电子元件与材料

刊　名：
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主　办：
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊　期：月刊
出版地：成都市
语　种：中文
开　本：大16开
刊　号：
ISSN 1001－2028
CN 51－1241/TN
邮发代号：62—36
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2002年01期目次

导电胶的研究进展
倪晓军,梁彤翔
导电胶作为无铅连接材料的一种,近年来在电子封装中得到越来越多的重视。导电机理、组成及老化性能的研究成为导电胶实用化的关键因素。各向异性导电胶是连接用Pb/Sn合金的理想替代材料。
2002年01期 5-7+11页 [查看摘要][在线阅读][下载 262k]
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掺钙钨铁酸铅材料的合成及其介电性能
吴健,卞建江,王鸿
研究了在钨铁酸铅(PFW)中添加Ca2+的合成过程及相应的介电性能。合成方法采用B位先驱体合成法。结果表明最后的产物中存在杂相,并很难消除。材料的介电性能受杂相的影响很大。随着杂相含量的增加,er、tgd 降低及对频率的依赖性变小。在x(Ca2+)为10%时,不同频率的er-q 曲线基本相同。
2002年01期 8-11页 [查看摘要][在线阅读][下载 751k]
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有机电致发光器件及其应用前景
王静端
简要介绍有机电致发光器件的结构、发光原理、主要特点及发展状况。对有机发光器件,一旦在发光亮度、效率以及使用寿命等问题得以解决之后,在民用及军事领域将会得到广泛应用。
2002年01期 12-13+16页 [查看摘要][在线阅读][下载 232k]
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共沉淀法SnO_2-WO_3粉体的气敏性能研究R&D
牛新书,刘艳丽,胡平,徐甲强
采用化学共沉淀法制得不同掺杂量的SnO2-WO3粉体,探讨了掺杂量、热处理温度、元件工作温度与WO3气敏性能的关系。研究发现:SnO2的添加抑制了WO3晶粒的生长,提高了其气体灵敏度。其中以0.5%(质量分数)的掺杂量为最佳,可进行H2S气体的选择性检测。
2002年01期 14-16页 [查看摘要][在线阅读][下载 881k]
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宽温、高压工作电解液的研制
罗志刚,明少良
介绍了混合溶剂体系,高压(350~400 V)、宽温(40 ~ +105℃)工作电解液的研制。发现以癸二酸铵作主溶质,添加适当副溶质GPA及优质添加剂的电解液具有耐腐蚀、高闪火电压、高氧化效率及高稳定等特点。用此电解液制作CD293X(400 V 220 mF)规格的电容器通过了105℃、1 000 h负荷寿命试验和105 ℃、500 h的高温贮存试验。
2002年01期 17-18+20页 [查看摘要][在线阅读][下载 254k]
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低压宽温高频铝电解电容器工作电解液
卢云,徐蓓娜,徐燕青,杨邦朝
在传统的己二酸铵/乙二醇加水体系中,通过增加水的含量实现高电导率,同时在电解液中添加多种有机高分子物质形成复合添加剂,改善工作电解液的高温稳定性,使电容器上限工作温度扩展到105℃,形成高频宽温低阻抗工作电解液。
2002年01期 19-20页 [查看摘要][在线阅读][下载 49k]
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用CPLD控制ISD2590语音芯片的技术应用
张常年,郝承祥
介绍如何利用可编程逻辑器件(CPLD)来控制ISD2590语音芯片,及其在公用电话网家电控制系统中的应用。
2002年01期 21-23页 [查看摘要][在线阅读][下载 280k]
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二价阳离子取代的Ba_(2-x)R_xNdNb_5O_(16)瓷料结构与性能的研究
邹琼,江涛
以Ba2NdNb5O16为基,通过二价阳离子的取代,探讨取代物对Ba2-xRxNdNb5O16瓷料介电性能与结构的影响。实验结果表明,Sr2+、Ca2+、Mg2+取代使瓷料的相对介电常数er随取代量显著增大,温度系数ae也发生明显变化,变化幅度与取代物离子半径密切相关。XRD、SEM微观结构分析可以推断,实验瓷料为四方晶系钨青铜结构,因取代物离子半径差异而占据五边形A2和四边形A1间隙的几率不同,引起介电性能明显变化。
2002年01期 24-26页 [查看摘要][在线阅读][下载 4756k]
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NPC电池染料敏化剂的研究进展
苏树兵,宋世庚,郑应智,陶明德
简要介绍了染料敏化纳米晶体光电化学太阳能电池(简称NPC电池)的发展、结构、工作原理和表征方法,并着重对纳米晶体光电化学太阳能电池染料敏化剂的研究进展进行了综述。在此基础上,提出了一些值得深入研究的问题。
2002年01期 27-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 10445k]
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表面响应法在低阻PTCR研究中的应用
杨丹,陈亿裕,邢建
采用表面响应法,建立了多位置换掺杂钛酸钡系低阻PTCR材料室温电阻率对配方的适应模型,通过对模型的分析验证了施主掺杂的实验规律,求解出本次实验的最佳低阻配方。
2002年01期 31-33+38页 [查看摘要][在线阅读][下载 191k]
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再论半导体陶瓷电容器
李标荣,庄严
基于自由能越低越稳定原理和芯-壳结构模型,论述了晶粒边界型陶瓷电容器(GBBLC)的形成。根据晶格结构紧密程度和结合能的大小,讨论了SrTiO3陶瓷半导化的途径。通过再氧化、施主离子的表面偏析、正缺位补偿和受主离子的表层结合等作用,而形成了介质壳层。文中还讨论了有关工艺进展及低温一次烧成GBBLC的可能性。
2002年01期 34-38页 [查看摘要][在线阅读][下载 70k]
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编委介绍
2002年01期 39页 [查看摘要][在线阅读][下载 824k]
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新品介绍
2002年01期 40-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 164k]
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综合信息
2002年01期 44-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 82k]
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部委信息
2002年01期 46-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 31k]
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学会信息
2002年01期 47页 [查看摘要][在线阅读][下载 24k]
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