- 杨亚杰,吴志明,蒋亚东,徐建华
介绍了采用具有高电导率(1~500 S/cm)、热稳定性好的德国拜尔公司生产的导电聚合物PEDT(聚-3,4乙烯二氧噻吩)单体,提纯后取代MnO2,在国产固体钽电容器芯子上制作PEDT阴极层的过程,降低了钽电容器的等效串联电阻,改善了钽电容器的频率特性,拓展了钽电容器的频率应用范围。
2004年04期 1-2+5页 [查看摘要][在线阅读][下载 59k] [下载次数：203 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：13 ] |[阅读次数：97 ] - 彭德全
根据节能灯对金属化薄膜电容器的耐温及耐电冲击等要求,采取控制芯子的错边、喷金层与金属层的粘结、喷金层完整度、喷金层与引线之间的接触等措施,实现了对金属化薄膜电容器关键参数的控制——损耗角正切tg的控制。
2004年04期 3-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 56k] [下载次数：118 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：66 ] - 吴斌,张良莹,姚熹
采用溶胶–凝胶法制备出均匀的Ba-Sr-Ti-Pb-B-Si-O凝胶玻璃,通过适当的热处理,原位析出BaxSr1-xTiO3(BST)微晶,同时在一定温度下获得Pb-B-Si-O玻璃相。玻璃相的存在降低了BST玻璃陶瓷的烧结温度:烧结温度在1 000℃以下,体积密度达到理论密度的90%以上。由于Pb2+取代了Ba2+、Sr2+,形成PbTiO3,导致了BST玻璃陶瓷的居里温度向高温方向移动。
2004年04期 6-7+21页 [查看摘要][在线阅读][下载 147k] [下载次数：227 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：93 ] - 陈彩虹,钟建薇,赖永雄,李基森,吴建青
对具有Y5V特性的BCTZ系抗还原介质材料进行了施主离子(Y3+)和受主离子(Mn2+)共掺杂。以该电介质制备出多层陶瓷电容器,并测试了其介电性能。讨论了Y3+和Mn2+离子共掺杂对Y5V特性的BCTZ系介质材料介电性能的影响。通过施主-受主掺杂,电容器的耐压升高,损耗降低,介电常数减小。并且,容量温度系数满足Z5U特性。
2004年04期 8-10+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 236k] [下载次数：259 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：122 ] - 王宁,赵梅瑜,李蔚,殷之文
为了研究烧成过程中可能的Bi挥发对BiNbO4系材料造成的影响,对A位非化学计量的Bi(1+x)NbO4材料烧结性能、晶相结构、显微织构及微波介电性能作了详细研究,结果表明,A位Bi少量缺量可以促进BiNbO4陶瓷晶粒的生长,使其烧结温度降低,烧结样品的晶相组成仍为正交-BiNbO4相,微波介电性能有所改善;A位Bi过量对BiNbO4陶瓷的烧结性没有明显影响,Bi过量达0.030时,烧结样品内有富Bi的Bi5Nb3O15第二相产生,样品的微波介电性能急剧恶化。
2004年04期 11-14+18页 [查看摘要][在线阅读][下载 188k] [下载次数：136 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：85 ] - 吴毅强,卢金平,胡友根,陶勇剑
应用等效网络法分别测量了空气、聚四氟乙烯及微波介质陶瓷材料片状试样的介电常数。理论分析计算与实验结果表明,该方法在无损测量片状微波介质陶瓷材料试样的介电常数中是可行的,且有模型简单、计算量小、精度较高及操作容易等特点。是一种无损测量片状微波介质陶瓷材料介电常数的简单方法。
2004年04期 15-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 130k] [下载次数：700 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：75 ] - 张建,巴维真,陈朝阳,丛秀云,陶明德,M.K.巴哈迪尔哈诺夫
采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,进行测量电阻随温度的变化关系(温度从77 K上升到300 K)。测试结果表明:在没有光照条件下测试时,电阻随温度的变化同普通的半导体;但在受到光照时,却出现极不相同的情况,这种不同,可能来自所掺杂的硅是一种光敏材料及掺入的杂质是一种深能级杂质。
2004年04期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 71k] [下载次数：69 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：89 ] - 李莉,屈晓田
以TiO2为原材料,制备了具有压敏–电容复合功能的TiO2系压敏陶瓷材料。通过测试典型样品的V-I特性、D-f特性、电容特性及复阻抗频率谱,研究了不同掺Sr量的TiO2系压敏陶瓷材料的相关电学性质。实验结果表明,掺Sr量在强烈影响材料压敏性能的同时,对材料的电容特性也会产生较大影响。在掺Sr量为x (Sr)=0.6%时,样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为55 V/mm,a可达到5,1 kHz下损耗为0.1,相对介电常数可达2.8?05。
2004年04期 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 74k] [下载次数：134 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：79 ] - 畅柱国,张建军,赵丽丽,贾金亮,崔斌,吴淑荣,熊为淼
介绍了以钛酸四丁酯和自制高纯醋酸钡为主要原料,采用溶胶–凝胶一步法(sol-gel)制备限流用BaTiO3系PTC陶瓷材料的工艺路线,用正交实验法研究了Ti/Ba,Pb,Ca,Y,Mn等组分因素对PTC陶瓷材料性能的影响。优化确定了PTC陶瓷材料的较佳组成。在基方固溶体化学组成,原材料选择和复合添加物的改性,特别是烧结工艺等方面做了细致的工作。最终获得了居里温度(tC)100℃,室温电阻率(r25) ≤20 ·cm,升阻比(Rmax / Rmin)>105,温度系数(aR)≥15% /℃,耐电压(Vb)≥190 V·mm1的PTC陶瓷材料。
2004年04期 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 81k] [下载次数：204 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：141 ] - 卢振亚,杨凤金,江涛,庄严
研究了ZnO压敏元件在8/20 ms雷电波冲击试验时的残压波形。实验观察到残压波波前尖峰来源于所采用的放电回路触发元件——铜球间隙;在RLC回路临界点附近,随着冲击电流峰值的增大,残压波波尾从非振荡衰减过渡到大幅度的过零振荡;残压波峰值超前于电流波峰值,说明ZnO压敏元件在冲击电流作用下呈现出电感性,且放电电流越大,呈现的电感性越大;元件厚度越大,呈现的电感性也越大。
2004年04期 29-32+35页 [查看摘要][在线阅读][下载 164k] [下载次数：327 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：17 ] |[阅读次数：78 ] - 严群,陈家钊,涂铭旌
研究了纳米级ZnO粉料对压敏阀片的压敏电压、漏电流和压比的影响,并对其微观结构进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响压敏阀片电性能与微观结构的机理。研究结果表明,氧化锌压敏阀片中加入纳米ZnO后,其压敏电压显著提高。在质量分数为0~30%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的压敏电压明显提高,其压比也呈升高趋势。当纳米ZnO含量为30%时,压敏电压约达547.54 V/mm,压比为1.149。在0~10%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的漏电流呈下降趋势,而在10%~30%的时,漏电流又随纳米ZnO的含量的增加而升高。当纳米ZnO的含量为10%时,漏电流最小,为0.6 mA。
2004年04期 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 72k] [下载次数：181 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：66 ] - 张新涛,汤涛,张其土
以低介电常数的玻璃粉末和莫来石粉末为原料,制备了玻璃–莫来石陶瓷复合材料基板。研究了烧结温度和莫来石含量对复合材料的介电性能和抗弯强度的影响。结果表明,当莫来石质量分数为50%时,玻璃–陶瓷复合材料经1 000℃、2 h的烧结后,其相对介电常数er为4.6、介质损耗tgd 为0.008、抗弯强度s 为90 MPa。另外,该复合材料在200~600℃之间的热膨胀系数约为4.0×106℃1,与Si、GaAs等半导体材料的热膨胀系数相近,可望作为优质封装材料应用。
2004年04期 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 84k] [下载次数：202 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：98 ] - 2004年04期 38页 [查看摘要][在线阅读][下载 44k] [下载次数：39 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：58 ]
- 刘一波,吴懿平,吴丰顺,邬博义,张金松
简要介绍了世界电子产品无铅化趋势及其相关立法,比较了世界各国及地区的无铅专利发展情况。对比了各国公司或个人在我国申请注册的无铅焊料相关专利,对国内无铅焊料专利权利要求书的完善提出了一些建议。最后指出了我国企业在无铅焊料专利申请上的滞后并提出相关对策。
2004年04期 39-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 71k] [下载次数：308 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：19 ] |[阅读次数：174 ] - 熊元新,郝军哲
整个电路采用标准CMOS工艺,采取模块化设计的方法,把数字频率发生器和模拟滤波器部分分开设计。数字频率发生器采用直接数字综合(DDS)的方式,来产生5种不同中心频率(10个通道),简化了传统模拟压控振荡器(VCO)的设计,提高了频率发生器的灵活性;根据精度要求,模拟高斯低通滤波器采用5阶低通滤波器来进行逼近。并论述和讨论了一种用数字和模拟混合集成电路来实现一维模拟输入的连续小波变换(CWT)芯片的方法。
2004年04期 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 90k] [下载次数：62 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：61 ] - 2004年04期 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 48k] [下载次数：284 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：31 ]
- 陈新国,程耕国,高厚礼,杨岚
分析了D类功放大器输出滤波器设计的必要性,并且利用巴特沃思低通滤波器的设计方法对电路参数进行优化设计;采用Filter Free软件仿真滤波器的频域特性。最终达到消除PWM信号中的开关信号和电磁干扰信号,提高效率和保真度,减小输出滤波器的体积和成本。
2004年04期 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 60k] [下载次数：480 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：19 ] |[阅读次数：88 ] - 吴华忠,李晓云,丘泰,沈春英
在AlN-SiC复相材料中加入TiO2,采用热压工艺,制备了性能优异的AlN-SiC-TiO2复相微波衰减材料。通过矢量网络分析仪、SEM等测试手段,研究了AlN-SiC复相材料微波衰减性能与SiC含量的之间的关系,以及添加剂TiO2对AlN-SiC复相材料微波衰减特性和显微结构的影响。结果表明,SiC是良好的宽频微波衰减剂,对衰减频谱曲线特征起决定作用;TiO2的添加大大促进了AlN-SiC复相材料的烧结性能和微波衰减性能,添加了TiO2后6 GHz下衰减量由0.6 dB增加到0.85 dB。初步探讨了AlN-SiC-TiO2复相材料的微波衰减机理,电导损耗、介质损耗是其主要的微波衰减机理。
2004年04期 48-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 83k] [下载次数：212 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：10 ] |[阅读次数：139 ] -
从销售收入、出口创汇、产品集中度、不同经济成分、行业发展特点等方面分析了第十七届中国电子元件百强企业的经济状况。探讨了元件企业面临的机遇与挑战。本届百强企业共完成销售收入585.63亿元,首次突破500亿元,比上年度净增123.23亿元,增长26.25%。出口创汇30.05亿美元,增长37.21%。百强企业主要集中在浙江、广东、江苏、福建、上海五省市。百强企业中各种所有制企业销售收入比重发生了较大变化,国有企业比重大幅下降,而民营、股份制、外资企业占主导地位。
2004年04期 51-55页 [查看摘要][在线阅读][下载 63k] [下载次数：56 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：69 ] - 2004年04期 56页 [查看摘要][在线阅读][下载 32k] [下载次数：26 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：28 ]
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