刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 竹叶状GaN纳米带的制备

    高海永,庄惠照,薛成山,王书运,董志华,何建廷

    为了制备GAN纳米带,用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中1000℃下常压通氨气进行氨化。在氨气气氛中ZnO在高温下挥发,借助于ZnO挥发的帮助,Ga2O3与NH3反应自组装生成GaN纳米带。XRD分析结果表明GaN纳米带为六方纤锌矿结构,利用SEM观测GaN纳米带具有竹叶状形貌,PL谱测量发现了位于370nm处和460nm处的室温光致发光峰。

    2004年09期 1-2+5页 [查看摘要][在线阅读][下载 205k]
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  • 锰铜薄膜的制备及压阻特性

    杨邦朝,滕林,杜晓松,周鸿仁

    为了锰铜传感器微型化,采用直流磁控溅射法制备适合高压力测量的锰铜薄膜,用X射线衍射和扫描电子显微镜技术分析了薄膜的结构和形貌,动态加载实验标定了锰铜薄膜的压阻系数。研究结果表明,晶粒尺寸决定了薄膜的压阻系数,经360℃热处理1h后,薄膜晶粒长大,压阻系数有着明显提高(K值达到0.02GPa–1),性能达到锰铜箔的水平。

    2004年09期 3-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 174k]
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  • 稀土掺杂的BSTO/MgO铁电移相材料

    杨春霞,周洪庆,刘敏,吴红忠,朱海奎,蒋微波

    为了提高移相器性能,通过掺杂的方法研究了La2O3、Sm2O3、Dy2O3、CeO2等稀土氧化物对BSTO/MgO铁电移相材料低频(10kHz)与高频(2.5GHz左右)相对介电常数εr、介质损耗tgδ和调谐性T等的影响,并对影响机理作了初步探讨。结果表明,掺杂摩尔分数为0.5%La2O3的BSTO/MgO系统基本上达到了相控阵移相器在高频下工作的要求10kHz下,tgδ=4×10–4,T=14.6%;2.41GHz下,tgδ=6.7×10–3。

    2004年09期 6-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 173k]
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  • 添加PVB对燃烧合成TiC的影响

    王宝森,郭俊明,张虹

    采用Ti、C粉末为原料,研究了在Ti-C系中添加PVB对燃烧合成TiC的影响。实验结果表明,在Ti-C系中,未添加PVB得到的主要是呈球形状的较大颗粒的TiC,约为5μm;而添加PVB后则得较细的不规则TiC颗粒,添加w(PVB)为10%的TiC颗粒约为1μm,并探讨了上述燃烧合成TiC的机理。

    2004年09期 9-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 142k]
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  • 氧扩散热处理SrTiO_3压敏电阻的非线性和界面势垒

    陈志雄,庄严,周方桥,李红耘,熊西周,梁鸿东

    伏安特性测量和分析表明,随热处理温度增高,空气中氧扩散热处理SrTiO3压敏电阻的界面电子势垒高度和压敏电压不断增大,而非线性系数则开始增大随后反而减小。分析认为,这与扩散层的厚度不断增加有关。复阻抗测量得到晶粒电阻Rg随热处理温度增高而增大的实验事实,为扩散层的存在及其变化提供了间接证明。

    2004年09期 11-13+16页 [查看摘要][在线阅读][下载 249k]
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  • 表面包裹γ-Fe_2O_3超微粒的光谱特性研究

    刘成林

    为了避免γ-Fe2O3超微粒的团聚,改善其性能,用超声分散的方法将γ-Fe2O3超微粒分散于硬脂酸/正己烷/氯仿溶液中,使γ-Fe2O3超微粒表面被硬脂酸包裹。用紫外–可见光的吸收光谱、红外光谱和XRD的方法对表面包裹的γ-Fe2O3超微粒的光谱特性进行了研究。实验结果显示γ-Fe2O3超微粒被表面包裹后,紫外–可见光的吸收边从495nm移到了836nm,出现了“红移”现象;红外光谱中1056cm–1到2055cm–1区域的吸收反映了γ-Fe2O3超微粒和硬脂酸连成为一个整体,在600cm–1到400cm–1范围内的Fe–O振动峰也发生了变化;X射线衍射峰的位置向衍射角减小的方向移动,晶格常数和相对强度增大。

    2004年09期 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 147k]
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  • CdO对In_2O_3电导和气敏性能的影响

    侯长平,李永红,葛秀涛,方大儒,沈玲,刘杏芹

    为探索新型CdO-In2O3材料的气敏性能,用化学共沉淀法制备了CdO掺杂的In2O3微粉,研究了CdO掺杂对In2O3电导和气敏效应的影响。结果表明CdO和In2O3间能形成有限固溶体In2-CdxO3(0≤x≤0.02);In1.98Cd0.02O3x的电导比纯In2O3小得多;900℃下热处理4h所得的x(CdO)为2%的In2O3传感器在183℃工作温度下,对45μmol·L–1C2H5OH的灵敏度达276、响应–恢复时间只有3s和180s。有望开发为一类新型酒敏材料。

    2004年09期 17-18+28页 [查看摘要][在线阅读][下载 170k]
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  • 一种大功率压电陶瓷变压器材料研究

    杜红亮,裴志斌,车俊,王翠香,屈绍波,陈建华

    采用传统陶瓷工艺制备了Pb(Ni1/2W1/2)O3-Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Ti1/2Zr1/2)O3(PNW-PMS-PZT)四元系压电陶瓷。分析了粉体和陶瓷的相结构组成,结果表明烧结温度的提高和PZT含量的增加有助于钙钛矿相的生成,同时发现PZT的含量在0.91~0.93附近有准同型相界存在。研究了室温下烧结温度和PMS含量对相对介电常数εr,机电耦合系数kp,机械品质因数Qm和压电常数d33的影响,实验表明在室温下随着PMS含量的增加εr、kp、d33逐渐减小,Qm增加;随着烧结温度的提高,kp、d33增大。制得了室温下εr为1959,d33为390pC/N,kp为0.614,Qm为1349的大功率压电陶瓷变压器压电材料。

    2004年09期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 108k]
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  • 高稳恒温晶体振荡器晶体拐点的自动调试

    高益,刘刚,高俊雄,于军

    为了缩短高稳恒温晶体振荡器(OCXO)的开发周期,推动其批量化生产,利用计算机强大的分析控制能力以及计算机与外围设备方便可靠的通讯,提出了一种OCXO拐点自动调试的方法。实验研究表明这种方法可以有效优化OCXO的启动特性,3min内其稳定度可达1×10–8,提高OCXO的频率稳定度,其长期频率稳定度为0.5×10–8。

    2004年09期 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 157k]
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  • 综合信息

    2004年09期 24-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 160k]
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  • 掺杂PZT粉料的制备及其性能研究

    陈学锋,李懋强

    以硝酸盐–柠檬酸为反应体系,通过柠檬酸盐聚合燃烧法合成PZT(Pb((Zr0.52Ti0.48)O3)、PZTS(Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3)和PZTSM(Pb0.95Sr0.05(Zr0.52Ti0.48)O3+0.75%MnO2(摩尔比))微粉,研究了溶液混合后发生的化学反应,并测试了利用此方法制备的PZT、PZTS和PZTSM的介电和压电性能。结果表明,与PZTS相比,PZTSM的d33(211pC·N–1)、kp(0.498)和ε/ε0(1171)都有显著提高,而tgδ(0.0035)、矫顽电场和剩余极化明显降低,同时表现出施主和受主掺杂特性。

    2004年09期 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 169k]
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  • 单分散二氧化硅超细颗粒的制备

    李春明,付振晓,黎红明,杜泽伟,聂小明,刘会冲

    通过控制反应速度,以氨催化水解醇介质中的正硅酸乙酯(TEOS)制备得到了400±20nm的单分散二氧化硅超细颗粒。反应首先在低浓度TEOS下形成并完善晶核,再在高浓度下促使晶核强制生长,最后经陈化得到粒径分布集中、单分散二氧化硅超细颗粒。以制备的SiO2作为添加剂制作Y5V特性MLCC,其性能优于进口SiO2。

    2004年09期 29-30+33页 [查看摘要][在线阅读][下载 222k]
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  • 掺杂浓度对AZO薄膜结构和性能的影响

    葛春桥,夏志林,郭爱云

    采用溶胶–凝胶工艺在玻璃基片上制备出Al3+掺杂型的ZnO(AZO)透明导电薄膜,对薄膜进行了XRD和SEM分析,并对其光电性能作了详细的研究。结果表明薄膜为纤锌矿型结构,呈c轴方向择优生长;薄膜的可见光透过率可达80%以上;Al3+掺杂型的ZnO透明导电薄膜的电阻率为1.5×10–2~8.2×10–2?·cm。

    2004年09期 31-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 188k]
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  • 纳米氧化锡制备方法的研究进展

    朱路平,贾志杰

    从制备氧化锡的方法,原理和工艺特点等几方面综述了近年来纳米氧化锡粉末、薄膜、棒、线、带的最新研究进展。着重阐述了制备准一维纳米氧化锡的过程及各自的生长机制。并对纳米氧化锡粉体制备的研究方向和产业化发展趋势作了展望。

    2004年09期 34-36+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 215k]
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  • 碳纳米管纯化的研究进展

    曹清,陈召勇,李言荣,邓新武,蔡帝

    鉴于不同方法所制备的碳纳米管都混有无定形碳、碳纳米颗粒、富勒烯及催化剂粒子等杂质,故必须对其进行纯化。笔者对现今的主要提纯方法,诸如物理纯化法(离心与微孔过滤,空间排阻色谱),化学纯化法(气相氧化,液相氧化等)进行了评述,并介绍了各种方法中典型的提纯步骤。对这些提纯方法的机理也进行了讨论。

    2004年09期 37-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 78k]
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  • 低介电常数纳米多孔氧化硅薄膜的研究进展

    杨大祥,冯坚,周新贵,张长瑞,王娟

    纳米二氧化硅(NPS)薄膜是新型微波大功率器件和超大规模集成电路(ULSI)互连系统的最佳候选绝缘介质之一,有着广泛的应用前景。介绍了NPS薄膜的制备工艺,综述了NPS薄膜的国内外研究进展及其检测方法,并探讨了NPS薄膜材料的弱点以及今后应进一步研究的若干问题。

    2004年09期 41-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 158k]
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  • 铝电解电容器的现状与发展趋势

    陈卫东,张红卫,顾义明,丁晓峰,朱军

    介绍了当今世界铝电解电容器行业的现状与特点,分析了我国在加入WTO以后、整个世界铝电解电容器制造业正加速向中国转移的情况下,中国在这一行业的产品技术、原材料技术和设备制造等方面存在的差距,并对今后的发展提出一些看法和建议。

    2004年09期 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 54k]
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  • 压电陶瓷常规电性能自动测试系统研究

    张晖

    研究了压电陶瓷常规电性能自动测试系统,解决了精度和速度不能兼顾的矛盾。分析对比了传输线法和自动测试系统产生的误差。结果表明,用压电陶瓷常规电性能自动测试系统完全可以取代传输线法。

    2004年09期 49-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 151k]
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