刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 钕掺杂对SnO_2·Co_2O_3·Nb_2O_5压敏电阻瓷电性能的影响

    亓鹏,王矜奉,陈洪存,高琨,高建鲁

    通过对样品的伏安特性,晶界势垒的测量和分析,研究了Nd2O3对SnO2·Co2O3·Nb2O5压敏电阻瓷电性能的影响。发现掺入x(Nb2O3)为0.050%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为460.69 V/mm,密度为6.812 g/cm3,非线性系数为18.7。为了说明电学非线性的起源,提出了SnO2压敏材料的一个缺陷势垒模型。

    2002年11期 1-3+6页 [查看摘要][在线阅读][下载 344k]
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  • 轧膜成型PTCR瓷片平整烧成工艺的研究

    陈艳,龚树萍,周东祥

    为制备平整的PTCR瓷片,通过大量试验,分别从烧成温度、升温、降温阶段等各种烧成工艺对采用轧膜成型法制备PTCR瓷片性能的影响,得到了最佳平整度和电性能参数的烧结工艺。

    2002年11期 4-6页 [查看摘要][在线阅读][下载 281k]
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  • ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜的制备及其特性

    黄佳木,董建华,张新元

    笔者采用射频磁控溅射工艺、以氧化锌铝陶瓷靶为靶材制备透明导电ZAO薄膜,系统研究了各工艺参数,如氧流量、工作气压、温度、射频功率和退火条件等对其结构和光电特性的影响。实验结果表明:在纯氩气中且衬底温度为300℃时制备的ZAO薄膜经热处理后电阻率降至8.7104 W·cm,可见光透过率在85%以上。X射线衍射谱表明ZAO晶粒具有六角纤锌矿结构且呈c轴择优取向,晶粒垂直于衬底方向柱状生长。

    2002年11期 7-10+13页 [查看摘要][在线阅读][下载 323k]
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  • 经济实用的DSP电源解决方案

    孙继平,关永,张杰

    笔者介绍了两种低纹波的DSP电源解决方案:一为采用MAX1793和大电流EMI静噪滤波器NFM41P;二为改进的去耦p型滤波电路和大电流EMI静噪滤波器NFM41P。并对方案的特点及其实现进行了详细的解析。试验结果表明:所述方案的纹波小,仅100 mV左右;成本低,仅几十元;适用范围广,通过改变MAX1793芯片的输出电压,可将本方案移植到TI的C5000,C6000系列,且还可用于其他的脱机工作系统。

    2002年11期 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 285k]
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  • 电子镇流器中电容器失效分析

    丰骏,邵国柱

    简述了电子镇流器的工作原理,分析了几种电容器失效的模式并进行了机理推测,通过试验分析和实体分析,得出失效的主要原因有:电容器的Res值偏大、纹波电流过载、有害杂质的破坏、铝箔变性、阴极箔水合作用及电网电压异常波动等因素,最后提出了改进电容器性能的措施。

    2002年11期 14-15+18页 [查看摘要][在线阅读][下载 168k]
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  • 高纯超细球形银粉生产工艺与设备的开发研究

    冯毅,孟淑媛,刘会冲

    介绍了电子元件用高纯超细球形银粉的工业生产工艺及其生产设备的特点,探讨了影响银粉质量的各个因素。用本工艺与设备生产出来的银粉呈球形、高纯、粒径分布在0.2~0.6 mm之间,完全符合电子元件的使用要求。

    2002年11期 16-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 171k]
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  • 镀金层微孔率检测方法的研究

    周怡琳,章继高

    为防止连接器在空气中污染腐蚀而导致电接触失效,广泛采用表面镀金工艺。但镀金层较薄,不可避免地出现微孔,形成微孔腐蚀。微孔率是评价连接器镀金质量的重要参数之一。采用潮湿SO2气体加速腐蚀,并配以显微镜分析是一种方便、快速的连接器镀金微孔率检测方法。采用这种方法检测同轴连接器镀金层,发现镀金层厚度不足1 mm时,微孔率大于600个/cm2,随镀金层厚度增加至3 mm以上,微孔率急剧减少,低于60 个/cm2。

    2002年11期 19-21页 [查看摘要][在线阅读][下载 431k]
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  • 第三届微波及毫米波技术国际会议(ICMMT2002)在北京召开

    2002年11期 21页 [查看摘要][在线阅读][下载 323k]
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  • 电镀镍层对金属封装外引线弯曲疲劳性能的影响

    刘飞华,沈卓身,许维源

    笔者系统地研究了改善金属封装外引线抗弯曲疲劳的方法。发现各种类型的电镀镍层对外引线弯曲疲劳性能有不同的影响,其中在氨基磺酸镍镀液中,采用多波形电流电镀时外引线抗弯曲疲劳的性能最好。另外,用H2作为保护气体,对引线弯曲性能较差的镀覆亮镍的金属封装进行退火,也能明显改善外引线的抗弯曲疲劳能力。

    2002年11期 22-23+33页 [查看摘要][在线阅读][下载 140k]
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  • 铝固体电解电容器电解质研究进展 Ⅱ.导电聚合物型铝固体电解电容器

    张庆武,周啸,姜翠玲,于家宁

    综述了聚吡咯(PPY)、聚苯胺和聚(3,4–次乙二氧基噻吩)(PEDOT)等导电高分子材料在铝固体电解电容器中应用的最新研究情况。聚吡咯型铝固体电解电容器明显好于TCNQ复合盐型电容器。聚苯胺和聚(3,4–次乙二氧基噻吩)型铝固体电解电容器是尚在研究还未商业化的两类新品种,后一类因其高导电性、高环境稳定性,而最具发展前景。

    2002年11期 24-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 316k]
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  • 声表面波器件的钝化及功率持久性

    张传忠

    声表面波(SAW)器件作为级间滤波器及天线双工器而广泛地用于便携电话和蜂窝电话的中频(IF)和射频(RF)电路,因此,解决功率持久性和长期稳定性问题十分重要。本文介绍通过不同电极材料及钝化层改进SAW器件功率持久性及稳定性的一些方法。试验结果表明,SiO2钝化层在改进器件功率持久性上比其他种类的钝化层都有效。

    2002年11期 28-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 124k]
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  • 纳米TiO_2半导体催化活性的研究进展

    高春华,黄新友

    纳米TiO2半导体催化技术具有广阔的应用前景,近年来半导体光催化已成为功能陶瓷材料、光化学、环境保护、生物技术等领域的研究热点之一。本文简要介绍了近年来国内外纳米TiO2半导体光催化剂的研究进展,主要包括纳米TiO2光催化剂的作用机理及结构的影响;提高催化活性的方法,指出了表面贵金属沉积、复合半导体、金属离子掺杂和表面光敏化是提高催化活性和催化效率的有效途径。

    2002年11期 30-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 129k]
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  • 市场竞争面临十大变化

    2002年11期 33页 [查看摘要][在线阅读][下载 108k]
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  • ispLSI1032E器件及其应用

    丁家峰,曹建,李新梅

    介绍了Lattice公司的大规模集成电路ispLSI1032E,它是一种在系统复杂可编程逻辑器件(CPLD),借助于EDA设计软件可以随时更改芯片的功能,而且不需要改动印制电路板(PCB)的结构,大大提高了系统设计的效率,并保证了设计的正确性。最后设计了基于该芯片的EDA教学实验系统。

    2002年11期 34-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 194k]
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  • 综合信息

    2002年11期 37页 [查看摘要][在线阅读][下载 513k]
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