- 刘飚,官建国,王琦,张清杰
采用多元醇还原工艺和自组装技术,在微米级Fe粉表面包覆纳米Co粒子,一步法制备了一种具有核壳结构的复合磁性微球,用SEM表征了其相组成和形貌,用VSM测试了磁滞回线,初步研究了磁学性能。结果表明:用该法制备的核壳型Fe/Co纳米复合材料表面包覆致密,其比饱和磁化强度和矫顽力介于微米铁粉和纳米钴粉之间。
2004年08期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 110k] [下载次数：453 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：81 ] - 陈轶群,李祥友,李慧玲,曾晓雁
采用激光微细熔覆直写布线的方法在陶瓷基板上制备高密度厚膜导体。导体具有光滑平整的表面、高分辨率(最小线宽30 靘)、高附着强度、良好的电气性能,优良的可焊性,且不需要掩模,因此相比传统丝网印刷工艺更灵活更经济。研究了预置涂层厚度、激光功率密度和激光扫描速度对导体线宽的影响,提出了最佳工艺参数范围:涂层厚度4~15 mm,激光功率密度1~4.8 W/mm2,扫描速度<35 mm/s。所得线宽为30~150 mm。并分析了陶瓷板上激光直写布线的机理。
2004年08期 4-6+10页 [查看摘要][在线阅读][下载 170k] [下载次数：197 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：10 ] |[阅读次数：83 ] - 高峰,张昌松,刘向春,田长生
将Pb(Ni1/3Nb2/3)O3基铁电陶瓷与NiZnCu铁氧体叠层低温共烧,研究了两种材料的共烧兼容特性,结果表明,两种材料之间不会发生化学反应产生新的物相,二者具有良好的化学相容性;两种材料在烧结收缩致密化过程中存在差异,由此导致叠层共烧体产生翘曲和开裂缺陷;对叠层共烧体微观组织结构分析表明,在叠层共烧体中靠近界面处铁电材料晶粒尺寸大于远离界面处晶粒尺寸,其原因在于共烧过程中Fe3+从铁氧体材料一侧扩散至铁电材料一侧并固溶于钙钛矿相晶格中所致。
2004年08期 7-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 298k] [下载次数：207 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：105 ] - 陆翠敏,孙清池,胜鹏,徐明霞
采用二次合成工艺得到了Pb(Sn1/3Nb2/3)0.03(Zn1/3Nb2/3)0.03(Mn1/3Sb2/3)0.04Zr0.435Ti0.465O3(PSN-PZN-PMS-PZT)五元系压电陶瓷。分析讨论了压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。并研究升温速度,保温时间对介电、压电性能的影响。结果表明,升温速度过快时材料致密性下降;烧结温度1 260℃保温3 h,得到一种综合性能优良的压电材料。其主要参数:r为1 390,d33为300 pC/N,kp为55.1%,Qm为1 180,tg为0.30?02。
2004年08期 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 149k] [下载次数：146 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：108 ] - 许天旱,赵麦群,刘新华
通过正交实验法对Sn-Ag-Cu系无铅焊锡合金的成分进行了优化研究。用光学显微镜、电导仪、热分析仪等对合金的微观组织、电导率、熔点、铺展性能进行了分析,并与Sn37Pb进行了对比。结果表明,Ag、Cu对Sn-Ag-Cu系焊锡合金的熔点、铺展性和电导率都有影响,当Ag质量分数为3%,Cu为2.8%,焊锡合金具有最佳的综合性能,且与铜基板的扩散层厚度大于Sn37Pb。
2004年08期 14-16+21页 [查看摘要][在线阅读][下载 129k] [下载次数：557 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：51 ] |[阅读次数：83 ] - 张传禹,堵永国,张为军,杨华荣,芦玉峰
选用BaO-Al2O3-SiO2体系微晶玻璃为主要成分,研制出适用于304不锈钢基片的介质浆料。通过丝网印刷、烘干和烧结,能够为304不锈钢基片提供可靠的介质层。介质层厚度达到70 mm以上时,其击穿电压不低于2 100 V,完全满足大功率厚膜电路对基片绝缘性能的要求。
2004年08期 17-18+21页 [查看摘要][在线阅读][下载 118k] [下载次数：323 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：85 ] - 刘晓宁,全宝富,何月华,吴玉军,陈丽华
介绍了一种新型管式结构固体电解质CO2传感器。该传感器是将溶胶–凝胶法制备的NASICON材料均匀涂敷在Al2O3陶瓷管上,烧结形成厚膜,加热丝穿过管内提供热量。在加热电流为180 mA,CO2浓度为(200~2000)?06时,管式元件灵敏度曲线的斜率达到60,比同电流下平面型元件的斜率高出14.2。35 d内,管式元件在1 000?06浓度下的漂移值为8.8 mV,与平面型元件的漂移值11.3 mV相比,显示了较好的稳定性。
2004年08期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 129k] [下载次数：133 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：100 ] - 禹争光,杨邦朝
采用X射线光电子能谱(XPS)对比分析纯氧化锌陶瓷和氧化锌压敏电阻的界面特性。结果表明,纯氧化锌陶瓷晶粒平均尺寸小于10 祄,掺杂材料有利于ZnO晶粒均匀生长。界面上O/Zn原子数量比值等于2.58,但界面势垒不到10 mV,其体电阻率在2.36~47.97佟m。价电子谱发现:室温下仅纯ZnO费米能级附近有载流子分布,这表明:压敏电阻界面有陷阱态,氧化锌压敏电阻界面电输运特性需用载流子陷阱对双肖特基势垒进行补充。
2004年08期 22-23+50页 [查看摘要][在线阅读][下载 126k] [下载次数：218 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：133 ] - 路峻岭,田文杰,张伟,张福学
介绍了利用石英晶片频率的力敏效应制作的水平姿态传感器及其敏感头的结构。分析了敏感头结构参数与传感器的标度因数、线性度等技术指标的关系,并指出了该传感器需要进一步研究的问题。目前,压电谐振式水平姿态传感器样机的分辨率优于0.001 4°,在2°的范围内,标度因数达1.60 Hz/5″,非线性度不大于0.13%。
2004年08期 24-26+50页 [查看摘要][在线阅读][下载 146k] [下载次数：164 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：81 ] - 陈洪存,王矜奉,臧国忠,苏文斌,王春明,亓鹏
研究了(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响。施主Nb离子的掺杂显著提高了压敏电阻的势垒高度,这与它能提供晶界势垒形成所必需的正电荷和负电荷直接相关。小半径离子Mg和Al易于处在ZnO的填隙位置,适量的掺杂也能提高晶界势垒高度,这与处在填隙位置的金属离子能提供正电荷和负电荷有关。而且填隙掺杂还能有效地改善陶瓷的致密度和均匀度,从而降低了ZnO压敏电阻漏电流、残压比和提高了非线性。(Nb,Mg,Al) 多元掺杂的ZnO压敏电阻的漏电流、残压比和非线性系数分别达到了 0.3 mA、V40kA/V1mA 2.5和a 110。
2004年08期 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 82k] [下载次数：272 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：14 ] |[阅读次数：106 ] - 杜凤山,郭振宇,李亮
为了得到准确的设计参数,笔者采用有限元软件ANSYS电磁–热–结构耦合场分析方法,对热双金属片的热弹性变形进行仿真,通过建立有限元模型,模拟脱扣器驱动部件在各种要求工况下的热–结构特性,分别得到电流为:100 A,120 A,150 A,720 A时,热双金属片温度、位移随通电时间的瞬态关系,避免了数值计算时热双金属片温度偏差引入的误差。
2004年08期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 88k] [下载次数：354 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：18 ] |[阅读次数：82 ] - 孙克辉,高冬花,徐畅,钱功伟
为了克服用手机发送短信时键盘空间的限制,设计了基于Q2358C无线收发模块的短信收发系统。该系统由硬件系统和软件系统两部分组成。硬件系统主要由Q2358C收发模块及其外围电路组成收发终端,并通过RS232串口与PC机连接;软件部分主要由设计的系统应用程序通过动态链接库向模块发送AT(Attention)指令,从而使系统完成短信收发功能。系统具有结构简单、操作方便、性能稳定等特点。
2004年08期 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 55k] [下载次数：236 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：59 ] - 姚伟,王思爱,沈卓身
针对陶瓷DIP外壳钎焊时,常出现AgCu28钎料流淌的问题,而钎料铺展性对钎料的流淌起着重要作用,为此研究了在不同的生产工艺条件下,AgCu28共晶钎料在镀有不同厚度镍的金属化陶瓷基板和4J42可伐合金片上的铺展性。结果显示钎料在化学镀镍层上比在4J42合金带上的铺展面积大,并存在一个临界镀镍层厚度(0.5~1.0 靘),超过这一临界值,铺展面积显著下降。钎料铺展面积随着焊接温度、时间而改变,控制在钎料熔点以上的停留时间是减少钎料过分铺展的关键。
2004年08期 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1006k] [下载次数：526 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：15 ] |[阅读次数：59 ] - 牛新书,李红花,蒋凯
综述了近年来金属离子掺杂纳米TiO2光催化的研究现状,对其掺杂机理、制备方法(溶胶–凝胶法、沉淀法、浸渍法、水热法等)和影响TiO2光催化效率与光谱响应范围的因素,如掺杂金属离子的种类、浓度、能级、电子构型、半径、化合价等进行了探讨,并对今后的研究作出了展望。
2004年08期 39-42+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 85k] [下载次数：1143 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：72 ] |[阅读次数：98 ] - 石礼伟
详细综述了一维ZnO纳米线的制备方法,包括气–液–固催化反应生长法、模板限制辅助生长法、金属有机气相外延生长法、自组织生长法等,介绍了其在微电子及光电子领域的潜在应用。并报道了作者采用热氧化射频磁控共溅射Zn/SiO2复合膜,金属锌从SiO2基质中析出合成了六方纤锌矿结构ZnO纳米线。
2004年08期 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 240k] [下载次数：1052 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：28 ] |[阅读次数：150 ] - 叶会英,禹延光
提出了由一种实用元件——压电双晶片测量压电材料的压电常数d31的方法。这种测量方法不同于通常的由标准样品测量压电材料参数的方法。文中给出了测量原理、测量装置等。理论和实验结果表明:这种新的测量方法是可行的。设备简单、价廉,操作容易,精度较高。
2004年08期 46-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 666k] [下载次数：285 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：71 ] - 朱绪飞,宋晔,魏纯香,顾义明,陈卫东
对三种高压阳极化成铝箔进行了SEM的形貌和EDS组分分析,用三种铝箔分别制成400 V,6 800 霧电容器并进行了耐久性试验对比,对电容器性能和阳极化成铝箔氧化膜形貌之间的关系进行了探讨。结果表明:隧道腐蚀铝箔的氧化膜残存的杂质离子多,容易击穿;氧化膜表面过多的羟基对电容器的漏电流影响很大。
2004年08期 51-53页 [查看摘要][在线阅读][下载 119k] [下载次数：235 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：164 ] - 赵光云,赵俊斌2004年08期 54-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 49k] [下载次数：74 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：59 ]
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