刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 实用化超电容器的制备与电化学性能的研究

    孟庆函,刘玲,凌立成

    使用高比表面积活性炭可以制备不同电容量、不同工作电压的超电容器,高比表面积活性炭的比电容量远高于普通活性炭。10 F(9V)、45 F、600 F的超电容器样品的测试结果表明,高比表面积活性炭电极的孔径结构不会影响电容器大电流充放电容量,电化学性能稳定,高比表面积活性炭是一种待开发的优良的超电容器电极材料。

    2003年09期 1-2+8页 [查看摘要][在线阅读][下载 112k]
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  • 大容量碳纳米管极板双电层电容器的研制

    周旭鸿,王晓峰,王大志,梁吉

    碳纳米管具有良好的导电性和合适的孔径分布以及较高的比表面积。选用聚四氟乙烯(PTFE)作为碳纳米管极板的粘结剂,网络结构的泡沫镍作为集流体,在有机电解质溶液中,通过直流充放电、恒功率充放电、循环伏安特性和自放电测试等实验,显示了本实验室制备的碳纳米管材料组装的双电层电容器具有良好的电化学性能。电容器中碳纳米管比电容量达74.1 F/g,比能量达16.1 Wh/kg,在自放电特性测试过程中,电容器漏电流稳定在2 mA左右。

    2003年09期 3-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 277k]
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  • 稳定PbTiO_3陶瓷浆料的制备

    邓斌,邓胜军,侯耀永

    以磷酸酯为分散剂,采用胶体电空间稳定机制改善陶瓷粉体水悬浮液的分散性,利用z 电位仪、沉降实验、粘度测定和粒度分析等手段,研究了分散剂的用量和pH值对PbTiO3陶瓷浆料稳定性的影响。并在最佳分散剂用量和pH值条件下,制备出了高固相含量(体积分数为55% )、稳定性和分散性好的PbTiO3陶瓷浆料。

    2003年09期 6-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 129k]
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  • 一次烧成SiC边界层陶瓷电容器性能研究

    王海龙,张锐,付元忠,王西科

    选用导热性能优良、半导化的a-SiC作为边界层电容器基体材料,利用氧化铝、滑石、粘土和长石组成的低共熔混合物作为晶界绝缘材料,通过常压一次烧结工艺制备边界层陶瓷电容器。烧成温度范围为1 280~1 320℃,最高温度下保温4 h。获得的边界层电容器电阻率大于1010 cm,在50 Hz频率下相对介电常数r为260,介质损耗tg为1.27×10-4,两者均随频率的增大而减小。

    2003年09期 9-10+14页 [查看摘要][在线阅读][下载 374k]
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  • Zn和Nb对BaO-TiO_2系统微波陶瓷介电性能的影响

    刘丹丹,吴顺华,赵玉双,邢磊,熊文

    研究了添加ZnO 和Nb2O5的BaO-TiO2系统微波陶瓷。XRD表明其主晶相是Ba2Ti9O20(B2T9)/BaTi4O9(BT4)。加入ZnO 和Nb2O5,由Zn2+ 和Nb5+共同取代Ti4+,作为施主受主杂质,达到电价平衡,降低了烧结温度,改进了介电性能。该系统微波瓷料既可用于制造滤波器,也可用于制造多层陶瓷电容器(MLCC)。实验表明其介电性能如下:εr =37、Q =14 000、αC = 10×106℃1(1 MHz)。

    2003年09期 11-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 185k]
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  • X7R弛豫复相铁电陶瓷的研究

    刘会冲,杨祖培

    以PZN-BT(低温相)、PMN-PT(高温相)为起始组元,采用混合烧结法制备了具有X7R介电特性电子瓷料,其介电温谱在55~+125℃范围内相当平坦,室温相对介电常数高达3 877,并从离子的键型分析了影响介电温度稳定性的原因,初步探讨了提高介电温度稳定性的机制。

    2003年09期 15-16+26页 [查看摘要][在线阅读][下载 86k]
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  • Na掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响

    臧国忠,王矜奉,陈洪存,苏文斌,王文新,王春明,亓鹏

    研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变小是压敏电压急剧升高和介电常数减小的主要原因。对Na2CO3掺杂量的增加引起ZnO晶粒减小的原因进行了解释。

    2003年09期 17-18+21页 [查看摘要][在线阅读][下载 87k]
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  • 通信总配线架过流保护用BaTiO_3系PTCR热敏电阻器的研制

    刘勇,庄志强

    针对总配线架小型化而提出的过流保护用PTCR热敏电阻器小型化的要求,研究和讨论了PTCR热敏电阻器配方材料组成和生产工艺对其性能的影响。根据行业标准YD/T 741—95,对通信总配线架过流保护用钛酸钡(BT)系PTCR热敏电阻器配方进行设计,以施主掺杂Y2O3的配方,研制出全部性能指标满足YD/T 741—95要求的、小型化过流保护用PTCR热敏电阻器。试验发现:采用掺杂Y2O3的配方,工艺稳定性好,适合大批量生产;所制备的PTCR热敏电阻器反应灵敏,耐电流强度大,阻值稳定性好。

    2003年09期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 74k]
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  • 三氧化钨基低压电容–压敏电阻及其稳定性研究

    羊新胜,王豫,董亮

    介绍了一种新型的WO3基(电容–压敏双功能)压敏电阻的优点,及阻碍其广泛应用的原因。指出电学性能的不稳定性来源于相结构的两相共存,稀土掺杂可使其相结构单一化,从而稳定其电学性能。有望使我国的钨资源优势转化为产品优势。

    2003年09期 22-23+26页 [查看摘要][在线阅读][下载 95k]
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  • 掺杂Ag元素对溶胶–凝胶一步法制备BaTiO_3基PTCR陶瓷性能的影响

    赵丽丽,畅柱国,吴淑荣,熊为淼

    为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律。结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(r)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(aR)和耐电压(Vb)。本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:r≈28 W·cm,a25>16%℃1,Vb>180 V·mm1。

    2003年09期 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 98k]
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  • 高性能BT树脂基覆铜板的研制

    张龙庆,张春华,邱维波

    研制出了双烯封端棒状聚酰亚胺,并用其改性BT树脂,制得了低收缩BT树脂/石英布覆铜板。其平面方向热膨胀系数为3.1106℃1,厚度方向为1.3105℃1,优于国外同类产品;另用聚苯醚改性BT,制得低介电常数的BT树脂/玻璃布覆铜板,其er可小到3.6(106 Hz),厚度方向热膨胀系数为4.07×105℃1。改性后保留了BT树脂的其它优良特性。

    2003年09期 27-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 70k]
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  • 砷化镓微波单片集成电路的失效分析

    郑丽香,莫郁薇,吴海东,张增照

    通过封装内部气氛、芯片显微、能谱等分析手段对国内某研究所研制砷化镓微波单片集成电路高温加速寿命试验后的样品进行了失效分析,对其失效机理进行探讨,得出:封装气密性不好、工艺造成的缺陷是引起失效的主要原因,也是造成国内产品质量与可靠性不如国外同类产品的重要原因。

    2003年09期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 96k]
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  • 一种低成本倒装芯片用印刷凸焊点技术的研究

    蔡坚,陈正豪,贾松良,肖国伟,王水弟

    利用化学镀底部金属化层结合丝网印刷制作凸焊点的技术,通过剪切实验得到了凸焊点的剪切强度,用电子显微镜对失效表面进行了分析研究,应用SEM及EDAX分析了凸焊点的组织结构与成分变化,对热老炼后凸焊点的强度变化进行了研究。结果表明凸焊点内部组织结构的变化是剪切失效的主要原因。经X光及扫描声学显微镜检测,表明组装及填充工艺很成功。对已完成及未进行填充的两种FCOB样品进行热疲劳实验对比,发现未进行填充加固的样品在115周循环后出现失效,而经填充加固后的样品通过了1 000周循环,表明下填料明显延长了倒装焊封装的热疲劳寿命。

    2003年09期 33-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 142k]
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  • 高分子磁体/铁氧体复合磁芯的电磁损耗及应用

    林云,朱世富,林展如

    与NiZn铁氧体比较,在100~1 800 MHz的广泛频段,高分子磁体/NiZn铁氧体(OPM/NiZn)复合磁芯具有较低的电磁损耗(<3×102),且基本不随使用频率而变化,在50至+80℃的范围内,其感抗几乎与温度变化无关。用它制作的脉冲振荡器的脉冲宽度仅0.45 s,在高于30~1 000 MHz范围内,衰减量为20 dB时,电调衰减器的平坦度也仅为1.16~1.21 dB。

    2003年09期 37-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 100k]
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  • 信息产业部将支持国内大企业开展标准制订工作

    2003年09期 40页 [查看摘要][在线阅读][下载 53k]
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  • 碳化硅纳米晶须的制备研究进展

    吴艳军,蔡炳初,张亚非,吴建生

    介绍了制备SiC纳米晶须的方法,包括:固相碳源法(电弧放电,电阻加热蒸发,SiOx薄膜生长及CNTS受限反应法),液相碳源法(sol-gel),及气相碳源法(浮动催化剂法,Fe纳米薄膜催化法)等。分析了各种方法的特点及存在的问题。对制备SiC纳米晶须的前景与发展方向进行了评述。

    2003年09期 41-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 89k]
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  • PS/TiO_2复合材料的蛋白石结构光子晶体制备及表征

    汤荣年

    以乳液聚合得到的单分散性聚苯乙烯(PS)微球为种子,利用原位溶胶凝胶技术在微球的表面上吸附上二氧化钛(TiO2)小颗粒,从而得到PS/TiO2复合微球的乳液,利用乳液的自组装得到了PS/TiO2复合材料的蛋白石结构光子晶体。比较了PS蛋白石结构光子晶体和PS/TiO2复合材料蛋白石结构光子晶体的透射谱,得出复合材料的光子晶体带隙特征比PS光子晶体的带隙特征强。

    2003年09期 45-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 357k]
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  • 正温度系数SrTiO_3环形压敏电阻器研制成功

    李红耘,熊西周

    2003年09期 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 51k]
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