- 王向展,于奇,杨谟华,李竞春,唐林,杜江锋,刘玉奎,谭开洲
基于新型的折叠共栅共源PMOS差分输入级拓扑、轨至轨AB类低压CMOS推挽输出级模型、低压低功耗LV/LP技术特别考虑和EDA平台的实验设计与模拟仿真,并设计配置了先进的Si 2 mm P阱硅栅CMOS集成工艺技术。已经得到一种具有VT = 0.7 V、电源电压1.1~1.5 V、静态功耗典型值330 mW、75 dB开环增益和945 kHz单位增益带宽的LV/LP运算放大器。该运放可应用于ULSI库单元和诸多相关技术领域,其实践有助于Si CMOS低压低功耗集成电路技术的进一步开发与交流。
2003年08期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 160k] [下载次数：182 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：91 ] - 陈慰宗,付灵丽,李绍雄,周景会
用特征矩阵方法得出了一维光子晶体的反射率计算公式,以/4波片堆为例,计算了当两种介质采用不同折射率的物质时,在第一光子禁带TE波及TM波的反射率随入射角的变化。结果显示,TE波与TM波的情况不完全相同。总的来说,增大两种介质折射率的差别,或者同时提高两种介质的折射率,或者增加周期数都有利于制造出具有完全光子禁带的一维光子晶体。
2003年08期 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 153k] [下载次数：248 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：65 ] - 2003年08期 6页 [查看摘要][在线阅读][下载 55k] [下载次数：91 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：68 ]
- 周洪庆,沈晓冬,刘敏
采用化学沉淀法制备了平均粒径约30 nm的TiO2粉料,以聚苯硫醚树脂为基复合纳米无机粉料,结合螺杆挤出与模压等工艺制备了复合介质基板,借助SEM、EDS、DTA-TGA分别对合成的纳米粉料及树脂基复合料进行了微观结构表征与分析,用带状线方法对PPS基无机复合介质基板微波复介电常数进行了测量。获得了相对介电常数为6.0～13.0,且损耗低的高性能新型微波复合介质材料。
2003年08期 7-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 155k] [下载次数：205 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：11 ] |[阅读次数：76 ] - 周东祥,陈勇,邓传益,戴绍新,夏义本
介绍了空气中烧成的Ni电极浆料的制备。讨论了浆料中玻璃粉、硼粉含量及烧渗工艺等对电极性能的影响。结果表明:浆料中Ni粉的纯度应为99.5%,粒度为500目;w(Ni)应不低于65%;玻璃粉的软化温度为450℃左右;粒度为300目,w(玻璃)为20%左右。加入硼粉系作为抗氧化剂。于810℃的大气中烧渗,保温5 min,此贱金属镍电极可牢固地附着在陶瓷基体上,并具有良好的欧姆接触性能。
2003年08期 10-11+14页 [查看摘要][在线阅读][下载 96k] [下载次数：305 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：24 ] |[阅读次数：87 ] - 牛新书,杜卫平,杜卫民,蒋凯,娄向东
通过一种新型微乳液法制备了粒径为20 nm的ZnO粉体。利用X射线衍射仪、透射电镜对材料的形貌、结构进行了表征。研究表明,用微乳液法制备的ZnO结晶情况良好,并且粒径较小,分布均匀。另外,对该材料的气敏性能进行了研究。在工作温度335 时,微乳液法制备的ZnO对Cl2表现出较好的灵敏性和选择性。并对气敏机理进行了探讨。
2003年08期 12-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 138k] [下载次数：248 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：25 ] |[阅读次数：71 ] - 侯育冬,朱满康,王波,田长生,严辉
选用不同掺锰量的0.2PZN-0.8PZT (w(MnO2)为0.2%, 0.5%, 0.8%,分别记作P1,P2,P3)压电陶瓷制作了压电变压器模拟试样,采用空气中高温下对三端电极同时进行加压极化的方法。性能测试表明,P2的压电性能最优,具有最小的机械损耗和介质损耗,适合在全波谐振频率驱动状态下工作。此外,还系统研究了P2试样压电参数的老化行为,研究结果表明:电容量C和压电常数d33的老化行为均服从对数定律。
2003年08期 15-17+22页 [查看摘要][在线阅读][下载 214k] [下载次数：229 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：76 ] - 肖迎红,David C.Martin
利用一种新型的导电聚合物——聚3,4-二氧化乙烷噻吩(PEDOT)的衍生物PEDTM,成功地在用微加工技术制作的神经元修补元件的电极上制得了导电涂层。该导电聚合物既克服了聚吡咯由于α—β(β?键接而产生的缺陷, 又克服了EDOT在水中溶解度小,无法在生物分子的掺杂下电化学合成PEDOT/生物分子导电涂层的缺陷。SEM和AFM照片表明PEDTM/PSS导电涂层具有粗糙的表面形貌,表面积增加,其阻抗也比未涂层前降低很多,在1 kHz处其阻抗值降低了两个数量级。研究结果表明,PEDTM/生物分子导电涂层的阻抗比聚吡咯/生物分子涂层降低得更多。
2003年08期 18-19+22页 [查看摘要][在线阅读][下载 311k] [下载次数：128 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：89 ] - 肖庆国,冯哲圣,杨邦朝,袁正希
研究了测定化成箔中的微量SO42含量的离子色谱法:将化成箔用碱溶液溶解后,用活性Al2O3分离柱除去Al3+等干扰离子,以峰面积积分定量测定了化成箔中SO42的含量。本方法的检测下限为2.5×106g·cm2,硫酸根的回收率为98.56%～101.35%,用于实际样品的分析,取得了较好的检测结果。
2003年08期 20-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 162k] [下载次数：165 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：88 ] - 肖复勋,刘颖,高升吉,涂铭旌
采用微量CaCO3-SiO2添加剂和Y30锶铁氧体预烧料,通过研磨 湿法磁场成型 烧结工艺,研究了微量添加剂对Y30锶铁氧体磁性能的影响。研究结果发现:Y30锶铁氧体的磁性能随添加剂量的增加而逐渐改善,达到一最佳值后又逐渐下降,其最佳磁性能达到日本FB5B牌号水平;采用纳米CaCO3-SiO2能扩大最佳磁性能所需添加剂的添加量范围,有利于大生产时锶铁氧体磁性能的稳定,对生产有重要的指导意义。
2003年08期 23-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 437k] [下载次数：222 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：20 ] |[阅读次数：99 ] - 崔嵩,黄岸兵,张浩
通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。
2003年08期 25-28页 [查看摘要][在线阅读][下载 355k] [下载次数：414 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：12 ] |[阅读次数：89 ] - 赵武,王雪文,邓周虎,张志勇,戴琨
研究了SiC薄膜的制备及其压阻特性。利用热丝化学气相沉积(HFCVD)法在硅(111)晶面制备SiC薄膜,对制备的薄膜进行X射线衍射分析和其它测试。结果表明:SiC薄膜晶向取向一致,薄膜生长速率为3 m / h,厚度约为5 m。同时,利用高阻仪研究该薄膜的压阻特性,测得应变量()在(2~6)×104范围内,电阻的相对变化量(ΔR·R1)和压阻灵敏度因子(k)随应变量()的变化曲线。结果表明该薄膜有明显的压阻效应。
2003年08期 29-30+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 135k] [下载次数：258 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：80 ] - 李东风,张冬婷,贾振斌,魏雨
以低碳铁皮和氧气为主要原料,采用一种新的工艺(氧化–共沉淀相转化法)低温液相制备出了锰锌软磁铁氧体纳米粉体。通过实验研究,详细探讨了共沉淀的pH值对生成物的化学组成和磁性的影响。并通过XRD、TEM和VSM(振动样品磁强计)分别对生成物的结构、形貌和磁性进行了表征。实验发现: 当共沉淀的pH值为13时,共沉淀最完全,相转化程度最高,晶化最好,所制备的锰锌铁氧体粉体的磁性最强。 产物的晶型为立方晶系的尖晶石型,形貌为球形,粒径约为20 nm。
2003年08期 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 165k] [下载次数：270 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：17 ] |[阅读次数：108 ] - 贺平,赵燕熹,何宝林
研究了薄膜开关用导电碳浆的基本配方和工艺过程;实验表明:胶粘剂树脂柔韧性的选择至关重要,以满足柔性线路的基本要求;导电载体应使用质量比为6:4的石墨和炭黑的混合体,适当的分散剂可使电阻率降低1/2,碳浆研磨次数为4次;采用本研究方法制出涂料的成膜方阻为12 ?□。
2003年08期 35-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 69k] [下载次数：595 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：13 ] |[阅读次数：85 ] - 郭创,张宗麟,樊蓉
在分析常规开关电源的几种典型拓扑结构(降压型、升压型、升降压型、回扫式、CUK型、推挽式)与DC-DC控制器技术性能特点的基础上,给出了典型控制器的应用电路,并对开关电源的研究、设计理论进行了一些探讨。
2003年08期 38-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 159k] [下载次数：1293 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：85 ] |[阅读次数：89 ] - 易捷,谢原寿,苏国钧
介绍了聚(3, 4-乙撑二氧噻吩)(poly(3, 4-ethylenedioxythiophene) 简称为PEDT)的研究过程、性质特点、表征方法、应用情况及开发前景。通过聚苯乙烯磺酸(简称PSS)掺杂,解决了聚(3, 4-乙撑二氧噻吩)的加工问题,所得PEDT/PSS膜具有电导率高(10 S/cm),透明性好(在可见光范围内几乎是透明的)、机械强度较高,且有很好的抗水解性和光稳定性及热稳定性(在110~200℃的高温下能耐1 000 h以上,其膜电导率几乎不变),已在固体电解电容器等方面获得成功应用。
2003年08期 42-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 85k] [下载次数：833 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：21 ] |[阅读次数：122 ] - 2003年08期 45页 [查看摘要][在线阅读][下载 49k] [下载次数：33 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：41 ]
- 高平,成立
介绍了程控交换机(SPCE)中的空分交换网络和时分交换网络,说明了网络实现中所使用的元器件和数字逻辑电路,并提出了一种典型的时分交换网络的优化实现方案,然后通过比较CMOS器件和BiCMOS器件,总结了利用BiCMOS新工艺器件构成SPCE交换网络部件的优势,最后设计了几个用于SPCE中的CMOS/BiCMOS接口/驱动器。
2003年08期 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 250k] [下载次数：39 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：83 ] - 赵光云2003年08期 50-51页 [查看摘要][在线阅读][下载 57k] [下载次数：46 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：48 ]
- 李玲霞
基于晶体化学、材料物理化学、电介质物理等基础理论,运用XRD、TEM、EDX、SEM等现代微观分析手段,对亚微米钛酸钡超细粉料制备技术以及高介高性能X7R MLC瓷料和高压高性能X7R MLC瓷料的介电性能进行了研究。
2003年08期 52页 [查看摘要][在线阅读][下载 55k] [下载次数：182 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：77 ] - 2003年08期 53页 [查看摘要][在线阅读][下载 47k] [下载次数：62 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：46 ]
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