刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 新春寄语

    2004年01期 1页 [查看摘要][在线阅读][下载 25k]
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  • Pechini方法制备纳米级Pb_(1-x)Ca_xZrO_3陶瓷

    熊学斌,肖定全,陈强,袁小武,于光龙,方喻,朱建国

    采用Pechini方法制备了PCZ(x)纳米粉体,并用PCZ(x)纳米粉体制备了PCZ(x)陶瓷。用激光粒度分析仪分析了PCZ(x)纳米粉体的平均粒径。利用XRD、LCR测试仪、SEM等分析手段表征了PCZ(x)陶瓷的结构及介电性能。结果表明用PCZ(x)纳米粉体在1 250℃下烧结的配方为Pb0.65Ca0.35ZrO3的陶瓷具有最高的钙钛矿相含量以及最大的介电常数。PCZ(x)陶瓷晶粒细小,晶界完整。

    2004年01期 3-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 164k]
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  • 压电变压器的研究进展

    黄耀庭,凌志远

    压电变压器是一种很有发展前景的固体电子器件,有高转换效率、高能量密度、结构简单、体积小、无电磁噪声及不可燃烧等特点。介绍了压电变压器的结构、工作原理、制造方法,综述了国内外压电变压器陶瓷材料、结构设计、理论模型和应用研究的进展情况,并对压电变压器未来的发展趋势作了展望。

    2004年01期 7-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 225k]
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  • 纳米钛酸钡陶瓷之尺寸效应及相关机理

    李标荣,鲁圣国

    对铁电陶瓷纳米粉粒的获得,铁电陶瓷纳米粉粒的粒度效应及其相关机理作了比较系统的叙述,进而对铁电陶瓷中微粒结构形成、微粒结构与铁电性能的关系进行分析,认为现在是将纳米技术用于电子材料的时机,应该找出常用的电子陶瓷材料的介电性能最佳的微粒尺寸分布区段,以利于工业应用及以后研究工作的发展。

    2004年01期 11-15+19页 [查看摘要][在线阅读][下载 590k]
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  • 纳米镍粉制备中影响产率的关键因素

    蒋渝,赖庆贵,杨彦明,管登高,陈家钊,涂铭旌

    在自由弧中利用含熔融氢的等离子射流直接作用于自耗Ni阳极,以此制备金属纳米镍粉末,发现工作压力的影响并不遵循一般真空蒸发的规则,氢的加入才是影响制粉产率的关键因素,氢气的加入能大幅提高制粉产率;提出了微气相分子蒸发机制来解释氢的作用原理,并解释产率与气相中氢分压同步增长的原因。

    2004年01期 16-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 650k]
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  • 转动腔体中射流特性的有限元分析

    朴林华,张伟,张金铎,张福学

    论述了采用有限元法分析转动腔体中射流特性。利用ANSYS-FLOTRAN CFD软件,通过建模、划分网格、加载和求解等途径,计算了在输入不同角速度时二维腔体中由喷嘴喷出气体的流场。结果表明,腔体静止时,射流速度沿腔体中心轴对称分布,腔体中心轴上的速度最大,两侧流速逐渐减小,近壁处为零;腔体转动时,在哥氏力的作用下,射流中心发生偏转,流场相对于腔体中心轴不再对称分布,腔体中各点处的流速分布随角速度而变化,压电射流角速度传感器利用这一特性敏感角速度。

    2004年01期 20-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 130k]
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  • 湿法合成氧化锌压敏电阻粉体的现状与展望

    陈艺锋,唐谟堂,张保平,杨声海

    为了进一步提高压敏电阻的性能,应不断改进所用粉体的制备方法。湿法合成法,诸如:化学沉淀法,热分解法,溶胶–凝胶法等,能获得超细、均匀的粉体,故对其研究现状进行了介绍,讨论了存在的问题,并对其发展作了展望。

    2004年01期 23-26+31页 [查看摘要][在线阅读][下载 83k]
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  • 氧化锌压敏电阻用掺杂粉体的水热合成

    马建军,徐光亮

    以氧化锌为原料,添加其它掺杂金属氧化物,在水热高温、高压下一次性合成ZnO压敏电阻用掺杂粉体,利用SEM和XRD研究了前驱体配比、水热温度、反应介质对掺杂氧化锌生长的影响,用此掺杂氧化锌粉体制备的ZnO压敏电阻的非线性系数达到43.48。

    2004年01期 27-28+31页 [查看摘要][在线阅读][下载 161k]
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  • Pt/YSZ电极结构形貌的表征

    杨邦朝,简家文,张益康

    根据YSZ型氧传感器中O在电极表面的吸附、扩散以及Pt/YSZ界面O(Pt电极中)/O2(YSZ中)的传递的机理,提出了一种对Pt /YSZ电极界面进行定量表征的模型。用此模型对不同烧结温度下的电极形貌Pt/空气/ YSZ三相界面长度进行了定量表征,同时,采用复阻抗测试技术和氧传感器响应测试技术对表征结果的合理性进行了验证。理论推算和试验结果都表明:采用1 000℃,1 h烧结的电极形貌具有最佳的电化学性能。

    2004年01期 29-31页 [查看摘要][在线阅读][下载 256k]
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  • 氧化热处理对SrTiO_3基环形压敏电阻电性能的影响

    朱建红,江涛,蔡伟,何新华

    研究了氧化热处理对SrTiO3基环形压敏电阻电性能的影响。实验结果表明,压敏电压(V1mA)、电压指数(a)和表观电阻率(r)随温度(600 ~ 1 100℃)、时间、氧压的增加而上升;电容量(C)、介质损耗(tgd)随之增加而减少;反之,则相反。由复阻抗测试和扩散机制分析认为:氧化热处理的扩散过程主要发生在晶界,电性能的变化决定于晶界扩散和晶界缺陷行为。

    2004年01期 32-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 85k]
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  • 各向异性导电胶粘接可靠性研究进展

    张军,陈旭

    介绍各向异性导电胶导电机理和粘接工艺,以及影响它的粘接可靠性因素和最佳参数的研究,如粘接温度、固化时间、粘接压力、粒子含量等。对各向异性导电胶粘接可靠性中的开路、短路、接触电阻与粘接压力和温度循环的关系进行了讨论,并介绍了各向异性导电胶可靠性的理论计算模型。

    2004年01期 35-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 99k]
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  • 混合电路的PCB设计

    黄娟,朱红

    高速PCB的设计中,混合电路干扰问题的解决是比较棘手的,而这部分电路常常又是系统能否正常工作的关键所在。通过深入分析干扰产生的机理,结合作者在实际设计中的体会,提出了混合电路一般处理原则,并通过两个混合电路的处理实例,给出两种电源和地的处理方案,实践证明,这样有效减小了数模混合电路间的耦合互扰,从而获得了较好的系统整体性能。

    2004年01期 39-41+44页 [查看摘要][在线阅读][下载 83k]
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  • n-ZnO/p-Si异质结UV增强型光电探测器的研究

    王丽玉,谢家纯,林碧霞,王克彦,傅竹西

    采用平面工艺,在p+-Si背底上电子束蒸发Al制作欧姆电极,在p-Si外延层上溅射掺Al的 ZnO薄膜,再蒸发Al作有源区欧姆电极,研制成n-ZnO/p-Si异质结UV(ultraviolet)增强型光电探测器。测试结果表明:器件明显增强了200~400 nm紫外光的响应,同时保持了传统的Si探测器对波长大于400 nm波段的光谱响应,在330,420,468、525 nm附近有四个明显的光谱峰值响应。器件光致发光谱(PL)在371 nm处有发光峰值。

    2004年01期 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 95k]
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  • 镓基砷化物、氮化物量子点研究进展

    曲钢,徐茵,顾彪,秦福文,郎佳红

    综述了半导体低维结构以及镓基砷化物、氮化物材料量子点的发展,涉及了外延生长机理、量子点的形貌结构特征,并着重介绍了镓基氮化物材料量子点的制备方法、研究的现状、面临的困难、应用发展现状,并对其未来研究趋势提出了看法。

    2004年01期 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 65k]
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  • 电子信息产业1~7月增速达29%

    2004年01期 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 45k]
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  • 高纯超细电子级球形石英粉研究

    张军,宋守志,盖国胜

    介绍了高纯超细球形石英粉的主要性能与用途,目前国内的研究开发现状和国际球形石英粉的生产现状。分析比较了高频等离子球化法、直流等离子体球化法、碳极电弧球化法、气体燃烧火焰球化法、高温熔融喷射以及化学合成球化法的工艺特点,并分析得出气体火焰球化法工艺简单,适宜大规模工业生产,产量已达500 kg/h,是最具潜力的球化工艺。

    2004年01期 48-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 106k]
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  • RF气凝胶分形生长过程的计算机模拟

    李悦,陈艾,吴孟强,陆海鹏

    采用分形概念对RF气凝胶的生长过程进行了计算机模拟。在扩散限制簇凝聚(DLCA)模型的基础上,研究了溶胶粒子密度和能量分布对凝胶化过程的影响,以及凝胶分形维数随着凝胶复杂程度的变化关系。利用C++语言编制了模拟凝胶生长过程的软件,并采用origin 6.1处理模拟后的数据,得到凝胶的分形图像。

    2004年01期 52-53+56页 [查看摘要][在线阅读][下载 331k]
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  • 新型悬空结构射频微电感的制作与测试

    王西宁,赵小林,周勇,蔡炳初

    利用MEMS(Micro Electro-Mechanical System:微机电系统)工艺中的牺牲层技术制作了一种新型悬空结构微电感,在此悬空结构中,微电感的线圈制作在与衬底平行的平面上,线圈与衬底之间有立柱支撑;此新型微电感的制作工艺流程简单,与集成电路工艺相兼容,且其高频性能较好。并对此结构微电感的性能进行了测试,测试频率范围在0.05~10 GHz之间,结果表明:当悬空结构微电感的悬空高度为20 靘,工作频率在3~5 GHz范围内时,其电感量达到4 nH,其Q值最大可达到22。

    2004年01期 54-56页 [查看摘要][在线阅读][下载 82k]
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  • 2003年1~9月国内电子元件行业经济运行分析

    2004年01期 57-58页 [查看摘要][在线阅读][下载 48k]
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  • 我国信息产业将突出六大发展重点

    2004年01期 58页 [查看摘要][在线阅读][下载 31k]
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