- 张柏顺,章天金,江娟,刘江华
用溶胶–凝胶法在石英和Al2O3单晶衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,应用XRD与SEM表征了BST薄膜的晶化行为和表面形貌。在700℃退火1 h的薄膜,其表面光滑、晶粒大小分布均匀、无裂缝、无针孔。应用双光束光度计,在200~1000 nm的波长范围测量了薄膜的透射光谱,并根据“包络法”理论计算薄膜的折射指数。结果表明,当波长从近红外范围(1 000 nm)降低到可见光范围(430 nm)时,薄膜的折射率从2.16增加至2.35,当波长降低到紫外范围时,薄膜的折射率迅速增加,在365 nm处n =2.67。实验还发现沉积在Al2O3衬底上的BST的能隙约为3.48 eV。
2004年12期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 163k] [下载次数：366 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：16 ] |[阅读次数：143 ] - 2004年12期 3页 [查看摘要][在线阅读][下载 83k] [下载次数：56 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：55 ]
- 杜江锋,赵波,罗谦,于奇,靳翀,李竞春
基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为71016cm3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成。样品在N2气氛中,分别经过温度450,550,700,800,900℃的1 min快速热退火处理后发现,当退火温度高于700℃欧姆接触开始形成,随着温度升高欧姆接触电阻持续下降,在900℃时获得了最低比接触电阻6.6106O·cm2。研究表明,要获得低的欧姆接触电阻,需要Al与Ti发生充分固相反应,并穿透Ti层到达GaN表面;同时,GaN中N外扩散到金属中,在GaN表面产生N空位起施主作用,可提高界面掺杂浓度,从而有助于电子隧穿界面而形成良好欧姆接触。
2004年12期 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 282k] [下载次数：332 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：90 ] - 徐征宙,曲选辉,段柏华
用硅烷KH550对AlN作表面处理,有效地改善了AlN粉末抗水解性能。实验结果表明:处理后的AlN粉末在70℃的水浴加热条件下,可长达24 h保持pH值不变。用XRD和红外光谱对结果进行了分析,并初步地探讨了硅烷改善AlN粉末抗水解的机理。
2004年12期 7-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 203k] [下载次数：607 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：31 ] |[阅读次数：60 ] - 2004年12期 9页 [查看摘要][在线阅读][下载 144k] [下载次数：53 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：58 ]
- 胡丹,翟继卫,张良莹,姚熹
采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba(Zr0.3Ti0.7)O3(BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(DSC-TG)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,550℃时开始有钙钛矿相生成,到600℃时,已经完全形成了钙钛矿结构。采用er、tgd的频率和偏压特性曲线研究了不同工艺条件下薄膜的介电性能。经过700℃热处理,薄膜在10 kHz频率,300 K温度测试条件下,相对介电常数为385,介质损耗为0.022;200103 V/cm电场条件下薄膜介电可调率为25.6%。
2004年12期 10-12+16页 [查看摘要][在线阅读][下载 322k] [下载次数：395 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：117 ] - 王明军,周勇,陈吉安,杨春生,张亚民,高孝裕,周志敏,张泰华
利用MEMS技术制作了不同尺寸的镍(Ni)膜微桥结构样品。采用纳米压痕仪XP系统测量了微桥载荷与位移的关系,并结合微桥力学理论模型得到了两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量和残余应力。结果表明,两种不同尺寸的Ni膜的弹性模量结果一致,为190 GPa左右,但是残余应力变化较大。与采用纳米压痕仪直接测得的带有硅(Si)基底的Ni膜弹性模量186.8 7.5 GPa相比较,两者符合较好。
2004年12期 13-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 681k] [下载次数：228 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：79 ] - 王春娟,李光耀,刘向春,谢述锋,田长生
采用传统的氧化物混合烧结工艺制备了Pb(Mn1/3Nb2/3)x(Zn1/3Nb2/3)y(ZrzTi1z)1xyO3四元系压电陶瓷材料。研究了成分及预烧温度对该四元系材料组织结构与性能的影响规律。研究结果表明:随着Pb(Mn1/3Nb2/3)O3含量的增多,陶瓷的相结构由四方相转变为三方相,准同型相界位于0.025 PMN～0.075 PMN之间,且Pb(Mn1/3Nb2/3)O3增加至7.5 %(摩尔分数),可以同时提高机电耦合系数kp和机械品质因数Qm,使kp达到0.575,Qm达到1 621;提高预烧温度可以改善陶瓷的烧结特性,同时可以改善陶瓷的介电、压电性能。
2004年12期 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 251k] [下载次数：218 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：14 ] |[阅读次数：88 ] - 汪静,张良莹,姚熹
采用减压抽滤的方法成功制备了Pb(Zr0.5Ti0.5)O3,PbTiO3干凝胶,并用STA449C差热分析仪表征了干凝胶的性能。干凝胶溶解后得到了性能优良的PZT薄膜和PZT/PT复合膜。采用X射线衍射技术表征了两种薄膜的微观结构及成相特征。薄膜的介电性能及漏电流性能由HP4284ALCR及Keithley6517A来确定。试验结果表明:用减压抽滤得到的干凝胶的方法,可以彻底解决溶胶凝胶中先体存放的问题,得到的铁电薄膜有优良的介电与铁电性能。PZT的相对介电常数与介质损耗分别为424,0.033,PT作为中间层的复合膜的相对介电常数和介质损耗分别为261,0.014;PT薄膜可以调整和改进PZT薄膜的性能,使之达到应用于热释电探测器的要求。
2004年12期 20-21+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 131k] [下载次数：214 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：133 ] - 李庆,杜红亮,裴志斌,车俊,屈绍波
采用传统陶瓷工艺制备了PMS-PZT三元系压电陶瓷,分析了其粉体和陶瓷样品的相结构组成,测试结果表明在预烧粉体中随着PMS含量的增加,焦绿石相也增加,在所有陶瓷样品中均为100%的钙钛矿结构;研究了室温下PMS含量对相对介电常数er、介质损耗tgd、居里温度tC、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm和压电常数d33的影响,实验表明随着PMS含量的增加,材料逐渐变硬,er、tC、kp和d33逐渐减少,tgd和Qm逐渐增加。
2004年12期 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 219k] [下载次数：353 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：94 ] - 崔红玲,杨邦朝,杜晓松,滕林,周鸿仁
为了提高锰铜传感器的测压上限,须用薄膜工艺制备无机绝缘三氧化二铝薄膜来作为传感器的绝缘封装层。采用电子束蒸发法,对影响三氧化二铝薄膜的相关工艺如:蒸发原料的纯度、成膜次数进行了研究。最终得出:由99.99%的三氧化二铝原料制备出的薄膜致密性好、缺陷少,其绝缘电阻率和损耗分别可达1012O·cm和103量级;而采用多次间隙蒸发可明显改善薄膜的附着性和致密性。
2004年12期 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 1249k] [下载次数：220 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：136 ] - 2004年12期 27页 [查看摘要][在线阅读][下载 614k] [下载次数：31 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：34 ]
- 张治安,杨邦朝,邓梅根,胡永达
为制备实用化的超电容器,对活性炭材料进行了表征,详细描述了活性炭/炭黑复合电极的制备工艺。通过循环伏安法和恒电流充电法,对活性炭/炭黑复合电极在水系电解液中的电容行为进行了研究。结果表明:活性炭的BET比表面积达1 654 m2/g,具有合理的孔径分布,主要在2 nm附近。添加高比表面积、高导电性纳米级炭黑制备的活性炭/炭黑复合电极具有优良的电容行为和较好的功率特性,复合电极的比容量达到102.4 F/g。此外还对孔径分布与电容的关系进行了阐述。
2004年12期 28-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 1353k] [下载次数：333 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：16 ] |[阅读次数：135 ] - 钟建薇,梁力平
为了满足多层片式瓷介电容器MLCC小型化、大容量和低成本方向发展的要求,基于国内外对多层片式瓷介电容器以贱金属取代钯银体系作为电极的研究及应用,研究了以Ni为内外电极的BME-MLCC 的制作工艺,对工艺中排胶、烧成、烧端等关键工艺作了机理性探讨。通过选取电极材料、气氛控制和温度控制等,对以Ni为内外电极的多层片式瓷介电容器的制作工艺已经成功在实验室得到验证。
2004年12期 32-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 510k] [下载次数：635 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：20 ] |[阅读次数：112 ] - 2004年12期 35页 [查看摘要][在线阅读][下载 161k] [下载次数：51 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：52 ]
- 冯志刚,郁鼎文,朱云鹤
PCB的结构特征对于回流温度曲线及其关键指标具有显著的影响,对PCB的吸热过程和回流焊炉的热传递过程进行了理论分析,并用大量的实验样本进行了实验研究。确定了PCB的厚度是对回流温度曲线影响最大的结构特征因素。
2004年12期 36-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 113k] [下载次数：1730 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：12 ] |[阅读次数：85 ] - 2004年12期 39页 [查看摘要][在线阅读][下载 79k] [下载次数：410 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：48 ]
- 杜仕国,闫军,张同来,崔海萍
利用IR、SEM等手段,较详细地研究了铜粉–环氧树脂体系中固化剂与铜粉的相互作用,并探讨了铜粉用量、形状对涂料导电性能的影响规律。结果表明:固化剂(最佳用量为20%左右)可以通过形成配合物的反应,有效除去铜粉表面的氧化物,极大改善涂料导电性,使填充75%铜粉的体系具有约0.2×104Ω·m的体积电阻率。应用渗流模型和导电通道理论分析铜粉的用量、形状对涂料导电性能的影响规律。
2004年12期 40-42+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 745k] [下载次数：225 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：78 ] - 朱宇明
通过对AT切型石英谐振器研制工艺的分析,介绍了利用计算机辅助设计AT切型石英谐振器,以及科学制订生产工艺的设计方案。从优化设计、提高工效、降低成本及提高产品性能考虑,介绍了计算机在AT切型圆片石英谐振器研制中的应用。
2004年12期 43-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 233k] [下载次数：121 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：54 ] - 邢建平,蔡成森,滕丽丽,袁庆华,裘南畹
利用粉末溅射,研究了 SnO2/CeO2微型平面薄膜。结果表明:薄膜最佳掺杂范围(5%~20%)、最佳灵敏度膜厚(150 nm)、响应时间与恢复时间随膜厚变化遵循次方定律;制备出稳定性好的气敏元件,灵敏度 S 为 20~80,对航空汽油气选择性 Sl为 8~20,响应时间τs<10 s,恢复时间τc<15 s。并对影响灵敏度测试的条件,例如测试电压、湿度影响、反应温变等进行了分析。
2004年12期 47-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 238k] [下载次数：67 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：67 ] - 刘玉荣,李观启,罗坚,李斌,黄美浅
利用氩离子束镀膜技术在 SiO2/Si 衬底上淀积 BST 薄膜,研究了氧气氛下退火对 BST 薄膜热敏特性的影响。结果表明,当退火温度不太高时(≤600℃),薄膜热敏特性随退火温度升高而变差;但当退火温度较高时(>600℃),薄膜热敏特性随退火温度升高而得到改善。在室温至 200℃范围内 BST 薄膜具有较好的热敏特性,其温度系数最大值为–5.3 %℃–1。并利用 SEM 和 AES 分析了退火条件对薄膜电阻热敏特性的影响机理。
2004年12期 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 593k] [下载次数：102 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：117 ] - 郭晓琨,曲远方,单丹,马卫兵,郑占申
为了降低 BaTiO3基 PTC 材料的ρ25,将金属 Ni、Mn 加入其中,并研究了金属 Ni 和金属 Mn 的加入量以及氧化处理等工艺条件对金属 Ni/Mn/BaTiO3基复合 PTC 材料性能的影响,且优化了该材料的组成和工艺条件。实验结果表明:其中含 Ni 的质量分数为 15%,Mn 的摩尔分数为 0.04%的 PTC 复合材料室温电阻率达到 18 O·cm,升阻比为 50.6。
2004年12期 54-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 129k] [下载次数：193 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：84 ] - 2004年12期 56页 [查看摘要][在线阅读][下载 106k] [下载次数：432 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：36 ]
- 雷文,郑勇,汪胜祥
详细地总结了粉末的初始状态、烧结工艺与方法、烧结助剂等因素对材料介电性能影响的研究进展。比较了 sol-gel 法、水热法、微乳液法与传统制粉方法的优缺点,介绍了微波烧结与常规烧结的特点,并评述了烧结助剂复合添加的研究进展。最后指出了在微波陶瓷制备过程中面临的问题及今后的发展方向。
2004年12期 57-61页 [查看摘要][在线阅读][下载 1346k] [下载次数：485 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：101 ] - 高凤清2004年12期 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 1306k] [下载次数：43 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：47 ]
- 高凤清2004年12期 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 1306k] [下载次数：497 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：56 ]
- 2004年12期 61页 [查看摘要][在线阅读][下载 1306k] [下载次数：85 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：41 ]
- 2004年12期 62页 [查看摘要][在线阅读][下载 75k] [下载次数：27 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：37 ]
- 2004年12期 63-66页 [查看摘要][在线阅读][下载 538K] [下载次数：288 ] |[网刊下载次数：24 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：21 ]
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