刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 燃烧合成Ti_3AlC粉体的初步研究

    郭俊明,陈克新,周和平,宁晓山

    采用Ti、Al和C元素粉末为反应物原料,通过燃烧合成法制备得到主晶相为Ti3AlC的燃烧产物。实验结果表明:若以“理想”晶体结构化学式Ti3AlC化学计量比为起始反应原料配比,燃烧产物中无Ti3AlC;以缺碳的非化学计量比(Ti3AlC1-x)为反应原料配比,即r (Ti:Al:C) = 3:1:0.6,得到主晶相为Ti3AlC的燃烧产物。从组成配比和热力学的角度探讨了不同C含量对燃烧产物相组成的影响机理。

    2003年04期 1-2+5页 [查看摘要][在线阅读][下载 954k]
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  • 铁电/铁磁复合材料的磁性能和介电性能研究

    齐西伟,周济,岳振星,桂治轮,李龙土

    铁电/铁磁复合材料是一类在材料内部同时共存铁电相和铁磁相的重要功能材料。在外加磁场和电场的作用下,其磁化和极化状态易于调控。笔者以铁电性的钛酸钡和铁磁性镍铜锌铁氧体纳米粉为原料,采用固相反应法,合成了一系列铁电/铁磁复合材料。研究表明:在一定温度下烧结所得的铁电/铁磁复合材料,由铁电相和铁磁相两相所组成,对外表现出铁电性和铁磁性。该复合材料同时具有电感和电容两种特性,而且频率稳定性好,有望替代现有的分立式无源滤波器,做到真正的集成而广泛应用在集成电路中。

    2003年04期 3-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 974k]
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  • TiO_2添加量对PTCR启动器恢复特性的影响

    姜胜林,龚树萍,曾亦可,关旭迎

    为了研究TiO2添加量对PTCR启动器恢复特性的影响,采用改变TiO2掺杂量的方法,对不同TiO2掺杂量的PTCR启动器恢复特性进行了研究。结果表明,在一定的掺杂范围内,随着TiO2添加量的增加,PTCR材料的电阻温度系数a 从34.95%℃1减小到29.67%℃1,升阻比b 值从4.0106增加到4.3106,启动器恢复时间从60 s减小到54 s。

    2003年04期 6-7+10页 [查看摘要][在线阅读][下载 63k]
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  • Zr掺杂的SnO_2瓷的压敏和介电性质

    王矜奉,陈洪存,王文新,苏文斌,臧国忠,亓鹏,王春明,赵春华

    目前电子陶瓷工艺普遍采用ZrO2球作为磨介。为了弄清ZrO2球磨损对压敏瓷性能的作用,系统研究了ZrO2对(Co,Nb)掺杂SnO2瓷的压敏和介电性质的影响。当ZrO2的含量(摩尔分数)从0.00增加到1.00%时,(Co,Nb)掺杂的SnO2压敏电阻的击穿电压从345 V/mm增大到485 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 590减小到1 120。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Zr的含量对势垒高度的影响较小。SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压增高和介电常数迅速减小的主要原因。对Zr掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。

    2003年04期 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 81k]
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  • PTCR综合时间测试仪的研制

    张菲,龚树萍,黎步银,周东祥

    动作时间tA和恢复时间tR是正温度系数热敏电阻器(PTCR)最重要的两个时间参数。笔者在文中分析了原有动作时间测试仪和恢复时间测试仪的原理及其可改进之处,在此基础上研制出了新的综合时间测试仪。后者消除了原有仪器的许多不足之处,最大限度统一了两种测量的操作流程,在可靠性、成本和测量精度等方面都较原有仪器有明显的进步。

    2003年04期 11-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 145k]
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  • 碳纳米管-氢氧化镍复合电极电化学电容器

    周旭鸿,王晓峰,王大志,梁吉

    采用催化裂解法制备了碳纳米管并进一步制备了碳纳米管薄膜电极。基于该种材料的超电容器电极比容量为36 F/g。研究了在碳纳米管薄膜基体上使用电化学方法沉积氢氧化镍的新工艺,制备出碳纳米管/氢氧化镍复合电极。伏安特性曲线以及直流充放电实验证明复合电极的单电极比容量达到63 F/g,交流阻抗谱证明复合电极具有优良的阻抗特性。

    2003年04期 16-18+21页 [查看摘要][在线阅读][下载 149k]
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  • NASICON材料的制备及改性研究

    赵本刚,张爽,吴玉军,何月华,陈丽华,全宝富

    在1 100℃,以高温固相法制备了NASICON材料,但由于反应温度过高,造成材料中磷成分的损失, 因而采用气态补磷系统进行改性研究。经过大量实验,得到了比较适宜的补磷条件。通过XRD、IR、XPS对改性后的材料表征,说明材料具有单斜结构并且组分纯净。通过气态补磷,NASICON中磷的含量从3.4%上升到4.9%,从而加大了材料的电导率,器件的灵敏度也相应增加,曲线斜率由57.6上升为补磷后的65.1。

    2003年04期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 74k]
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  • 碳热还原法合成AlN纤维

    沈春英,鲁玉明,丘泰

    研究了碳热还原法合成AlN纤维过程中原料配比、合成温度、保温时间、氮气压力、氮气流量等因素对氮化率的影响,实验结果获得了较佳的工艺参数,研制出直径为4~6 μm、长径比为20~30、氮含量大于31%的氮化铝纤维。

    2003年04期 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 98k]
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  • 高性能片式多层氧化锌压敏电阻器材料研究

    吴通涛,钟朝位,张树人

    对非Bi系氧化锌压敏电阻材料进行了系统研究。研究结果表明:在ZnO基体材料中,添加适量PbO、Co2O3、Cr2O3、MnO2、ZrO2、TiO2、Sb2O3 、B2O3等非Bi系添加剂,采用传统陶瓷制备工艺和合适烧结工艺,可获得a >50、IL<1 mA、烧结温度低于1 100℃的实用非Bi系氧化锌电阻瓷料。采用该瓷料,利用MLC工艺,选用Pd30/Ag70电极浆料,制作出V1mA<30 V、a >30、IL<1 mA的片式多层压敏电阻器。

    2003年04期 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 119k]
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  • 电化学沉积生长GaAs薄膜的工艺研究

    苏红兵,陈庭金,施兆顺

    研究了电化学沉积参数对电沉积GaAs薄膜中元素组分以及薄膜质量的影响,得出电化学沉积GaAs薄膜成分接近Ga1As1的最佳工艺条件:pH=1.2;浓度比c(Ga) / c(As)=14;电流密度J=0.006~0.008 A/cm2;阴极材料用SnO2导电玻璃,其SnO2厚度>1mm。并给出改善GaAs薄膜质量的途径,为生产高效、低成本的GaAs太阳能电池奠定基础。

    2003年04期 28-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 131k]
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  • 高纹波高温高压铝电解电容器的研制

    程云来,何为满,林飞,李文胜

    针对整机电源滤波对铝电解电容器提出的105℃,2 000 h的高纹波高压的要求,从材料、工艺、工作电解液及纹波电流等方面进行试验,研制出一种新型铝电解电容器。试验结果表明,此类电容器能够承受高纹波高温高压的冲击,在105℃,450 V高纹波(470μF 1.85 A,56μF 0.51 A)状态下可稳定地工作,耐久性可达105℃ 2 000 h。

    2003年04期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 49k]
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  • 引线框架材料对铜合金与锡铅焊料界面组织的影响

    黄福祥,马莒生,朱继满,宁洪龙,铃木洋夫,耿志挺,陈国海

    采用老化试验、金相分析、扫描电镜(SEM)及能谱分析(EDX)等手段对引线框架铜合金与SnPb共晶焊料界面组织进行了分析研究。结果表明,引线框架材料对铜合金与SnPb共晶焊料界面组织有很大的影响,焊点在160℃高温老化300 h后,CuCrZr系合金和CuNiSi合金与SnPb的界面金属间化合物为Cu6Sn5,其厚度在5~10 mm; 而C194合金与SnPb的界面金属间化合物为分布有Pb颗粒的Cu6Sn5,厚度已高达60~70 mm,同时还发现有微小空洞存在,影响焊点的可靠性。与C194合金相比,CuCrZr系合金和CuNiSi合金具有更好的焊接可靠性。

    2003年04期 33-35+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 1216k]
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  • 新型无铅焊料合金Sn-Ag-Cu-In-Bi的研究

    陈国海,耿志挺,马莒生,张岳

    目前广泛用于电子工业界的Sn-Pb焊料合金由于Pb的毒性而将被限制使用,无铅焊料合金的研制成为研究的热点。笔者以Sn-Ag-Cu合金为母合金,同时添加In和Bi元素,得到了性能更好的无铅焊料合金,进行了一系列的性能测试,包括熔点、硬度、剪切强度以及可焊性。并且确定了综合性能较好的焊料的成分范围。

    2003年04期 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 73k]
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  • 无铅焊料及其可靠性的研究进展

    黄惠珍,魏秀琴,周浪

    环保和微电子器件高度集成化的发展驱动了高性能无铅焊料的研究和开发。本文介绍了国内外对Sn-Ag,Sn-Zn,Sn-Bi,Sn-Sb和Sn-In系无铅焊料的发展现状及所取得的研究成果;列出了美国抗高温疲劳焊料研究计划筛选的七种抗热疲劳无铅焊料合金;对焊点的一般可靠性问题及无铅焊料引入的新的可靠性问题进行了归纳和讨论。

    2003年04期 39-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 74k]
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  • 提高发光二极管(LED)外量子效率的途径

    齐云,戴英,李安意

    发光二极管的内量子效率与外量子效率之间存在巨大的差距,主要介绍了提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,包括生长分布布喇格反射层(DBR)技术,将射向衬底的光反射回表面;制作透明衬底(TS)取代原有的GaAs衬底;改变LED几何外形来缩短光在LED内部反射的路程以及限制全反射现象的表面粗化技术。对比了每种方法的发展过程及效率。

    2003年04期 43-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 152k]
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  • 电容器贮存电荷能力与可靠性

    刘霖,朱绪飞

    试图探讨铝电解电容器贮存电荷的能力与电容器可靠性之间的关系。用自放电电压的高低来判定电容器的质量。用铝电解电容器常规的三参数(电容量、漏电流、损耗角正切值)检验电容器的可靠性有一定的局限性,而电容器贮存电荷的能力却与电容器的可靠性之间更有直接的关系,实验证明:在其他条件一定的情况下,电容器自放电电压越高,电容器的可靠性越高。

    2003年04期 46-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 54k]
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