刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
本刊被以下数据库收录:
中文核心期刊
中国科技核心期刊
CA化学文摘(美)
SA科学文摘(英)
JST日本科学技术振兴机构数据库(日)
EBSCO学术数据库(美)

CSCD中国科学引文数据库来源期刊
核心期刊:
中文核心期刊(2020)
中文核心期刊(2017)
中文核心期刊(2011)
中文核心期刊(2008)
中文核心期刊(2004)
中文核心期刊(2000)
中文核心期刊(1996)
中文核心期刊(1992)


  • 丙烯酸树脂/钛酸钡纳米复合材料的研究

    石智强,汪智权,牟立,李曹,刘孝波

    采用原位聚合的方法制备了丙烯酸树脂/BaTiO_3纳米复合材料,用SEM分析其表面形貌。研究了该复合材料与聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基膜复合的电性能,并探讨了PET基膜和涂层对复合薄膜整体电性能的影响。初步制备出了具备高介电常数、高击穿、低损耗的复合薄膜。为工业化低成本生产高储能密度电容器提供了新的思路。

    2004年05期 1-2+18页 [查看摘要][在线阅读][下载 268k]
    [下载次数:305 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:17 ] |[阅读次数:88 ]
  • BNT陶瓷低温烧成与性能

    陈尚坤,杨辉,王家邦,张启龙

    采用复合添加BaCuO_2-CuO(以下简称BCC)、ZnO-B_2O_3-SiO_2(以下简称ZBS)等烧结助剂的方法,研究了Ba_4(Nd_(0.85)Bi_(0.15))_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷(以下简称BNT)低温烧结的烧结特性和微波介电性能。结果表明:复合添加(均为质量分数)2.5%BaCuO_2-CuO和5%ZnO-B_2O_3-SiO_2后可以在1050℃烧结成致密瓷,气孔率为5.73%,在5.6 GHz,相对个电常数ε_r为64.25,Q·f值为2026 GHz,频率温度系数τ_f为+26.4×10~(-6)℃~(-1),可望实现与Cu电极浆料低温共烧。

    2004年05期 3-5+11页 [查看摘要][在线阅读][下载 542k]
    [下载次数:255 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:6 ] |[阅读次数:80 ]
  • 低插损同轴型微波介质滤波器的设计

    吕文中,孙建,梁飞,刘坚

    1/4波长同轴谐振器构成的微波介质带通滤波器,具有三个谐振孔、二个耦合孔,谐振器间通过耦合孔相互耦合,材料采用高介电常数微波陶瓷,器件表面涂覆金属电极。讨论了耦合孔半径对滤波器技术指标(中心频率f_0、3dB带宽B、插入损耗L_0、阻带抑制L_A等)的影响,然后根据给定的滤波器技术指标确定了滤波器的类型、结构、级数及尺寸,最后进行了仿真验证,得到了低损耗的带通滤波器。

    2004年05期 6-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 201k]
    [下载次数:566 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:15 ] |[阅读次数:87 ]
  • 铅镁锰锑铌多元系压电陶瓷材料

    周桃生,魏念,李剑,柴荔英

    采用先驱体法制备了Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_A(Mn_(1/3)Nb_2/3))_B(Mm_(1/3)Sb_(2/3))_CZr_DTi_EO_3(PMMSN)铅镁锰锑铌多元系中温压电陶瓷材料。从XRD图谱可以看出,先驱体法容易消除焦绿石相,得到单相钙钛矿材料。实验结果表明,先驱体法制成样品的烧成温度较低,压电和介电性能优良。1100℃烧结样品的性能参数:Qm为2060,k_p为0.55,ε_r为1200,d_(33)为293 pC/N,tgδ为0.45×10~(-2),可用于压电变压器、超声换能器和压电马达等功率型器件。

    2004年05期 9-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 194k]
    [下载次数:127 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:6 ] |[阅读次数:101 ]
  • Ba/Ti摩尔比对B位钙掺杂钛酸钡性能的影响

    李艳霞,姚熹,张良莹

    研究了Ba/Ti摩尔比、B位钙掺杂量和烧结气氛对钛酸钡陶瓷的致密化、微观结构、电阻率以及介电性能的影响。结果表明,随着Ba/Ti摩尔比的增加,样品密度增大,陶瓷晶粒变小,致密化程度增加,材料的居里点向低温方向移动,漏导损耗减小,电阻率增加。而随着钙掺杂量的增加,样品密度减小,孔洞增大增多,漏导损耗增大,电阻率减小。

    2004年05期 12-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 489k]
    [下载次数:303 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:8 ] |[阅读次数:108 ]
  • V_2O_5的引入方式对锂铌钛微波陶瓷性能的影响

    刘兴元,张启龙,杨辉,童建喜,陆德龙

    研究了Li_(1+x-y)Nb_(1-x-3y)Ti_(x+4y)微波介质陶瓷以V_2O_5作为烧结助剂的烧结机理,V_2O_5不同的引入方式对材料主晶相预合成度、钒在粉体中的分散性能、烧结性能和微波性能的温度稳定性等的影响。研究表明,该体系属于液相烧结,对V_2O_5进行热处理有利于提高预合成度,有利于制备均匀的陶瓷粉料,有利于提高烧结性能和微波性能的稳定性。

    2004年05期 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 352k]
    [下载次数:192 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:13 ] |[阅读次数:76 ]
  • MEMS压力传感器上柔性化凸点制备方法

    谯锴,吴懿平,吴丰顺

    介绍了一种适用于MEMS压力传感器的低成本、柔性化凸点下金属层(Under Bump Metal,UBM)和凸点(Bump)的制备工艺。其中凸点下金属层分为Ni-P/Cu两层,使用化学镀的方法沉积在Al焊盘表面;凸点通过焊膏印刷回流预制于陶瓷基片上,再通过转移工艺移植到焊盘上。为了检验此套工艺制出的凸点结构是否具有足够的强度,对凸点进行了剪切破坏试验。结果表明,凸点与凸点下金属层、凸点下金属层与Al焊盘均结合牢固,破坏主要发生在焊料凸点内最薄弱的金属间化合物层(Intermetallic Compound,IMC)。

    2004年05期 19-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 722k]
    [下载次数:232 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:106 ]
  • 补偿硅的温度敏感特性

    张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,M.K.巴哈迪尔哈诺夫

    采用低电阻车的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅。在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×10~3、4.8×10~4、1.3×10~5、3.2×10~5Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5103,5600,6103,6502 K。这种扩锰硅是一种温度敏感材料,笔者将报道这些实验结果并讨论其热敏特性。

    2004年05期 23-24+28页 [查看摘要][在线阅读][下载 225k]
    [下载次数:75 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:7 ] |[阅读次数:91 ]
  • 金属氧化物半导体酒敏材料研究现状

    常剑,詹自力,蒋登高

    概述了SnO_2、ZnO、Fe_2O_3和复合金属氧化物酒敏材料的研究现状,阐述了掺杂、材料粒径纳米化对酒敏性能的影响。介绍了In_2O_3酒敏材料的新进展:采用微乳液的方法制备出粗径8 nm的In_2O_3纳米材料,掺入少量的Pt、La_2O_3制得功耗低(<150 mW)、灵敏度高、选择性和稳定性好的乙醇气体传感器,响应时间7 s,恢复时间30 s;并对酒敏机理进行了浅析。

    2004年05期 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 384k]
    [下载次数:327 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:15 ] |[阅读次数:99 ]
  • BaTiO_3系PTC热敏电阻溅射电极的微观结构

    龚树萍,赵加强,周东祥

    通过对磁控溅射工艺制备的BaTiO_3系PTC热敏电阻电极的研究,发现在瓷片表面沉积镍或铝,无需热处理即可与瓷片形成良好的欧姆接触,并实现了电极与瓷片间良好的附着。利用扫描电镜对溅射形成的镍层进行观察,发现溅射成膜属于层核生长型,晶粒无择优取向,膜层致密,厚度均匀,与瓷片接触紧密,并与瓷片表面形貌有着较好的一致性。但与化学镀镍工艺制备的镍层相比,晶粒大小不够均匀。

    2004年05期 29-31+38页 [查看摘要][在线阅读][下载 764k]
    [下载次数:192 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:87 ]
  • 硅正电阻温度系数热敏电阻器

    蒋朝伦,陶明德,冯中华,李金琢

    为获得一种在常温下具有正温特性的热敏电阻,采用硅单晶材料,利用其迁移率随温度变化的规律设计并制成了硅正电阻温度系数热敏电阻器。测量表明,其电阻值随温度升高而增大。温度系数为(0.6%~0.8%)℃~(-1),在-50~+100℃温度范围内具有准线性。硅正电阻温度系数热敏电阻器特别适合于各种半导体器件和传感器的温度补偿。

    2004年05期 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 185k]
    [下载次数:223 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:85 ]
  • BGA器件及其常见的形式

    胡志勇

    BGA器件不仅能够满足现在已有的其它组件所不能够提供的高性能、大量I/O数量的应用要求,也给如今的有引脚元器件提供了一种可靠的可替换方案。对于在组件体的底部位置安置有大量焊球阵列的BGA器件来说有四种主要的类型。表面阵列配置的组装技术将会成为电子组装业最主要的发展潮流。

    2004年05期 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 410k]
    [下载次数:268 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:14 ] |[阅读次数:59 ]
  • 介质薄膜的制备及其电性能的测试分析

    崔红玲,杨邦朝,杜小松,滕林,周鸿仁

    以Al_2O_3薄膜为例,介绍了用电子束蒸发制备介质薄膜的工艺。研究了不同退火条件下Al_2O_3薄膜的电性能,优化出最佳的热处理条件为400℃、氧气气氛中,热处理3 h。并对制得的Al_2O_3薄膜进行了SEM表面和断面分析,结果表明制得的Al_2O_3薄膜较烧结的Al_2O_3基板致密。

    2004年05期 39-40+51页 [查看摘要][在线阅读][下载 400k]
    [下载次数:154 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:5 ] |[阅读次数:94 ]
  • Pb/Sn凸剪切性能研究

    李倩倩,陈国海,马莒生

    在实际使用条件下,Pb/Sn凸点会由于承受温度循环而产生剪切应力,剪切应力导致的主要失效方式是开裂.通过对倒装焊后Pb/Sn凸点剪切强度的测量及对剪切后断口的分析,发现破坏主要发生在凸点下金属(UBM)层内部或UBM与Al焊盘之间,平均剪切强度受凸点尺寸影响很小,范围在21~24MPa。

    2004年05期 41-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 242k]
    [下载次数:93 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:68 ]
  • 多芯片组件散热的三维有限元分析

    程迎军,罗乐,蒋玉齐,杜茂华

    基于有限元法的数值模拟技术是多芯片组件(Multichip Module)热设计的重要工具。采用有限元软件ANSYS建立了一种用于某种特殊场合的MCM的三维热模型,对空气自然对流情况下,MCM模型的温度分布和散热状况进行了模拟计算。并定量分析了空气强迫对流和热沉两种热增强手段对MCM模型温度分布和散热状况的影响。研究结果为MCM的热设计提供了重要的理论依据。

    2004年05期 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 392k]
    [下载次数:557 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:29 ] |[阅读次数:73 ]
  • 纳米CeO_2磨料对硅晶片CMP的效果与机理研究

    陈杨,陈建清,陈志刚,陈爱莲

    通过均相沉淀法制备了纳米CeO_2超细粉体,并配制成抛光液对硅片进行化学机械抛光(CMP),研究了纳米CeO_2磨料对硅片的抛光效果,通过建立的接触模型进一步地解释了纳米级磨料的化学机械抛光机理。实验结果分析表明:由于纳米磨料粒径小,切削深度小,材料是以塑性流动的方式去除。使用纳米CeO_2磨料最终在1μm的范围内达到了微观表面粗糙度Ra为0.103 nm的超光滑表面,而且表面的微观起伏更趋向于平缓。

    2004年05期 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 354k]
    [下载次数:315 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:19 ] |[阅读次数:43 ]
  • 球形微细碳酸钡粉体的制备

    张嫦,周小菊

    研究了PTC元件专用球形微细碳酸钡粉体的制备方法,最佳工艺条件为:反应温度50℃,陈化时间30 min,原料混合方式为对加,工艺过程中添加复合型晶形转化剂、获得了含量为99.75%、压缩密度约为2.7g·cm~(-3)、粒径在0.5μm左右的球形碳酸钡粉体。

    2004年05期 49-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 366k]
    [下载次数:286 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:4 ] |[阅读次数:61 ]
  • 加速电子元件业产品结构调整 提升电子元件出口创汇能力

    <正> 全球电子元件业在经历2000年发展高峰之后,受亚洲金融风暴以及美国9.11事件的影响,于2001年坠入谷底,2002年从谷底反弹,2003年步入恢复期。此期间,就我国国民经济、电子信息产业及电子元件业而言受国际大环境影响甚微,中国参加WTO,北京申奥成功,加之我国投资环境投资政策进一步优化,北美、西欧、日本、韩国及中国台湾地区元件业的一些大公司为转嫁经济衰退带来的负面效应,加速刺激了中、低档电子元件产品向中国的转移步伐。这种形势也反映在我国电子元件业的进出口贸易上:在出口

    2004年05期 52页 [查看摘要][在线阅读][下载 92k]
    [下载次数:77 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:58 ]
  • 下载本期数据