刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 新春寄语

    2003年01期 1页 [查看摘要][在线阅读][下载 38k]
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  • 电流变液颗粒相介电常数测量研究

    唐宏,杨俊刚,尹剑波,赵晓鹏

    根据粉体颗粒与连续电介质均匀混合的介电常数混合原理和电桥电容法测介电常数的方法,提出消除空气粉末法和油液混合法测量电流变液中粉体颗粒的介电常数。消除空气粉末法扣除了通常压片法中空气空隙的影响,更能反映粉体性能。对TiO2粉、淀粉和SiO2粉等进行实测,获得了较好的测量精度。对稀土掺杂TiO2粉进行测量发现适当稀土掺杂量可以有效提高介电常数,从而获得最佳的电流变性能效果。

    2003年01期 3-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 142k]
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  • 多端I/O系统用BiCMOS连线逻辑电路

    成立,高平,董素玲,李彦旭,唐平

    为了满足数字通信和信息处理系统多端输入/输出(I/O)、高速、低耗的性能要求,笔者设计了几例BiCMOS连线逻辑电路,并提出了采用0.5 mm BiCMOS工艺,制备所设计的连线逻辑电路的技术要点和元器件参数。所做实验表明了设计的连线逻辑电路既具有双极型逻辑门电路快速、大电流驱动能力的特点,又具备CMOS逻辑门低压、低功耗的长处,而且其扇入数可达3~16,扇出数可达1~18,因而它们特别适用于多端I/O高速数字通信和信息处理系统中。

    2003年01期 7-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 162k]
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  • ′2002第七届中国(国际)小电机技术研讨会暨展览会在上海光大会展中心举行

    张思明

    2003年01期 10页 [查看摘要][在线阅读][下载 51k]
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  • 双施主掺杂对BaTiO_3基PTC陶瓷性能的影响

    谢志勇,马卫兵,曲远方,卢艳

    研究了Nb2O5和Y2O3双施主一次掺杂对PTC BaTiO3陶瓷性能的影响。探讨了Nb2O5和Y2O3的作用机制,结果表明:Nb2O5主要是起施主作用;而Y2O3既可作为施主,又可起受主作用。添加适量的Y2O3,不仅可以降低电阻率,还可以提高升阻比。另外,还对改变施主掺杂顺序所产生的PTC效果进行了比较,发现施主二次掺杂的效果不如一次掺杂好。

    2003年01期 11-12+16页 [查看摘要][在线阅读][下载 79k]
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  • 纳米复合粉体制备压敏陶瓷的晶界相变及稳定性

    康雪雅,陶明德,王天雕,韩英,涂铭旌

    研究了纳米复合压敏陶瓷粉体制备的微型压敏芯片在不同温度退火前后电性能的稳定性,不同退火温度下晶界相结构的转变;研究确定了晶界耗尽层间隙锌离子的缺陷类型、缺陷密度与退火温度的关系,在此基础上提出了对稳定性做出贡献的晶界相变和间隙锌离子迁移的复合模型。

    2003年01期 13-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 273k]
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  • Co-Mn-Ni系NTC热敏电阻超微细粉体的液相法制备

    叶峰,妥万禄,巴维真

    讨论了液相法制备Co-Mn-Ni三元系NTC热敏电阻超微细粉体的一些主要方法,如共沉淀法,均匀沉淀法,溶胶–凝胶法等的基本原理与优缺点,并对一些具体制备方法进行了比较。

    2003年01期 17-19+21页 [查看摘要][在线阅读][下载 203k]
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  • 诱导水解法制备微细高分散金红石型二氧化钛

    华东

    采用加热TiCl4稀溶液的方式,制备晶种,将其导入一定浓度的TiCl4溶液中进行诱导水解。所得的偏钛酸经干燥、煅烧后得到分散性好,D50为1 mm以下,金红石含量为≥95%的高纯TiO2,可用于生产PTC热敏电阻等铁电陶瓷。

    2003年01期 20-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 181k]
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  • 半化学法制备钨镁酸铅-钛酸铅陶瓷

    李恒欣,崔斌,高秀华,钟有菊,王辉

    采用半化学法制备了纯钙钛矿结构的0.50 Pb(Mg1/2W1/2)O3-0.50 PbTiO3 (0.50 PMW-0.50 PT)陶瓷。以醋酸镁代替传统氧化物混合法中的MgO,提高了MgO的分散性和反应活性,能够有效地促进钙钛矿相0.50 PMW-0.50 PT的形成和抑制钨酸铅的存在。随着预烧温度的提高,0.50 PMW-0.5 0PT粉体的钙钛矿相含量增加,当预烧温度为850℃和保温时间为2 h时其钙钛矿含量达到100%;随着烧结温度的提高,0.50PMW-50PT陶瓷的晶粒尺寸增大,而陶瓷的介电常数先增大后减小,介电损耗先减小后稍微增大。0.50 PMW-0.50 PT陶瓷的最佳烧结条件为1 050℃,2 h,最大相对介电常数为7 606。

    2003年01期 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 91k]
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  • 5V型活性炭基超电容器的研制

    王晓峰,王大志,梁吉

    详细探讨了活性炭基超电容器的电化学特性。直流充放电、循环伏安以及交流阻抗等实验显示了采用二次刻蚀方法制备的活性炭材料具有良好的容量性能和功率特性,活性物质的比容量为173.2 F/g,在大功率充放电条件下以活性物质为电极的电容器的比能量大于5.0 Wh / kg。采用新型工艺开发的 5 V小型电容器电容量达到3 F以上且电容器电阻低于120 mΩ,具有良好的电化学特性。

    2003年01期 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 134k]
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  • VLSI用低介电常数含氟碳膜研究

    刘雄飞,李幼真,肖剑荣

    用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备了不同工艺条件下的含氟碳膜。测量了薄膜的厚度和介电常数,并用傅立叶红外光谱分析了薄膜化学结构,发现薄膜成分和介电性与沉积工艺密切相关,对薄膜的SEM分析表明所得薄膜均匀致密。控制适当的工艺条件,可沉积理想的超大规模集成电路(VLSI)用钝化膜。

    2003年01期 28-29+32页 [查看摘要][在线阅读][下载 148k]
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  • NaF对BMT系陶瓷结构及介电性能的影响

    高伟,谢道华,邢晓东,田宏敏

    Ba(Mg1/3Ta2/3)O3(BMT) 具有复合钙钛矿型结构。其微波性能优异(Q > 12 000),但由于烧结温度很高(1 5301 650℃),导致成本增加,难以实用化。本实验中采用传统的固相法制备纯的BMT,然后以NaF作为添加剂,研究了NaF对BMT结构和介电性能的影响,结果表明以NaF为添加剂可大幅度降低烧结温度。样品在1 350 ℃烧结时,具有良好的介电性能。

    2003年01期 30-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 264k]
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  • 高频压电陶瓷谐振器的制备与性能

    肖洪地,王成建,马洪磊

    主要研究PbTiO3基陶瓷谐振器的制备工艺和主要性能。PbTiO3基陶瓷采用传统工艺来制备。这种陶瓷具有高kt和Qm,低er和高频率稳定性,用此种陶瓷制备的高频谐振器具有优良性能,并完全满足使用的需要。

    2003年01期 33-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 91k]
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  • DSP极低码率的远程视频监控系统

    孙继平,关永,张杰

    笔者以TI的低成本DSP芯片F206为例,介绍了一种基于此芯片的极低码率双绞线视频图像监控系统,包括它的整体方案,及实现时的一些难点解析。实践表明:此系统经济、实用且具有广播能力。

    2003年01期 36-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 230k]
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  • 我国信息产业发展速度将采用新的方法计算

    2003年01期 38页 [查看摘要][在线阅读][下载 183k]
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  • 模式识别在微电子封装中的应用

    冯新勇,刘嘉勇,袁新峰,张望

    模式识别技术的应用,可使微电子封装工艺更具智能化。模板匹配法是模式识别技术的基本模式。以模板匹配法在半导体器件SOT—23封装工艺中的应用为例,从基本概念与系统结构入手较详细地介绍了模式识别技术。

    2003年01期 39-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 65k]
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  • RuO_2基厚膜电阻电脉冲调阻工艺研究

    王吉刚,董述恂

    用厚膜法制备了RuO2基厚膜电阻,研究了电阻值变化与脉冲电压的关系,分析了调阻工艺的特点;测量了电阻的可调整极限,目标值、偏差与初始电阻的特性,最佳阻值调整范围;研究了二次烧结对调整电阻值的影响规律。

    2003年01期 42-43+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 136k]
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  • 如何延长焊片(针)型铝电解电容器的寿命

    赵晓伙

    针对焊片(针)型铝电解电容器,特别是中高压产品,在耐久性试验过程中,所产生的失效现象及其机理,作了较为详细的分析,并提出了相应的对策。合理选择该结构的铝电解电容器的胶盖用料并采用全密封基板的结构方式,可以有效地阻止氯离子的游离,从而提高产品的使用寿命。

    2003年01期 44-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 132k]
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  • 锰铜薄膜超高压力传感器研究

    杜晓松

    锰铜计是一种特种传感器,主要用于测量冲击波产生的超高压力。其量程上限可达50GPa,是现有传感器中最高的。为满足国防工程的特殊需要,须进一步提高传感器的量程上限及缩短传感器的响应时间。笔者通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺,制作了一种新型的薄膜化的锰铜传感器,所得到的主要结论及创新性的结果可归纳如下:

    2003年01期 46-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 58k]
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  • 企业应抓紧注册出口商标

    2003年01期 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 47k]
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