刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 纳米二氧化铈化学共沉淀法制备及结构表征

    刘锦淮,刘伟,焦正,余增亮

    采用化学共沉淀法制备了稀土氧化物CeO2纳米粉末材料,并用XRD、SEM和TEM对其结构特性进行了表征。分析结果表明,化学共沉淀法制备的CeO2纳米粉末颗粒细小均匀,形状完整,CeO2粉末粒子尺寸在20 nm左右。粉末的电子衍射分析发现,CeO2纳米粉末具有完整的晶格。

    2003年07期 1-2页 [查看摘要][在线阅读][下载 181k]
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  • TV用压电陶瓷滤波器的片式化

    韩钰彦,陈强,薛仲景,蔡荣阳,许良

    以一种TV用压电陶瓷滤波器的片式化过程为重点,介绍了压电元件片式化的思路及工艺。利用压电陶瓷的厚度能陷切变振动原理,采用新的结构与工艺,对原TV用压电陶瓷滤波器进行片式化。制作出的片式压电陶瓷滤波器达到国外同类产品水平,可批量生产。片式压电陶瓷滤波器满足了TV生产厂家对该类产品的需求。生产中,压电振子切割开槽、点导电胶组装、涂覆弹性胶和环氧密封是工艺控制的重点。

    2003年07期 3-5+10页 [查看摘要][在线阅读][下载 247k]
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  • 溅射偏压对柔性衬底ITO薄膜结构和光电特性的影响

    杨田林,高绪团,韩圣浩

    用磁控溅射工艺,在柔性衬底上,在不同直流偏压条件下,制备了ITO(氧化铟锡)透明导电膜。最佳直流负偏压为40 V,此时制备的薄膜,其自由载流子霍耳迁移率有最大值为89.3 cm2/(V·s),薄膜的电阻率有最小值为6.3104W·cm,在可见光范围内相对透过率为80%左右。X射线衍射谱表明:薄膜为多晶纤锌矿结构,垂直于衬底的c轴具有(222)方向的择优取向,最大晶粒尺寸为55 nm。并重点讨论了薄膜的结构、电学和光学特性与衬底负偏压的关系。

    2003年07期 6-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 247k]
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  • 氧对铅锡碲薄膜电阻率的影响

    陈祝,杨成韬,张树人,杨邦朝

    氧吸收或氧化对金属电阻膜、合金电阻膜及金属陶瓷膜的影响及作用机理差别很大。淀积不同厚度的铅锡碲合金膜暴露在氧气或大气中, 其电阻随时间发生明显的变化,电阻的变化是随着膜厚的增加、基片温度的增加呈下降趋势,比较了金属氧化膜、合金电阻膜及金属陶瓷膜中的氧对电阻值的不同影响。铅锡碲氧吸收模型解释了其电阻变化机理,并进一步得到XPS光电子色谱分析的支持。

    2003年07期 11-13+16页 [查看摘要][在线阅读][下载 248k]
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  • SiH_4-NH_3-N_2体系LPCVD氮化硅薄膜的研究

    刘学建,黄智勇,蒲锡鹏,黄莉萍

    通过傅立叶红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)研究了SiH4-NH3-N2体系在不同气体原料比情况下,低压化学气相沉积(LPCVD)SiNx薄膜的化学组成,利用原子力显微镜观察了SiNx薄膜的微观形貌,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的折射率。结果表明:当原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)较小时(R<2),获得富Si的SiNx薄膜(x<1.33),折射率较高。当氨气远远过量时(R >4),获得近化学计量的的SiNx薄膜(x = 1.33),折射率处于1.95~2.00之间。在适当的工艺条件下,获得的SiNx薄膜H、O含量很低,薄膜表面均匀、平整。

    2003年07期 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 196k]
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  • 电子系统封装器件的传热研究

    李长庚,周孑民,张家元

    开发了一个电子系统封装(SIP)典型器件的传热模型,用数值方法模拟了器件的热传递过程和温度分布状况,探讨了各种设计参数和物性参数对温度场的影响。计算结果表明:当t = 1 400 s,以LCP为基板时SIP器件传热过程达到稳定态,基板导热系数和对流换热系数是影响器件散热速率的关键参数,此外还计算了对于不同的环境对流换热系数和不同基板材料,不使芯片产生热失效所允许的输入功率耗散密度。这为研究高密度电子封装器件的热特性,进一步改善器件的热性能提供了理论依据。

    2003年07期 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 368k]
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  • 湿化学法合成先驱体制备氮化硼纤维的研究

    荣华,丘泰,沈春英,李晓云

    以硼酸和三聚氰胺为原料,采用湿化学法合成先驱体,在氮气气氛中制备出氮化硼(BN)纤维。用中和滴定法、红外吸收光谱(IR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对合成的先驱体及制得的BN纤维的氮含量、形貌及结构进行分析。结果表明合成温度1,700℃,保温时间3 h,氮气流量2 L/min时制得的BN纤维的氮含量为53.46%,达到理论值的95%。先驱体分子中存在B—N、N—H、C—O—C、—(B—N)—结构单元。用扫描电镜观察制得的BN纤维直径为2~10 靘,长径比为40~50。

    2003年07期 20-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 343k]
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  • 手机设计中开始采用集成无源元件

    2003年07期 22页 [查看摘要][在线阅读][下载 278k]
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  • CeO_2掺杂对Nb-TiO_2系压敏陶瓷电性能的影响

    李红耘,罗绍华,尧巍华,张中太,熊西周,庄严

    在x(CeO2)为0~1.5%的范围内改变其掺杂浓度,研究了CeO2添加剂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响。电性能测量和扫描电镜观察的结果表明:在Nb-TiO2系压敏陶瓷中,CeO2的主要作用是促使微观结构的均匀化,与Ti、Si固溶形成第二相,提高非线性,同时第二相的浓度对压敏电压的高低起着决定性作用。当x(CeO2)为0.4%时,可以得到晶粒大小均匀,瓷体结构致密,压敏电压约为15 V/mm及其它综合指标优良的低压压敏电阻。

    2003年07期 23-25页 [查看摘要][在线阅读][下载 248k]
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  • Sn-Ag-Bi系钎料焊接性能研究

    龚代涛,刘晓波,王国勇

    讨论了电子软钎料的钎焊性能及其影响因素,钎料的钎焊性能很大程度取决于钎料对基板的润湿性能,而润湿性能与液态钎料在基板上的液、固、气三相界面张力有关。通过建立简化的数学模型,得出了润湿角与钎料熔滴铺展面积间的数学关系式。文中采用铺展面积法对Sn-Ag-Bi系钎料钎焊性能进行评估,结果表明在添加少量的Zn,可在一定程度上提高钎料的润湿性能,并可减少Bi的用量。

    2003年07期 26-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 261k]
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  • 机械力化学作用对低介硅灰石瓷料的相变和相组成的影响

    陈国华,刘心宇,成钧

    采用X射线衍射仪(XRD)、差热分析(DTA)手段详细研究了由氧化物粉末制备硅灰石陶瓷时,机械力化学作用及后续热处理对硅灰石陶瓷相组成和相变过程的影响,分析了机械力化学在球磨过程中的作用机理主要是细化晶粒、使晶格畸变、晶格缺陷增多、非晶化和诱导低温化学反应。结果表明:高能球磨中的机械力化学作用能够有效地降低硅灰石陶瓷的烧成温度(11160~11220℃)。探明了经高能球磨的样品在烧成过程中的晶相转变规律。瓷料最终的晶相为单一的-硅灰石(高温变体)。

    2003年07期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 187k]
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  • 导电高分子钽电解电容器的研究进展

    杨红生,周啸,楚红军,于家宁

    综述了导电高分子钽电解电容器的最新研究进展。比较了导电高分子钽电解电容器和二氧化锰钽电解电容器在结构、制造工艺和性能方面的差别。还介绍了聚吡咯(PPy)、聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)和聚苯胺(PANi)钽电解电容器的研究状况。导电高分子膜的形成工艺对钽电解电容器性能影响很大。改进和开发新型阴极材料是降低钽电解电容器等效串联电阻Res的重要途径。

    2003年07期 33-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 498k]
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  • RFSOICMOS技术及其应用

    云振新

    介绍了RF SOI CMOS技术的特点。着重论述了RF SOI CMOS技术的低串扰特性、低损耗特性及其优质无源元件的性能。最后,阐述了RF SOI CMOS技术在RF系统片上集成方面的应用情况。

    2003年07期 39-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 139k]
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  • 多层片式ZnO压敏电阻器的现状与发展方向

    王兰义

    基于国内外多层片式ZnO压敏电阻器的研究及应用,介绍了多层片式ZnO压敏电阻器的结构(阵列及模块)、材料组成(ZnO-Bi2O3系、ZnO-玻璃系、ZnO-V2O5系及ZnO-Pr6O11系等)、电极材料、生产工艺(流延和电镀)等现状,并就多层片式ZnO压敏电阻器的工艺和技术发展趋势提出了见解。

    2003年07期 42-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 184k]
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  • Z900MCM综述

    李双龙

    介绍了Z900 MCM设计和布局,可控塌陷芯片连接(C4)工艺在Z900 MCM组装中的应用。从设计上通过加入垂直电感器及去耦电容器减小其噪声。通过基板测试和功能测试,剔除有缺陷的基板和芯片。Z900 MCM采用先进的MCM—D技术和MCM返工及冷却技术。Z900 MCM平均无故障时间高达40年。

    2003年07期 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 127k]
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  • ZnO压敏电阻器在稳态湿热试验中的性能变化与分析

    安福全

    通过对ZnO压敏电阻器试验结果的分析,探讨其在稳态湿热试验中引起性能变化的因素,提出要提高产品的耐湿性能,必须在包封料选择和瓷体制作工艺上加以改进。

    2003年07期 49-50页 [查看摘要][在线阅读][下载 121k]
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  • 铝电解电容器生产过程中电容量衰减现象的研究和控制

    王玉华

    电容量衰减现象在铝电解电容器生产过程中普遍存在,只是原因各不相同。电容量衰减易造成产品电容量分布不均匀、电容量合格率低,严重时会造成产品接触不良,导致无电容量,产品失效率上升,给铝电解电容器产品的质量稳定性带来很大的影响。通过分析形成电容量衰减的各种原因,找到相应解决的措施,使铝电解电容器生产过程中质量稳定,原材料用量减少,成本下降,增强产品的市场竞争能力。

    2003年07期 51-52+54页 [查看摘要][在线阅读][下载 206k]
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  • 提高金属化电容器喷金质量探讨

    孙风利

    金属化电容器端面喷金质量对电容器主要电性能指标——tg,起着决定性的影响。分析了影响金属化电容器端面喷金质量的因素,介绍了提高金属化电容器端面喷金质量的方法及如何检查金属化电容器端面喷金质量。

    2003年07期 53-54页 [查看摘要][在线阅读][下载 144k]
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  • 中国电子学会元件分会2003年度学术活动计划

    2003年07期 55页 [查看摘要][在线阅读][下载 79k]
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