三价阳离子固溶的(Sr,Ca)TiO_3基瓷的缺位结构与介电性能

探讨三价阳离子（Mx3+=Sb，Y，Nd，La，x=0.02～0.06）固溶于（Sr,Ca）TiO3瓷晶相中，产生缺位补偿的A缺位（VA）点缺陷结构及其介电性能关系。A缺位浓度[VA]取决于M3+的A位或B位取代情况，M3+只取代A位[（Sr,Ca）1-xMx（VA）x/2]TiO3,或M3+只取代B位[（Sr,Ca）1-x/2（VA）x/2]（Ti1-xMx）O3,产生A缺位浓度[VA]较大，对其瓷料介电性能影响较明显；M3+同时取代A和B位[（Sr,Ca）]1-x1Mx1]（Ti1-x2Mx2）O3，由于电价补偿，产生A缺位浓度[VA]较小，因而对其瓷料介电性能影响较小。

TiO_2基功能复合材料的研究

从材料设计的角度出发，比较了一般压敏陶瓷、电容器陶瓷与电容-压敏功能复合材料的异同。通过Nb_2O_5的施主掺杂控制材料的晶粒电阻率，研究了其他掺杂物如MnO_2、Bi_2O_3、Pb_3O_4、BaCO_3及烧成制度对材料性能的影响，制得了性能优良的功能复合材料。

触点镀金材料的自然腐蚀和电接触特性研究

由于国内环境污染严重，镀金表面经过长期室内自然暴露后生成了大量呈岛状离散分布的腐蚀物。腐蚀物由处于中心的腐蚀核及环绕的腐蚀晕圈组成，腐蚀核下是微孔。在镀金表面的腐蚀物上进行微动试验，发现较薄的腐蚀晕圈同样会造成高且波动的接触电阻，随微动周期增加，腐蚀物被推开后电阻降低。加大接触正压力，初始接触电阻降低，波动减弱，较少微动周期后电阻降为正常值。由于腐蚀晕圈远大于腐蚀核在表面覆盖的面积，因此腐蚀晕圈上的高电阻及其不稳定性造成电接触失效概率大大提高。

超细金粉在电子浆料中的应用

讨论了#1和#2两种超细金粉在电子浆料中的应用。#1超细金粉用于印刷型金导体浆料中，线分辨率高，性能稳定。#2超细金粉应用于焊接型金导体浆料，满足欧姆接触和附着力的要求。

钛酸钡陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响

利用电容-电压关系研究了施主Nb掺杂BaTiO_3陶瓷离子缺位对晶界势垒的影响,得出了样品在不同冷却速率下的晶界势垒高度和载流子浓度,其值与施主掺杂含量和样品的冷却速率相关,此结果可由在高、低施主掺杂含量下,晶粒边界处和晶粒体离子缺位的区别来解释。

电池型电容器─超大容量离子电容器

超大容量离子电容器又称电池型电容器，是一种介于静电电容器与二次电池之间的一种新型储能器件。它具有比静电电容器大得多的能量密度，又有比二次电池大得多的功率密度。适宜于短时大电流放电的情况下工作，可作为电动车辆的启动、制动电源，是解决电动车辆发展的瓶颈。笔者综述了超大容量离子电容器的储能原理、应用以及国内外的研究现状。

高分子PTC材料的进展与发展趋势

介绍高分子PTC材料的历史、结构组成、理论和工艺研究进展，以及国内外的应用和产业化发展情况，并就高分子PTC材料的理论研究和产业化发展提出见解。

集成电路组装后的清洗与免清洗技术

从超声波清洗用清洗溶剂，特别是替代消耗臭氧层物质的氯化氟代碳（CFC）清洗溶剂等方面介绍了集成电路的清洗技术；还介绍了集成电路的免清洗工艺技术, 使用免清洗工艺技术对各道关键工序的控制及采用免清洗技术的主要优势。

The Simulated Study on Si-Photoelectronic Negative Resistance Devices and Si-Ge Hetero-junction Hybrid Transistors

表面安装技术

海潮时涨时落，电子元器件市场变化万千，海外同行在做什么，不可不知。《观海潮》专栏旨在报道海外主流产品及新产品的设计原理、生产技术、用途、性能结构、特点、发展趋势等，供整机和元件厂家以及指导行业的决策机构参考。Ray Prasad Consultancy Group是一家美国表面安装技术（SMT）咨询公司，Ray Prasad先生本人是SMT资深专家。听他谈SMT多少会得到一点启发。

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