刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 橡胶塞的老化和电容器寿命

    朱绪飞,贾红兵,文威,刘霖

    铝电解电容器橡胶塞的质量是影响寿命的关键因素。根据电容器的工作特点,研究了对橡胶塞用橡胶的要求,指出橡胶塞的老化机理是热氧老化。对比了各种橡胶的结构和性能特点,对国内现有EPDM和IIR的105℃系列的橡胶塞进行了试验研究,指出开发长寿命橡胶塞应该注意的问题。

    2002年02期 1-4+12页 [查看摘要][在线阅读][下载 86k]
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  • 二元光学法在微透镜制作中的应用

    孔令彬,易新建,陈四海

    对二元光学的产生和发展作了介绍,并阐述了二元光学元件之一的微透镜(microlenses)的设计、制作和测试方法以及它们的主要应用。微透镜的设计是基于已成熟的标量衍射理论;而其制作过程包括:计算机设计波面相位、产生掩模版、光刻或离子(束)蚀刻以及复制产生微透镜,其关键技术蚀刻方法有等离子蚀刻技术和反应离子蚀刻RIE(Reactive Ion Etching)技术;微透镜的测试主要包括衍射效率(diffractive efficiency)和点扩散函数(PSF)的测试,有直接法和间接法两种测试方法。微透镜可以微型化与阵列化,并且可以同微电子器件一起集成化,具有广泛的应用前景。

    2002年02期 5-7+12页 [查看摘要][在线阅读][下载 4345k]
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  • 电子封装用SiCp/ZL101复合材料的制备工艺及热膨胀性能

    张建云,华小珍,周贤良,孙良新

    提出了制备电子封装用SiCp/ZL101复合材料渗透法新工艺。该工艺在空气气氛下,于850~950℃温度范围内,不用外加压力,通过助渗剂作用,使铝合金液自动地渗入SiC颗粒间孔隙中,从而形成电子封装用复合材料。并对其热膨胀性能进行了测试。

    2002年02期 8-9页 [查看摘要][在线阅读][下载 1157k]
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  • 陶瓷电容器用环氧–酚醛树脂包封料的研究

    黄新友,陈志刚

    采用单因素变量法研究了组成对陶瓷电容器用环氧-酚醛树脂包封料性能的影响,得到了综合性能好的包封料,这种包封料干燥时间为8 h(低于20℃条件下),耐溶剂性时间为70 h(丙酮中36~38℃)。同时得到了各组分对包封料性能影响的规律,结果表明:加入六次甲基四胺的包封料干燥时间和耐溶剂性时间短,酚醛树脂多的包封料干燥时间和耐溶剂性时间都较长,无机填料CaCO3颗粒粗些能提高耐溶剂性,环氧树脂加入量w为1.4%时包封料的耐溶剂性最好。该研究为研制陶瓷电容器环氧-酚醛树脂包封料提供了依据。

    2002年02期 10-12页 [查看摘要][在线阅读][下载 59k]
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  • 1055MHz独块状介质滤波器的研究

    吴坚强

    讨论体积小、损耗低、稳定性高的独块状介质滤波器的研究过程。该滤波器采用切比雪夫响应的方法设计,利用相对介电常数为78的高Q值陶瓷制作。从而使滤波器获得了中心频率为1 055 MHz、插入衰耗小于3.2 dB的性能。结果表明,该滤波器满足了900~1 300 MHz频率范围军事通讯要求。

    2002年02期 13-15页 [查看摘要][在线阅读][下载 1802k]
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  • 电解纸行业新动态

    陆锁链

    2002年02期 15页 [查看摘要][在线阅读][下载 48k]
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  • 低温烧结低介硅灰石瓷料的研制

    蔡伟,江涛,谭小球,魏群,李燕

    通过对实验试样的差热分析及XRD分析,得知烧结过程中液相的存在可促使氧化钙与氧化硅形成硅灰石相。硅灰石瓷配方中SiO2过量(w≤10%)及粘土的w≤10%时能有效地降低烧成温度(1 170 ~1 230℃)。研制瓷料介电性能:er = 7.0~9.0,tgd =(1.0~5.0)104,rv≥(2.0~5.0)1013Ω·cm,aε为(0±30)106℃1。

    2002年02期 16-18页 [查看摘要][在线阅读][下载 5530k]
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  • 电解电容器安全排气口上方应留多大的间隙

    2002年02期 18页 [查看摘要][在线阅读][下载 763k]
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  • 双电层电容器高比表面积活性炭的研究

    刘洪波,常俊玲,张红波

    以石油焦为原料,KOH和NaOH为活化剂制取双电层电容器用高比表面积活性炭电极材料。考察了活化剂的种类及其与石油焦配比对活性炭比电容的影响,并对KOH和NaOH的混和物在活化过程中金属K和Na的协同作用进行了初步探讨。研究结果表明控制适宜的活化工艺条件可制得比电容高达52.60 F/g的高比表面积活性炭,用它组装成的双电层电容器具有良好的充放电性能。

    2002年02期 19-21+24页 [查看摘要][在线阅读][下载 252k]
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  • 片式多层三端陶瓷EMI滤波器的研究

    周少荣,肖培义,陈锦清,田长生

    利用电容器的阻抗特性,在传统的片式多层陶瓷电容器内部结构基础上进行重新设计,制成了滤波性能更优异的片式多层陶瓷三端EMI滤波器;这种EMI滤波器具有低的等效串联电阻和低的直流电阻。研究表明,等效串联电阻随着有效介质层厚度的降低而降低,直流电阻随着有效介质层数的增加而降低。

    2002年02期 22-24页 [查看摘要][在线阅读][下载 103k]
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  • 铝电解电容器预期寿命的研究

    林泓,林学清

    铝电解电容器是“有限寿命”的元件,其预期寿命常用Arrhenius模型和Eyring模型来估算。笔者应用电子计算机对寿命实验数据进行数理统计和曲线拟合来快速估算产品寿命,与实际试验结果有较好的吻合。提出改善和提高产品寿命,采取增大产品体积、降低施加电压和降低使用环境温度等措施是有益的。

    2002年02期 25-27页 [查看摘要][在线阅读][下载 66k]
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  • 注F~+加固CMOS/SOI材料的抗辐射研究

    武光明,朱江,高剑侠

    向SIMOX材料的SiO2埋层或Si/SiO2界面注入170 keV F+,进而制成CMOS/SOI材料,采用60Co g 辐射器辐照并测量材料的I-V特性。结果表明:向CMOS/SOI材料埋层注入F+离子,能提高CMOS/SOI材料的抗电离辐照性能。而且,注入F+的剂量为11015cm2时,材料的抗辐照能力较强。这对制作应用于电离辐射环境的COMS/SOI器件极其有益。

    2002年02期 28-29页 [查看摘要][在线阅读][下载 638k]
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  • 低温烧结微波介质陶瓷

    赵梅瑜,王依琳

    在制备多层微波元件过程中,为使用Cu、Ni等低熔点导体,必须降低微波介质陶瓷的烧结温度。本文介绍了通过液相烧结降低致密化温度的BaTi4O9、Ba2Ti9O20及(Zr,Sn)TiO4陶瓷,这类材料的烧结温度已降至1 000℃以下;也介绍了掺加(V2O3+CuO)的BiNbO4基陶瓷,其致密化温度已低至880℃左右。文中还列出了陶瓷组成、低熔点氧化物或玻璃的组成及相关材料的微波介电性能。

    2002年02期 30-33+39页 [查看摘要][在线阅读][下载 79k]
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  • 国外微电子组装用导电胶的研究进展

    陈党辉,顾瑛,陈曦

    介绍导电胶的组成、分类、较之于传统共晶锡铅焊料的优点以及导电胶的研究现状。重点阐述国外在导电胶导电机理研究、可靠性研究及新型高性能导电胶研制方面的现状和进展。

    2002年02期 34-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 1590k]
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  • 编委介绍

    2002年02期 40页 [查看摘要][在线阅读][下载 34k]
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  • 美国《化学文摘》收录本刊文章

    2002年02期 42-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 44k]
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