刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 钨掺杂对二氧化钛压敏电阻瓷电性能的影响

    苏文斌,王矜奉,陈洪存,王文新,臧国忠,李长鹏

    通过对样品的伏案性质、介电常数以及晶界势垒的测量和分析,研究了WO3对TiO2压敏电阻瓷电性能的影响。研究发现掺入x(WO3)为0.25%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为42.5V/mm,非线性系数α达到9.6,以及较高的相对介电常数(εr=7.41×104),是一种具有较好潜力的电容-压敏电阻器。通过不同烧结温度的实验,发现1 350℃是最佳烧结温度。类比ZnO压敏材料的晶界势垒模型,提出了适合TiO2压敏材料的肖特基势垒模型。

    2002年05期 1-2+5页 [查看摘要][在线阅读][下载 2316k]
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  • Ce∶YIG粉体的制备及性能研究

    王巍,兰中文,姬洪,梁魁,王豪才

    本实验采用共沉淀法制备Ce∶YIG粉体。通过对反应体系的pH值的研究,确定了反应的最佳pH值范围为8~9,得到了颗粒分布均匀的粉体。经电子探针微区分析,粉体的组分与实验设计的配方相吻合。粉体在不同的温度条件下进行烧结实验,经XRD分析证实,YIG的成相温度在650℃附近。可以认为,用共沉淀法制备的Ce∶YIG粉体化学活性好,烧结温度低。

    2002年05期 3-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 81k]
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  • 凝胶维度对纳米碳化硅晶须形成过程的影响

    张洪涛,徐重阳,邹雪城

    讨论了纳米碳化硅晶须的制备过程中出现的直径分布不均匀性问题。在制备纳米碳化硅晶须的实验中发现,凝胶呈现体积跃变的现象,并且发生形貌的改变,这又直接影响纳米晶体的形状,其中的原因归之于凝胶体系的局域氢键作用,称之为维度变化。结果发现,凝胶随温度跃变首先膨胀,然后又萎缩。其逆过程同样存在这一现象并呈现体积跃变迟滞。

    2002年05期 6-7页 [查看摘要][在线阅读][下载 72k]
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  • 掺杂对平面六角Z型铁氧体晶相组成及磁性能的影响

    王依琳,吴文骏,毛文东,赵梅瑜

    着重探讨不同种类及含量的烧结助剂在烧结过程中对Ba1.5Sr1.5Co2Fe24O41相结构的影响,当Bi2O3的添加量(质量分数)为0.5%时,它具有促进烧结和提高磁导率的作用,且主晶相为Z相。随着添加量的增加,Z相逐渐减少,M和Y相成为主晶相。若添加LiF,则使Z相更难于形成。而磁导率的变化则取决于主晶相结构。

    2002年05期 8-10页 [查看摘要][在线阅读][下载 135k]
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  • 俄科学家发现高温下仍具磁性的非金属材料

    2002年05期 10页 [查看摘要][在线阅读][下载 41k]
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  • 铋层状结构压电陶瓷及敏感元件高温特性研究

    李承恩,李毅,周家光

    介绍了铋层状结构压电陶瓷的特点和改性试验所获得的一些结果。针对压电活性低,采取A位复合置换方式对CBT(CaBi4Ti4O15)基材料进行改性研究,特别研究了改性后材料的高温特性,结果表明,改性材料的压电性能、居里温度、高温电阻率等参数有大的改善,qC达800℃以上,d33达18 pC/N以上,在500℃时体电阻率大于106Ω·cm,高温敏感元件在430℃连续保温170 h,绝缘电阻大于1.5 MΩ。

    2002年05期 11-13页 [查看摘要][在线阅读][下载 114k]
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  • 轧膜成型对BaTiO_3片式PTCR性能的影响

    桑培歌,龚树萍,周东祥,焦淑华

    为制备片式BaTiO3陶瓷PTCR元件,采用轧膜成型的方法。通过研究材料性能与成型因素的关系,并通过与干压成型工艺对比,研究了轧膜成型工艺对陶瓷PTCR性能的影响。 通过调整影响轧膜成型的条件,可以制得具有良好可塑性、均匀度、致密度、光洁度的薄膜。

    2002年05期 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 87k]
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  • 2002年MLCC出货知多少?

    2002年05期 16页 [查看摘要][在线阅读][下载 43k]
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  • 平面螺旋线圈回扫变压器

    梁国恩

    介绍一种由多层平面螺旋线圈和印刷线路连接板构成绕组的新颖回扫变压器。平面线圈绕组由薄膜螺旋线圈和双面印刷线路连接板以及KAPTON绝缘片层叠加而成。简介样品装配工艺,并提出进一步优化结构的措施。

    2002年05期 17-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 65k]
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  • 片式电阻器封端工艺及封端机的结构原理

    林伟强

    封端机是用于片式电阻器封端工艺的专用设备。精密控制涂封深度是工艺关键。以新宝华公司新型封端机为例,介绍设备的结构和工作原理。

    2002年05期 18-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 54k]
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  • III型聚合物超电容器国外研究进展

    张庆武,周啸,汤孝平,曹玉明

    评述了国外在III型聚合物超电容器方面的研究进展。目前,国外一些主要研究单位已经进展到研制模型电容器的阶段。III型聚合物超电容器所用的导电高分子主要包括聚噻吩衍生物类,如:聚-3-(4-氟苯基)噻吩、聚二噻吩[3,4-b;3,4-d]噻吩,聚苯胺类等。在用这些聚合物所组装的超电容器中,能量密度最大可达68 Wh/kg,功率密度最大可达30.5?03 W/kg。

    2002年05期 21-26+30页 [查看摘要][在线阅读][下载 164k]
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  • 阳极氧化铝模板法制备纳米电子材料

    王刚,阎康平,周川,严季新

    阳极氧化铝模板具有容易制备、成本低、孔道分布均匀等特点,是制备形状高度均匀、有序纳米电子材料的理想无机模板。该模板法制得的金属、半导体和非金属纳米材料具有不同于母材的光、电、磁等特殊性能,在新型电子材料的开发方面具有广阔的应用前景。文中介绍了该模板的阳极氧化工艺、成膜机理以及不同的电解液、氧化电流、电压等因素对模板的纳米孔道生长的影响。分析了纳米材料的直流电沉积和交流电沉积的电化学机理和沉积速率的影响因素。

    2002年05期 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 79k]
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  • 表面贴装技术的新发展

    鲜飞

    自20世纪80年代以来,表面贴装技术已在电子工业中得到了广泛的应用和发展。本文从SMT设备、表面安装电路基板、表面安装元件、辅助材料、生产线管理等五个方面对其未来的发展趋势作了初步分析。

    2002年05期 31-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 72k]
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  • 应该重视SMT行业的维修工作

    张如明

    我国SMT行业的发展已有十五年历史,迄今已具一定规模。国内的片式元器件市场年需求达300亿只,已在各种贴装组件中得到广泛应用。其次,SMT行业的多种设计思想及相关检测技术、质量控制技术已普遍成熟。而且,国内使用的片式元器件种类繁多,SMT所需的材料齐备。这些都为建立SMT维修站提供了良好条件。

    2002年05期 35-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 38k]
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  • 编委介绍

    2002年05期 37页 [查看摘要][在线阅读][下载 1736k]
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  • 产品导购

    2002年05期 38页 [查看摘要][在线阅读][下载 1801k]
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  • 美国《化学文摘》收录本刊文章( 第19卷第1-5期及第20卷第1-3期)

    2002年05期 39-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 3062k]
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