刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
本刊被以下数据库收录:
中文核心期刊
中国科技核心期刊
CA化学文摘(美)
SA科学文摘(英)
JST日本科学技术振兴机构数据库(日)
EBSCO学术数据库(美)

CSCD中国科学引文数据库来源期刊
核心期刊:
中文核心期刊(2020)
中文核心期刊(2017)
中文核心期刊(2011)
中文核心期刊(2008)
中文核心期刊(2004)
中文核心期刊(2000)
中文核心期刊(1996)
中文核心期刊(1992)


  • 钙钛矿型铁电性微晶玻璃介电性能的研究

    刘建安,赵亮,张梅梅

    主要对BaTiO3、BaTiO3-PbTiO3系铁电性微晶玻璃的介电性能进行了研究。研制的微晶玻璃是由70%形成铁电主晶相BaTiO3的氧化物(BaO-TiO2 和PbO-BaO-TiO2)和30%形成玻璃相的氧化物(SiO2-Al2O3-CaO)组成。两种试料经热处理制成BaO-TiO2,PbO-BaO-TiO2系微晶玻璃,对其介电常数和损耗进行了比较,其介电性能与BaTiO3的晶体结构有关。

    2002年04期 1-2+5页 [查看摘要][在线阅读][下载 125k]
    [下载次数:251 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:8 ] |[阅读次数:98 ]
  • 退火温度对PZT薄膜电容器性能的影响

    蒋力立,唐新桂,丁爱丽

    通过简单的溶胶–凝胶法和快速热处理工艺,获得了在Pt/Ti/SiO2/Si基片上生长良好的PZT薄膜。制膜工艺简单,不需要回流和高温去结晶水,即可获得(111)择优取向的PZT薄膜。PZT薄膜经快速热处理在550~650℃退火,薄膜致密和平滑,均具有良好的铁电和介电特性,其最佳退火温度为600℃。

    2002年04期 3-5页 [查看摘要][在线阅读][下载 110k]
    [下载次数:201 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:95 ]
  • 基于MATLAB的SiC肖特基二极管气体传感器模拟

    钟德刚,徐静平,张旭,喻骞宇,刘志波,于军

    提出了SiC-SBD气体传感器器件分析模型,利用当前流行的MATLAB强大的计算编程功能,模拟了SiC-SBD气体传感器的电流-电压特性,结果与实验数据吻合很好,较好地解释了Pd-SiC肖特基二极管比较灵敏的原因,并根据模拟结果提出了提高传感器灵敏度的方法。

    2002年04期 6-8页 [查看摘要][在线阅读][下载 123k]
    [下载次数:216 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:5 ] |[阅读次数:119 ]
  • 常用触点材料表面腐蚀物微动电特性研究

    周怡琳,章继高

    针对常用连接器触点材料(镀金、镀镍、镀锡),研究工业环境对其表面的腐蚀性及对触点微动电特性的影响。经过长期室内自然暴露后,镀金、镀镍、镀锡表面生成了离散的呈岛状分布的腐蚀产物。在腐蚀产物上进行了微动实验,发现在自然腐蚀产物的表面初始电阻高于通常的失效标准(10 mW),有的甚至达到1 W。当岛状腐蚀产物在微动过程中被逐渐磨掉后,接触电阻也由跳动渐渐降低至有效值。而当磨损碎屑堆积在微动痕迹附近,或接触表面之间嵌入尘土颗粒,或者在接触区内的腐蚀产物经微动后反而被挤压得更致密时,接触电阻会升高,甚至开路,造成电接触失效。腐蚀产物在微动中的去除与腐蚀物形貌及其机械特性直接相关。

    2002年04期 9-11+17页 [查看摘要][在线阅读][下载 606k]
    [下载次数:265 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:11 ] |[阅读次数:90 ]
  • ZnO压敏电阻的化学蜕变

    李标荣,陈万平,陈王丽华

    ZnO压敏电阻在0.05 mol/L NaOH的电解液中作直流电解处理后,出现化学蜕变,漏电流增加、非线性特性减弱,经热处理后其压敏特性又可恢复。它与通常的电学蜕变不同,经论证认为,这种蜕变是属于氢原子在瓷体晶粒边界附近中的还原作用所致。文中还讨论了其可能的蜕变机理。

    2002年04期 12-14页 [查看摘要][在线阅读][下载 73k]
    [下载次数:78 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:99 ]
  • PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

    朱为民,李承恩,周家光,李毅

    研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。

    2002年04期 15-17页 [查看摘要][在线阅读][下载 103k]
    [下载次数:165 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:84 ]
  • 表面封装用无铅软钎料的接头强度及熔点范围的研究

    刘晓波,王国勇

    研究了Bi的添加量,对电子表面封装(SMT)用Sn-Ag近共晶无铅软钎料钎焊接头抗拉强度和熔点及熔点范围的影响。随着Bi含量的增加,钎焊接头抗拉强度也随着增加,同时钎料的液固相线温度均降低。当Bi的含量达到5%时,抗拉强度增加快;Bi的添加量大于5%时,抗拉强度上升缓慢。在Bi的含量增加时,熔点温度范围也逐渐变宽,使得凝固时间变长,这对于表面组装中的电子元件与器件的焊接是非常不利的。故在Sn-Ag近共晶无铅软钎料中Bi的添加量,应加以适当的控制。

    2002年04期 18-19页 [查看摘要][在线阅读][下载 49k]
    [下载次数:155 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:19 ] |[阅读次数:98 ]
  • 高频低阻抗铝电解电容器生产工艺的探讨

    王玉华

    开关稳压电源中输出滤波器用的高频电解电容器要求高频低阻抗。探讨了高频低阻抗铝电解电容器的生产工艺。刺铆卷绕:箔片、铆接点、极间距离的考虑。浸渍工艺:浸渍时间、温度等条件的确定。老练工艺:老练温度、时间、电压的斟酌。材料:电解液、铝箔、电解液、密封橡胶塞的选择。用确定的工艺制得了合格的产品。

    2002年04期 20-22页 [查看摘要][在线阅读][下载 52k]
    [下载次数:171 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:63 ]
  • 3-D MCM 的种类

    胡永达,杨邦朝

    介绍了3-D MCM封装的种类,其中包括芯片垂直互连和2-D MCM的垂直互连。芯片的垂直互连,包括芯片之间通过周边进行互连,以及芯片之间通过贯穿芯片进行垂直互连(面互连);2-D MCM模块垂直互连,包括2-D MCM之间通过周边进行互连,以及面互连的模式。

    2002年04期 23-27+30页 [查看摘要][在线阅读][下载 278k]
    [下载次数:113 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:7 ] |[阅读次数:70 ]
  • 微电子机械系统技术及其应用

    张海涛,张斌

    微电子机械系统技术的特点是可使制品微型化、集成化并以硅作为加工材料。该技术可分为体微机械加工、表面微机械加工、金属微机械加工和复合微机械加工四类。所采用的基础技术主要有:腐蚀技术、硅键合技术、多层无应力薄膜沉积技术、牺牲层技术、LIGA技术以及以上技术的复合,该项技术应用广泛。本文重点介绍在微传感器、微电机、机械滤波器和谐振滤波器等方面的应用,并探讨了发展方向。

    2002年04期 28-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 50k]
    [下载次数:463 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:25 ] |[阅读次数:96 ]
  • 超导计算机及超导武器装备

    王静端

    超导技术的发展前景广阔,在国外军事领域受到极大重视。超导计算机具有很高的运算速度和巨大的运算能力,是21世纪超级计算机的发展方向。超导技术将使武器装备发生重大变革。军事C3I系统由于有了超导计算机,能快速、有效地把各种武器系统、各军兵种和各战场连结成一个有机整体。概略介绍超导磁性水雷、超导发动机和超导飞机、超导装甲车和超导导弹、超导电磁推进系统和超导舰艇、超导太空发射器等武器装备的发展前景。

    2002年04期 31-33页 [查看摘要][在线阅读][下载 46k]
    [下载次数:427 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:13 ] |[阅读次数:101 ]
  • WTO与中国的磁性材料产业

    翁兴园

    针对中国加入WTO之后国内的磁性材料生产企业面临的复杂形势,如何融入全球经济与国际市场接轨的问题,从国内磁性材料产业现状——产业基础、市场、发达国家向发展中国家的产品转移等入手进行分析,从企业管理、科研力量和资金投入等角度论述了面临的挑战,提出了相应的措施。

    2002年04期 34-36页 [查看摘要][在线阅读][下载 47k]
    [下载次数:77 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:7 ] |[阅读次数:95 ]
  • 正确使用薄膜电容器

    2002年04期 37-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 138k]
    [下载次数:143 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:53 ]
  • 安全使用铝电解电容器

    2002年04期 39页 [查看摘要][在线阅读][下载 36k]
    [下载次数:48 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:56 ]
  • 如何估算铝电解电容器的预期寿命

    2002年04期 39页 [查看摘要][在线阅读][下载 36k]
    [下载次数:101 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:72 ]
  • 张药西教授级高级工程师

    2002年04期 40页 [查看摘要][在线阅读][下载 54k]
    [下载次数:18 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:23 ]
  • 张树人教授

    2002年04期 40页 [查看摘要][在线阅读][下载 54k]
    [下载次数:31 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:22 ]
  • 中国电子学会元件分会2002年度学术活动计划表

    赵光云

    2002年04期 41页 [查看摘要][在线阅读][下载 383k]
    [下载次数:17 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:57 ]
  • 电子元件行业协会及各分会2002年活动计划

    2002年04期 42页 [查看摘要][在线阅读][下载 26k]
    [下载次数:20 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:53 ]
  • 产品导购

    2002年04期 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 148k]
    [下载次数:13 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:31 ]
  • 下载本期数据