规律。

    2005年01期 22-24+28页 [查看摘要][在线阅读][下载 284k]
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  • 溶胶–凝胶法制备BST薄膜的结晶特性研究

    方瑜,肖定全,袁小武,于光龙,卢苇,朱建国

    采用改进的溶胶–凝胶(sol-gel)工艺配制了(Ba0.65,Sr0.35)TiO3(BST)溶胶。利用旋转涂覆工艺将BST溶胶涂覆在SiO2/Si衬底上,在不同的热处理条件下制备出BST薄膜。XRD分析结果表明:制得的BST薄膜形成了单一钙钛矿结构;AFM测试结果表明,BST薄膜表面平整致密,无裂纹。表面均方根粗糙度为3~6nm,晶粒大小分布均匀,直径约为40~100nm。随着热处理温度的提高,BST薄膜的晶粒变大,表面粗糙度变大。

    2005年01期 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 215k]
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  • 综合信息

    2005年01期 28-44+48-52+56-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 578k]
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  • Nb、Co、La掺杂对BaTiO_3介质陶瓷性能的影响

    王悦辉,庄志强

    为了改善钛酸钡基陶瓷的烧结性能,调控细晶结构,提高工艺稳定性和材料的介电特性,采用铌、钴、镧的柠檬酸-EDTA金属有机盐复合螯合前驱液表面包覆法对水热BaTiO3(BT)粉体进行Nb2O5、CoO、La2O3掺杂改性。实验结果表明:该工艺能够实现改性组分金属有机盐前驱物在BT上的均匀包覆,形成(Ba1–3Lax)(Ti1–Nb2Cox)O3x/2xx/3/3固溶体。当r(Nb/Co)>2时,材料呈铁电弛豫特性;r(Nb/Co)<2时,呈一般铁电特性;当r(Nb/Co)=2,随着La掺量的增加,材料的铁电弛豫特性增加;当r(Nb/Co)>2和r(Nb/Co)<2时,则La的掺量对材料的介电温度特性影响不大。

    2005年01期 29-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 379k]
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  • 烧结助剂对(Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5))O_7陶瓷性能的影响

    王茹玉,黄金亮

    采用传统的固相反应法制备陶试样,借助XRD、SEM和LCR测试仪,研究了烧结助剂对(Bi1.5Zn1.0Nb1.5)O7微波介质陶瓷的烧结特性和介电性能的影响。实验结果表明,添加一定量的CuO、V2O5或两者的混合物后,陶瓷试样的烧结温度降到950℃以下,制备的试样具有良好的介电性能。介电常数εr为152~168,介质损耗tgδ为0.003~0.007(2MHz)。添加烧结助剂后的陶瓷试样的主晶相仍为焦绿石结构,但还出现少量Zn3Nb2O8和ZnO相。

    2005年01期 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 533k]
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  • 聚苯胺混杂型电化学电容器研究

    张庆武,周啸

    采用聚苯胺在改性活性炭表面原位聚合方法,制备了聚苯胺活性炭复合物。研究了活性炭与苯胺在不同配比下制得的复合物的比容量,结果表明:当活性炭占复合材料的质量比为14.9%时,复合物的比容量为191.8F/g,比相同条件下制得聚苯胺的比容量提高了56%。以该复合物为电化学电容器的正极材料,以改性活性炭为其负极材料,电解液为6mol/L的氢氧化钠水溶液,组装了原型电化学电容器。该电容器的比能量可达8.7Wh/kg,比功率可达878W/kg。

    2005年01期 35-37+40页 [查看摘要][在线阅读][下载 476k]
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  • 交流瓷介电容器的生产工艺对击穿电压的影响

    张宾,白军平,陶奇雄,童钧

    击穿破坏电压是交流瓷介电容器最主要的技术参数,也是最难解决的技术难题。通过不同工艺的对比实验,具体研究了产品电极结构、引线焊接工艺、包封层固化工艺和环氧树脂包封工艺对交流瓷介电容器击穿电压的影响,据此优化了生产工艺,使得系列交流瓷介电容器耐压达到了较高的水平,Y1产品交流击穿电压达7.8kV以上,Y2产品交流击穿电压达6.0kV以上。

    2005年01期 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 272k]
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  • 硅基铝T形梁MEMS可变电容的设计与模拟

    李锐,廖小平

    提出了一种新颖的运用于射频通信系统VCO中的RFMEMS可变电容。该电容使用平行板和T形梁结构,使用硅衬底,整个结构由铝材料组成,结构简单,与集成电路工艺兼容,从而能够实现片上可变电容。通过静电力驱动上极板向下运动,电容值相应地发生改变,当上极板加电压从2.4V变化到4.3V时,电容值从0.25pF变化到0.33pF,变化率为中心电容的27%。使用Coventor软件对该器件进行了模拟,给出的模拟结果包括容量、调节范围、瞬时响应、Pullin电压和运用该可变电容的VCO的电路模拟。

    2005年01期 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 133k]
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  • LTCC带通滤波器的实现

    许佳,覃亚丽,吴小燕,陆德龙,王剑强

    为解决移动通信中滤波器小型化问题,提出了一种基于LTCC(Lowtemperatureco-firedceramic)技术的带通滤波器实现的有效方法。在设计中应用宽边耦合加长电长度,以不足λ/8的微带线达到所需的滤波特性。根据理论计算的结果,在Ansoft-HFSS中建立模型进行仿真,最终加工生产了适用于蓝牙频段的样品,并与仿真性能进行了比较,取得了很好的一致性。

    2005年01期 45-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 296k]
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  • 基于复合基底微机械微带特性研究

    赵继德,李应良,马传龙

    研究了一种复合基底微机械微带,通过理论推导得出微机械微带的特性计算表达式。首先用计算机模拟该微机械微带的性能,再用表面微细加工工艺加工了该微机械微带模型,最后用安捷伦矢量网络分析仪器测试模型,得出该微带在100GHz内无色散,最大损耗小于2dB。该微机械微带利于集成、尺度微小,可应用在微波、毫米波通信系统(器件)中,克服了常规微带在高频工作时色散严重、损耗大等缺点。

    2005年01期 49-52页 [查看摘要][在线阅读][下载 178k]
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  • VLSI工艺中BPSG薄膜的研究

    王强,姜斌,邓宏,李如东

    BPSG(硼磷硅玻璃)薄膜作为一种重要的层间介质,在半导体集成电路中广泛使用。常压化学气相沉积的BPSG薄膜中B、P含量(质量分数)对BPSG的性能有着显著影响。以WJ—999R机台为基础,详细研究了B、P含量的变化对对BPSG薄膜的沉积率、蚀刻率及其对回流效果的影响。研究发现:沉积率随着B含量的增加而增加;当P含量由0至1%时沉积率突然降低,随后随P含量的增加无显著变化。蚀刻率则随B含量的增加而降低,随P含量的增加而增加。B含量对回流效果的影响显著强于P含量的影响,每增加1%的B,玻璃软化温度降低约40℃。过高过低的B、P含量会产生异常,在3%B,5%P含量下BPSG薄膜有着优良的性能。

    2005年01期 53-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 771k]
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  • 电磁屏蔽和吸波材料的研究进展

    崔升,沈晓冬,袁林生,范凌云

    阐述了研究电磁屏蔽材料和吸波材料的重要性,分析了在不同情况下电磁屏蔽材料和吸波材料的作用机理。综述了常见的电磁屏蔽材料的种类以及各种屏蔽用涂料、填料的特点,同时介绍了吸波材料的种类和研究热点,并着重讨论了导电填料、基体、复合工艺等因素对其屏蔽效能的影响关系。最后对电磁屏蔽材料和吸波材料的研究和发展趋势也作了简要的阐述。

    2005年01期 57-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 255k]
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  • 新春寄语

    钟彩霞

    2005年01期 62页 [查看摘要][在线阅读][下载 61k]
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