- 林素芬
加入WTO后,我国应抓住全球性信息产业调整和转移的机遇,大力发展新型电子元器件。竞争进一步加剧,使新型电子元器件发展面临更严峻的挑战。为促进其发展,国家将新型电子元器件列为“十五”发展重点,对我国新型电子元器件产品重点支持,力争“十五”期间内满足国内的需要,并进入国际市场。
2002年12期 1-3页 [查看摘要][在线阅读][下载 52k] [下载次数：151 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：57 ] - 胡明,阎实,张之圣,刘志刚,张景阳
研制了一种被称为导电高分子固体铝电解电容器的新型电子元件。由于用化学聚合方法在电容器介质膜Al2O3表面形成导电聚吡咯(Polypyrrole)膜,作为电容器的阴极而取代传统的工作电解液阴极,因此新型电容器具有可靠性高,高频低阻抗,易于片式化等优点。研制的电容器的性能指标为:额定工作电压DC 6.3~16 V, 电容量范围2.2~33 mF,损耗角正切tgd≤0.06(120 Hz,+20℃),漏电流IL≤0.04 CV (或3 mA取大值),并具有良好的温度特性和频率阻抗特性。
2002年12期 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 97k] [下载次数：308 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：12 ] |[阅读次数：95 ] - 李雪清,章继高,周怡琳
采用阻抗分析仪对室内长期暴露镀金样品腐蚀表面进行接触阻抗特性实验,结果表明:接触阻抗随触点的表面污染、腐蚀状况及信号频率而变化;接触阻抗中电阻分量随表面污染程度增大出现电阻增高、不稳定,而阻值亦出现随频率上升的趋势;当表面腐蚀物严重堆积时,接触电容成为主要影响参数。镀金表面自然腐蚀后接触阻抗的测试为进一步研究传输过程中接触阻抗可能产生的影响提供了必要的基础。
2002年12期 7-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 99k] [下载次数：195 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：71 ] - 刘杨秋,梁彤祥,倪晓军,付志强
采用物理气相沉积方法在聚酰亚胺基板上沉积Cu薄膜,利用TiN阻挡Cu元素向聚酰亚胺基板内部扩散。研究了在60Co-g射线辐照条件下,TiN阻挡层的阻挡效果,扫描俄歇微探针谱图分析表明:TiN层可以有效地阻挡Cu元素向聚酰亚胺基板内的扩散。当照射剂量大于2105 Gy后,TiN失去阻挡Cu元素扩散的效果。
2002年12期 11-12+16页 [查看摘要][在线阅读][下载 87k] [下载次数：121 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：8 ] |[阅读次数：84 ] - 李彦旭,巴大志,成立
论述了静态存储单元电路对目前高速数字系统的意义。通过采用对双极型(Bipolar)、互补对称式金属–氧化物–半导体型(CMOS)、双极互补金属氧化物半导体型(BiCMOS)三种不同工艺所设计的静态存储单元电路在性能、特点方面进行比较的方法,从而提出一些实际的解决措施,以便研发人员在设计具体的SRAM电路时有所参考。
2002年12期 13-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 249k] [下载次数：112 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：106 ] - 潘晖,佟丽英,曹全喜
讨论了SiC晶体升华法生长机理。从SiC晶体生长过程中的化学反应,热传输,物质传输以及缺陷的形成等方面进行了探讨。分析了化学计量比和保护气体压力对SiC单晶生长及其缺陷形成的影响。通过分析得到,要获得高质量的SiC单晶,必须有效地控制各种工艺参数。
2002年12期 17-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 59k] [下载次数：273 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：73 ] - 李红耘,罗绍华,尧巍华,李杰,唐子龙,张中太,庄严,熊西周
采用干压及干压加等静压两种成型方法,通过对不同样品的电性能和焊接性能的比较,并通过SEM微观形貌的观察,研究了等静压成型对TiO2压敏电阻陶瓷元件的微观结构及电性能的影响。结果表明,经等静压成型的TiO2压敏电阻陶瓷的微观结构比较致密,气孔减少,元件的电压一致性和焊接性能得到较大的改善。
2002年12期 20-21+26页 [查看摘要][在线阅读][下载 1044k] [下载次数：137 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：7 ] |[阅读次数：97 ] - 王风贺,雷武,夏明珠,王风云
研究了掺杂La2O3对ZnO-Pr6O11系压敏陶瓷的电性能和衰变特性的影响。试验结果表明:随La2O3添加量的增加,压敏电压(V1mA)和非线性系数(α)增加,漏电流(IL)减少。掺杂La2O3的ZnO-Pr6O11系压敏陶瓷性能稳定,具有良好的抗老化作用。
2002年12期 22-23+26页 [查看摘要][在线阅读][下载 137k] [下载次数：110 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：5 ] |[阅读次数：91 ] - 陈丽华,白旭东,刘奎学,齐晓璐,全宝富
以国产材料(A)和日本进口材料(B)合成的高分子材料作感湿膜,制作了高分子湿敏器件,均具有良好的感湿特性。增涂乙基纤维素保护膜,有使(A)器件湿滞回差变大,(B)器件湿滞回差变小的趋势。浸水时间不当均可使两种器件的湿滞回差变大,因此合理控制浸水时间是必要的。
2002年12期 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 130k] [下载次数：109 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：57 ] - 黄建洧,张其土,李洁
研究了在SrTiO3-PbTiO3- Bi2O3·3TiO2系中分别添加CaTiO3和MgTiO3对材料介电性能的影响,利用复合添加MgTiO3、CaTiO3、MnO2、Nb2O5、SiO2对SrTiO3-PbTiO3- Bi2O3·3TiO2系介质材料进行改性,制得εr=1500～2000耐压Eb≥12 MV/m、损耗tgδ≤6×104的高压瓷介电容器材料。
2002年12期 27-28+32页 [查看摘要][在线阅读][下载 99k] [下载次数：310 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：14 ] |[阅读次数：97 ] - 漆海波,周啸,姜翠玲,楚红军
在碳纳米管(CNT)基体上用化学聚合或电化学聚合方法沉积聚吡咯(PPy)制得复合材料。再以此类复合材料为活性物质制作电极,组装成原型超电容器。并对其进行了循环伏安、恒电流充放电等电化学测试。用此类复合材料制成的原型超电容器的比容量(23.6 F/g)与纯碳纳米管(2.3 F/g)或纯聚吡咯(3.9 F/g)制成的原型电容器比较,发现复合电极电容器比容量的提高不是简单的加和效应,而是协同效应所致。
2002年12期 29-32页 [查看摘要][在线阅读][下载 253k] [下载次数：640 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：39 ] |[阅读次数：140 ] - 任羿,康锐
根据大型装备研制中制定PPL(优选元器件清单)的经验和需求,首次以业务模型的形式给出了PPL制定机构的组织方式和工作流程的一般模式,并结合该模型提炼出可实现自动化的环节,为PPL制定软件系统的设计奠定了基础。为了实现业务模型与软件设计模型的统一,采用UML(统一建模语言)来描述PPL制定业务模型。
2002年12期 33-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 409k] [下载次数：84 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：61 ] - 孙继平,关永,张杰
对现行、主要的二种远程通讯方式进行了比较,指出了光纤传输方式的缺点和采用视频电缆传输方式的不足。重点介绍了基于普通双绞线的xDSL技术群的特点,并结合视频监控系统和移动通讯系统的实际情况,给出了笔者初步研发成功的系统级模型。实践表明:在现行条件下,基于普通铜质双绞线的xDSL技术群是远程监控更为现实、可行的传输方式。
2002年12期 37-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 62k] [下载次数：76 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：82 ] - 2002年12期 40页 [查看摘要][在线阅读][下载 39k] [下载次数：20 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：35 ]
- 2002年12期 41页 [查看摘要][在线阅读][下载 42k] [下载次数：20 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：47 ]
- 陆锁链2002年12期 41页 [查看摘要][在线阅读][下载 42k] [下载次数：157 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：77 ]
- 2002年12期 44-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 58k] [下载次数：17 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：26 ]
- 2002年12期 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 42k] [下载次数：35 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：55 ]
- 2002年12期 47-49页 [查看摘要][在线阅读][下载 62k] [下载次数：30 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：21 ]
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