刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 气体摆式倾角传感器敏感机理的有限元分析

    朴林华,林宇,张伟,张福学

    解释了气体摆式倾角传感器的敏感机理。采用有限元方法,利用ANSYS-FLOTRAN CFD软件,通过建模、划分网格、加载和求解等途径,计算了在不同倾斜状态下二维密闭腔中两点热源引起的对流场。计算结果表明:在水平状态时,两热源处的气流速度相等,两热电阻丝上的电流相等,电桥电路输出为零;在倾斜状态下时,两热源处的气流速度之差随着倾斜角度而变化,引起两热电阻丝上电流之差也随之变化,电桥输出一个对应于倾斜角度的电压。有限元计算方法为气体摆式倾角传感器的优化设计,开辟了一条有效的研究途径。

    2003年03期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 469k]
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  • 钽钪酸铅-钛酸铅制备工艺研究

    曹健,唐宾华,张文,乐夕,朱建国,肖定全

    采用XRD、SEM等分析技术,研究了制备工艺与(1x)Pb(Sc1/2Ta1/2)O3xPbTiO3(简称PSTT)结晶性能的关系。如选择适当的组分,在适当的温度下采用传统的电子陶瓷混合氧化物法可以获得全钙钛矿相结构的PSTT陶瓷;PSTT陶瓷晶粒细小均匀。

    2003年03期 4-6+9页 [查看摘要][在线阅读][下载 458k]
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  • AlN陶瓷表面钛金属化反应机理及微观结构

    黄奇良,潘伟,张直

    通过X射线衍射分析和扫描电镜观察研究了利用融盐热歧化反应法在氮化铝陶瓷表面生成的钛金属化复合膜的组成、金属化膜与氮化铝陶瓷基体之间的界面反应及界面层的显微结构。研究发现,钛金属化膜非常均匀致密,膜层与氮化铝陶瓷基体结合紧密,形成了一扩散层,钛与铝组元浓度在该扩散层中呈梯度分布,沉积到AlN陶瓷表面的钛金属与AlN发生反应主要生成TiN0.3、TiAl3和Ti9Al23。

    2003年03期 7-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 156k]
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  • 差动电容敏感式力学传感器的信号提取电路

    王宏伟,张伟,林宇,张朝民

    通过对加速度计的研究,开发了一类利用差动电容敏感的力学传感器的信号检测电路。在电路中给出了所使用的电子元器件,并进行分析求解,给出了电路的输出电压和传感器信号拾取电容变化量之间的正比例关系。经过实验测试,当电容变化0.01 pF时,就有10 mV的输出电压。故该电路可以检测微弱电容的变化,特别是电容变化量为0.01~1.00 pF的小电容变化。

    2003年03期 10-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 157k]
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  • 多元纳米压敏陶瓷粉体的sol-gel合成与表征

    康雪雅,陶明德,涂铭旌

    为了避免单体纳米粉体的易团聚、难以分散混合均匀的缺点,为了避免化学共沉淀方法中微量添加剂易流失、成分难以精确控制的缺点,本文设计采用溶胶-凝胶方法制备多元纳米压敏陶瓷粉体材料。通过用溶胶-凝胶方法制备多元纳米压敏陶瓷粉体的研究和对多元纳米压敏陶瓷粉体的表征,得到以下主要结果:用金属醇盐和无机盐为原料,经过醇解和水解反应,形成溶胶,经过胶凝以及热分解制备多元纳米压敏陶瓷粉体的工艺技术路线是可行的。通过工艺控制可以得到粒子形状为近似球形,粒度分布范围窄,成分均匀分布、平均粒径为20 nm的多元纳米压敏陶瓷粉体。与传统方法制备的多元微米压敏陶瓷粉体相比较,多元纳米压敏陶瓷粉体的比表面积为334 m2/g,是多元微米压敏粉体比表面积的37.4倍。

    2003年03期 13-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 661k]
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  • 碳热法合成AlN纤维的形貌及反应机理

    鲁玉明,丘泰,沈春英

    笔者以Al2O3纤维为原料,采用碳热还原法合成AlN纤维,研究了其形貌及结构,实验结果表明:纤维由粒径为1 μm左右的AlN晶粒构成,纤维为空心棒状,其直径为4~6 μm,长径比为20~30。合成反应中,主要是碳把氧化铝还原为铝的低价氧化物,并进一步与氮反应生成氮化铝。其反应是在氮化铝层的两个界面上同时进行的。

    2003年03期 16-17+21页 [查看摘要][在线阅读][下载 407k]
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  • 自然空气冷却情况下功率器件散热器的优化设计

    龙昊,付桂翠,高泽溪

    介绍了功率器件散热器的散热原理,提出散热器的优化问题。叙述了功率器件在自然空气冷却状态下如何初选散热器,并采用散热器优化软件对散热器进行优化设计。讨论了散热器的理论优化和工程优化的不同,在工程实际情况下功率器件如何与散热器达到最优匹配;还分析了不同工作状态下界面热阻、功耗和热辐射等因素对散热效果的影响。

    2003年03期 18-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 375k]
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  • 铁电冷阴极材料电子发射实验研究

    陈忠道,张树人,蔡雪梅,郭曙光

    铁电冷阴极材料是一种在脉冲电压激励下从铁电表面获得很强的脉冲电子发射的新型功能材料。如何提高该材料的发射电流密度、束发射度和束亮度,是其研究的一个热点。本实验采用硅橡胶,清漆作为底电极表面及栅电极边缘的绝缘保护层,避免了表面放电现象,使得激励场强增大,从而极大地提高了铁电冷阴极材料的发射电流密度,最高达187 A/cm2,从归一化均方根发射度εn(m·rad)和归一化峰值亮度βn(A/m2·rad2)理论计算值来看,也大大改善了材料的束发射度和束亮度。

    2003年03期 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 173k]
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  • Mg在BaTiO_3瓷中抗还原机理研究

    湛灿辉,江涛,卢振亚

    研究Mg在BaTiO3瓷中的抗还原作用。采用CO、CO2还原气氛中烧结制作不同含Mg量(摩尔分数为0.05%~0.25 %)BaTiO3瓷试样。实验结果表明含Mg的BaTiO3瓷比不含Mg的BaTiO3瓷体积电阻率高8~9数量级。试样XRD谱线计算,晶胞参数a,c随Mg含量的增加而增大,电子探针显示Mg均匀分布。显微结构分析推断,Mg既固溶于A位(MgBa)又固溶于B位(MgTi),杂质缺陷结构(MgTI)的受主电离复合还原气氛产生的氧缺位(VO)的施主电离,从而大大降低了施主电离的电子浓度。因此,MgTi的存在是BaTiO3瓷抗还原的本质。

    2003年03期 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 218k]
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  • 高振实密度球形镍粉研制

    廖戎,周大利,张云,潘高峰

    论述了液相还原法直接制备高振实密度球形镍粉的新工艺。原料采用NiSO4·5H2O,利用NaOH调节溶液的pH值并形成Ni(OH)2,还原剂采用N2H4·H2O,还原过程中加入晶核引发剂及表面活性剂。研究工作采用正交试验法安排实验,分析了对镍粉的振实密度及粒径的影响因素之主次顺序,得出实验室规模的较优工艺组合条件为: g (N2H4·H2O/Ni2+)≥2.2;反应时间为24 min左右;Ni2+的浓度为2.0 mol/L;g (NaOH/Ni2+)为1.1;反应温度为80℃。新工艺可制备振实密度高达3.0以上、质量中位径约为1 mm的高质量球形镍粉。

    2003年03期 28-30+34页 [查看摘要][在线阅读][下载 187k]
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  • 高效电池电源设计研究

    郭创,李士波,樊蓉,张宗麟

    传统的电池电源设计存在诸多弊端:低电压供电难,供电时间短,输出电压纹波较高,消耗电流大以及开关频率高时,效率低下。笔者以TI公司的充电泵TPS60210为基础,采用推挽拓扑结构,根据负载电流的大小,自动选择三种不同的工作模式(待机,连续频率及脉冲–跳跃),实现了低EMI、高转换效率的电池电源设计,减少了常规充电泵固有的高输出电压纹波,延长了电池寿命。

    2003年03期 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 220k]
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  • 底镀层对陶瓷封装芯腔表面高温变色的影响

    王占华,沈卓身,李裕洪

    研究了Ni底镀层和不同Co含量的Ni-Co合金底镀层对陶瓷封装芯腔镀金层表面抗高温变色能力的影响。420℃、15 min的高温考核表明:w(Co)超过10%以上的Ni-Co合金底镀层,对陶瓷封装芯腔表面抗高温变色能力明显优于纯Ni底镀层。镀层中w(Co)超过10%以上时,抗高温变色能力并不会随着Co含量增加而提高,仅随底镀层厚度的增加而明显增强。因而在陶瓷封装中,采用厚度大于4 mm的、含Co 15%左右的Ni-Co合金,代替Ni作为底镀层是可行的。

    2003年03期 35-37+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 241k]
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  • 电化学电容器最新研究进展 II.氧化还原电容器

    杨红生,周啸,姜翠玲,王德全

    主要依据最近5年来的相关文献,综述了氧化还原电容器的最新研究进展。介绍了金属氧化物电极电化学电容器中提高Ru利用率和用廉价金属材料代替Ru的研究,并详细描述了I型、II型和III型导电聚合物电极电化学电容器的研究状况,此外也介绍了混合型电化学电容器的研究进展。新材料的开发和利用极大地提高了氧化还原电容器的性能,降低了原料成本,同时也拓宽了人们的研究范围。

    2003年03期 38-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 135k]
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  • 三极碳纳米管场发射显示屏的制作研究

    李玉魁,朱长纯

    利用碳纳米管作为阴极材料的场致发射显示屏是一种新型的平板器件。介绍了三极结构碳纳米管场致发射显示屏的工作原理,基本结构以及寻址方式。重点讨论了在制作器件方面所存在的真空封装问题,荧光粉制作问题以及绝缘隔离层问题。在提出一种新型结构栅极制作工艺的基础上,成功地制作了三极碳纳米管场发射显示屏器件。

    2003年03期 43-45+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 93k]
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  • 氧化铝陶瓷基板过孔的新型激光打孔工艺

    郭栋,李龙土,蔡锴,桂治轮

    陶瓷基板激光打孔一固有缺点即孔周围会形成大量不规则堆溅物。提出一种直接在凝胶注模成型陶瓷素坯上激光打孔的新工艺。Nd:YAG激光在氧化铝上打孔的研究表明,该方法能大大减少堆溅物的形成,从而得到分布致密、形状规则的微孔。

    2003年03期 46-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 613k]
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  • 中国印制电路产业状况

    王龙基

    2003年03期 49页 [查看摘要][在线阅读][下载 42k]
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