刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 压电元件机电耦合系数定义研究

    叶会英,张德辉

    用作转换器的压电元件的一个重要特性是衡量其能量转换效率。常用来表征这一特征的参数是机电耦合系数。对于机电耦合系数这一参数,没有一个统一的定义,对目前常用的三种定义方式进行了分析,通过一个实例 — —长条片横向长度伸缩振动模式压电振子,比较了三种定义的联系、差别以及适用范围。分析结果表明:开路-短路计算方法是一种适用范围更广的方法。 

    2004年07期 1-3+6页 [查看摘要][在线阅读][下载 143k]
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  • SnO_2掺杂ZnO-Nb_2O_5-TiO_2微波介质陶瓷

    王焕平,张启龙,杨辉,邹佳丽

    研究了 SnO_2对 ZnO-Nb_2O-5-TiO_2陶瓷相结构和微波介电性能的影响。随 Sn 添加量的增加,晶相组成逐步从(Zn_(0.15)Nb_(0.30)Ti_(0.55))O2相转变为 ZnTiNb_2O_8相,相对介电常数 ?r减少,?f向负频率温度系数方向移动, 当 Sn 含量增加到0.20,?f可降至 9.8×10–6℃–1。当 SnO2的摩尔比 y 为 0~<0.08 时,形成完全固溶体,提高 Q·f 值;当 y>0.08,部分Sn 形成第 2 相,降低其 Q·f 值。当 y 为 0.08,在 1 150℃烧结,具有很好的微波介电性能,其 ?r为 50.3,Q·f 为 14 892GHz,?f为 25.12×10-6℃–1。 

    2004年07期 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 80k]
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  • 溶胶–凝胶法制备BaTiO_3薄膜的研究

    宋建静,曲远方

    以醋酸钡和钛酸丁酯为原料,应用溶胶–凝胶法在 Al2O3基片上制备了 BaTiO3薄膜。具体分析了原料、溶剂、催化剂、溶液的 pH 值、螯合剂和表面活性剂对溶胶–凝胶体系的影响,以及加水量、乙二醇加入量和醋酸对溶胶–凝胶黏度的影响。并且可以把掺杂离子加入到溶胶–凝胶中,为调节 BaTiO3薄膜的性能打下了良好的基础。 

    2004年07期 7-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 63k]
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  • 掺杂对PZT铁电陶瓷介电铁电性能的影响

    张水琴,杨成韬,刘敬松,袁正希,张树人

    掺杂可以改变锆钛酸铅系铁电陶瓷的性能。着重对掺 La3+、Mn2+对 PZT 陶瓷结构与性能的影响作了一些研究和探讨,通过对掺两种添加物的样品的介电、铁电性能的比较发现:掺 La3+可以增大剩余极化值和损耗;掺杂 Mn2+可以降低损耗;同时加入 La3+、Mn2+可以调整 PZT 性能得到理想的效果:2Pr 为 80×10–6/cm2,tg? 为 0.6×10–2。 

    2004年07期 10-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 230k]
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  • Ba_2Ti_9O_(20)陶瓷的低温烧结及其在MLCC中的应用

    陈爱东,刘玉红

    以 BaTiO_3和 TiO_2粉末进行固相反应来合成 Ba_2Ti_9O_(20)主晶相,通过添加烧结助剂及少量 Ca、Nd、W 改性剂来降低瓷料的烧结温度,使瓷料的介电性能达到高频 MLCC电性能要求。研究结果表明,采用 Ca、Nd、W 复合添加剂可显著地降低 Ba_2Ti_9O_(20)主晶相的合成温度降至 1 200℃,采用硼硅酸盐玻璃可使陶瓷烧结温度降低至 1 000 以下,实现了 Ba_2Ti_9O_(20)陶瓷与低钯电极浆料的共烧,成功地应用于高频 MLCC。 

    2004年07期 13-15+18页 [查看摘要][在线阅读][下载 150k]
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  • K~+掺杂对SnO_2-LiZnVO_4系湿敏陶瓷性能的影响

    胡素梅,陈海波,傅刚

    为了提高 SnO_2-LiZnVO_4系湿敏材料的性能,采用共沉淀法制备出 SnO_2-K_2O-LiZnVO_4系纳米湿敏粉体。考察了液相掺杂 K+对材料湿敏性能、复阻抗特性和电容特性的影响。实验结果表明,采用共沉淀法制备纳米粉体并使K+液相掺杂量为 2.5%(摩尔分数),可使湿敏材料低湿电阻小、灵敏度适中,适当的 K+添加量可明显改善 SnO_2-LiZnVO_4系纳米材料的感湿特性。 

    2004年07期 16-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 78k]
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  • 控制铅挥发制备钛酸锶铅半导体陶瓷

    赵景畅,吴兴惠,李龙土

    在 Y 掺杂的钛酸锶铅中,分别添加过量 PbO、SiO_2、ZrO_2制备之半导体陶瓷样品,在居里点(约 120℃)以上具有强的 PTC 效应,升阻比接近 5 个数量级。其中,SiO_2或 ZrO_2增强了居里点以下的 NTC 效应,降阻比可达 1个数量级;而少量 PbO 则降低了陶瓷的室温电阻率和 NTC 效应。通过热处理可以使热敏特性由 PTC 型向 NTC-PTC复合型转变,表明 NTC 效应与铅含量变化密切相关,控制铅挥发能获得不同热敏特性的钛酸锶铅半导体陶瓷。 

    2004年07期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 415k]
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  • “2004中国电子元件百强峰会论坛”5月21日在北京召开

    2004年07期 21页 [查看摘要][在线阅读][下载 52k]
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  • 溶胶–凝胶法制备ATO-SiO_2抗静电复合薄膜的特性研究

    吴春春,杨辉,冯博,陆文伟

    采用两步溶胶–凝胶法制备出 ATO(掺锑氧化锡)-SiO_2复合抗静电薄膜。通过 DTA-TG、XRD、SEM 对 薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:抗静电复合薄膜表面均匀致密。薄膜中 SiO_2为无定形结构,ATO 的衍射峰 与 SnO_2一致。研究了 SnO_2的含量对薄膜导电性能、结合强度和透过率的影响,发现随 SnO_2含量增加 ?(SnO_2/ SiO_2)从 5 至 12.5,薄膜的表面电阻降低(从 1010ù/□降低到 108ù/□),薄膜的结合强度下降,薄膜的透过率降低(从 89.0%降至 84.2%),结合三方面性能,得出最佳 SnO_2的配比为:?(SnO_2/ SiO_2)=10。 

    2004年07期 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 72k]
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  • 表面活性剂对厚膜电子浆料流平性的影响

    杨华荣,堵永国,张为军,杨盛良,张传禹

    通过测量丝网印刷后膜层的表面粗糙度来表征厚膜电子浆料的流平性,研究了常用表面活性剂司班 85 及卵磷脂含量对浆料流平性的影响。结果表明,随着有机载体中表面活性剂含量增加,厚膜电子浆料的流平性变差。此外,还初步分析了表面活性剂对提高浆料的分散性和稳定性的作用。 

    2004年07期 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 69k]
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  • 部推进电子信息产品污染防治标准化

    2004年07期 27页 [查看摘要][在线阅读][下载 35k]
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  • 厚膜镍导电浆料研究

    张俊兵,樊自拴,孙冬柏,俞宏英,孟惠民,李辉勤

    研究了厚膜镍导电浆料的制备及其烧结工艺,讨论了浆料中玻璃粉含量、烧结温度、保温时间及烧结气氛对烧结膜的附着力、方阻和可焊性的影响。结果表明:镍粉与玻璃粉的相对质量比 100/8 的厚膜镍导电浆料,在烧结温 度 750℃、保温时间 10~15 min 并有氮气保护的低氧分压烧结气氛时,可获得具有良好附着力、导电性和可焊性的膜层。 

    2004年07期 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 56k]
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  • 衬底温度和溅射偏压对ZnO:Al透明导电膜结构和光电特性的影响

    杨田林,韩圣浩,张鹏,王爱芳

    利用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和7059玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的低电阻率的 ZnO:Al透明导电膜。研究了薄膜的结构和光电特性与衬底温度的关系,薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的 c 轴具有[002]方向的择优取向,薄膜的最低电阻率分别为 1.01×10–3ù·cm 和 8.48×10–4ù·cm,在可见光区的平均透过率分别达到了72%和 85%。并研究了溅射偏压对有机衬底 ZnO:Al 薄膜结构及光电特性影响,最佳负偏压为 60 V。 

    2004年07期 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 173k]
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  • 2004年度电子发展基金项目开始申报

    2004年07期 34页 [查看摘要][在线阅读][下载 42k]
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  • 超细银粉的制备及其导电性研究

    孟淑媛,吴海斌,吴松平,唐元勋

    用化学还原法在醇水体系中制备出平均颗粒粒径为 0.8~1.2 μm、分散性好的超细球银。讨论了表面活性剂、还原剂的种类、温度、硝酸银含量及 pH 值对球银颗粒粒径和分散性的影响。将所得超细球银在水体系中高效率球磨得分散性好的光亮片状银粉,平均粒径<6 ìm,比表面积 0.7~1.3 m2/g。讨论了吸附在银粉表面的有机物的种类和比表面积对片银导电性能的影响,结果表明:比表面积越大,导电性越好。 

    2004年07期 35-37+40页 [查看摘要][在线阅读][下载 116k]
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  • 电子元件包装用抗静电薄膜的制备

    丁新更,杨辉,吴春春,陈良辅

    采用聚乙烯二氧噻酚(PEDT)为导电物质,聚氨酯为主要成膜物质在包装材料(PP)表面制备电子元件包装用抗静电薄膜。随着 w(导电材料)从 8%增加到 16%,膜的表面电阻从 109ù/□降低为 107ù/□,之后保持不变。当w(导电材料)大于 24%时,表面电阻继续降低为 106ù/□。随着聚氨酯加入量的增加,薄膜的表面电阻升高,从 106变为 108ù/□。聚氨酯含量的增加,使薄膜的强度先增加后降低。实验确定之理想配方为:w(PEDT)为 12%,w(聚氨酯)为 32.8%。 

    2004年07期 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 53k]
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  • SiC/SiO_2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究

    石礼伟,李玉国,王书运,薛成山,庄惠照

    采用 SiC/SiO_2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了 SiC/SiO_2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X 射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能。结果表明,样品经高温退火后在 SiO_2基质中有 SiC 纳米颗粒形成。以 280 nm 波长光激发样品薄膜表面,显示出较强的 365 nm 的紫外光发射以及 458 nm 和 490 nm 处的蓝光发射,其发光强度随退火温度从 800℃升高至 1 050℃而增强。其发光归结为薄膜中与 Si-O 相关的缺陷形成的发光中心。 

    2004年07期 41-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 96k]
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  • ITO纳米粉的低温制备

    张贤高,贺平,贾志杰,黄新堂

    介绍了一种 ITO 纳米粉的低温、易于量产的制备方法。将铟锡氢氧化物置于充满氩气的高压釜,在 300℃、2 MPa 的条件下就可制得 5~20 nm 的 ITO 纳米粉。用 XRD、TEM 分析 ITO 纳米粉的形貌为纺锤状,结晶状况良好,更有利于制备高致密度靶材。与其它方法相比,本方法反应条件柔和,反应温度降低了约 200℃。 

    2004年07期 44-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 111k]
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  • 退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响

    李忠,赵显,李玉国,薛成山

    获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为 1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O 复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构,因量子限制效应–表面复合效应而发光。 

    2004年07期 46-47+50页 [查看摘要][在线阅读][下载 125k]
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  • 半导体器件并联系统可靠性评估的经验Bayes方法

    师小琳,段哲民,师义民

    为了提高机载开关电源中半导体器件并联系统可靠性评估的准确性,运用经验 Bayes 法和经典的统计方法,研究了该系统的可靠性评估问题。分别给出了系统可靠性指标的经验 Bayes 估计,极大似然估计。利用 Monte-Carlo方法,对两种估计结果进行了比较,结果表明,经验 Bayes 估计的最大绝对误差为 0.07,它小于极大似然估计的最大绝对误差 0.368。 

    2004年07期 48-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 66k]
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  • 《电子元件与材料》第五届编委会成立暨工作会议纪要

    2004年07期 51页 [查看摘要][在线阅读][下载 36k]
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  • 《电子元件与材料》第五届编委会名单

    2004年07期 51页 [查看摘要][在线阅读][下载 36k]
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  • 征文通知

    2004年07期 51页 [查看摘要][在线阅读][下载 36k]
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  • 《电子元件与材料》选题大纲

    2004年07期 52页 [查看摘要][在线阅读][下载 29k]
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