刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 电子元件参数漂移的MΦItoft统计模型Mω

    胡恩平,罗兴柏,彭永怀

    参数漂移模型描述了元件参数从额定值发生偏移的行为。随着可靠性朝无故障寿命或无需维修工作周期的方向发展 ,对产品的参数漂移进行研究越来越显重要。利用 MΦ Itoft统计模型描述了电子元件的参数漂移行为 ,通过元件的早期寿命测试来预测元件寿命 ,并给出了应用实例

    2001年01期 1-2+4-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 137k]
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  • 提高金属化薄膜电容器动态性能的有效途径

    邵康培,姚猛,陈翠华

    通过对金属化薄膜电容器电性能特别是损耗的机理分析 ,总结生产工艺对其性能的影响 ,提出改变热压聚合工艺参数和热压聚合方法 ,采用高压短路放电 ,高频下测 tgδ变化值 ,改善金属化薄膜电容器的动态性能

    2001年01期 3-4+41页 [查看摘要][在线阅读][下载 118k]
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  • ZrO_2膜的相结构与显微组织

    娄彦良,肖文凯

    用 X射线衍射和扫描电镜研究了 Zr O2 膜的晶体结构和显微组织。结果表明 Zr O2 膜的相结构为立方氧化锆 (c- Zr O2 ) ,晶粒尺寸细微。发现 Zr O2 膜中存在具有 (111)面织构的柱状晶结构 ,这种结构可在基片上加负偏压消除

    2001年01期 5-6+9-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 149k]
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  • 低温烧结改性PbTiO_3压电陶瓷

    彭炜,周桃生,郑克玉,邝安祥

    在比较分析与实验的基础上 ,采用添加少量低熔物获得了一种新的低温烧结改性 Pb Ti O3压电陶瓷组成 ,并对低温烧结机理进行了初步探讨。结果表明 ,改性 PT陶瓷烧结温度可降低 2 0 0~ 30 0℃。 96 0℃烧成时的主要性能参数为 kt=0 .49,kp=0 .0 2 7,d33=6 5× 10 - 1 2 C·N- 1 ,Qm=5 14,ρv=7.4× 10 3kg· m- 3,t C=312℃ ,εT33/ ε0 =177,tgδ=0 .6 3%。该材料不仅可抑制铅挥发对环境的污染 ,还可在叠层压电陶瓷器件方面获得重要应用

    2001年01期 7-9+41页 [查看摘要][在线阅读][下载 160k]
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  • 硅衬底Sr_(1-x)La_xTiO_3薄膜光敏特性研究

    刘玉荣,李观启,黄美浅,曾绍鸿

    利用氩离子束镀膜技术在 Si O2 / Si衬底上淀积钛酸镧锶 (Sr1 - x L ax Ti O3)膜 ,并制成平面型电阻器。研究了薄膜电阻器的光电流与照度、电压和电极间距的关系以及薄膜在调制光下的频率特性 ,计算出薄膜中载流子寿命约为 2 9ms。结果表明 ,Sr1 - x L ax Ti O3薄膜在可见光区域具有较好的光敏特性 ,其灵敏度和光电导增益都比较高。在弱照度下 ,光电流随照度变化较快 ,主要与单分子复合过程相关 ;而在强照度下 ,变化趋于缓慢 ,这与双分子复合过程有关

    2001年01期 10-11+13-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 141k]
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  • 合金阴极箔化学腐蚀氯离子清洗工艺的研究

    李文胜,陈圣修,张春莲

    介绍了合金阴极箔经化学腐蚀后清洗铝箔表面残留氯离子的几种方法 ,比较了各种方法的优缺点 ,提出了清洗不同比容阴极箔的适用方法

    2001年01期 12-13+41页 [查看摘要][在线阅读][下载 112k]
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  • 直流微电机用环形低压压敏电阻器的性能比较

    傅刚,陈环,陈志雄,张进修

    测量了目前直流微电机消噪用 Zn O和 Sr Ti O3两类环形压敏电阻器的特性参数 ,分析了它们的介电 -频率和介电 -温度特性 ,并与所研制的用籽晶法制备的 Zn O压敏电阻的性能相比较。比较测量结果说明 ,采用籽晶法制备的 Zn O压敏电阻器 ,具有易于低压化且压敏特性良好的优点。尽管 Zn O的电容量不及 Sr Ti O3,但由于Zn O压敏电阻的制备属常规工艺且成本低廉 ,在要求价格低的直流微电机应用领域 ,只要提高 Zn O环形压敏电阻器的压敏特性 ,它仍具有较高的实用价值

    2001年01期 14-15+19-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 141k]
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  • 一种用于扩散连接的金浆料

    李世鸿,杜红云,李向群,韦群燕,魏丽红,马锦云,郎彩

    研制了一种用于扩散连接的金浆料。这种浆料主要由金粉和有机载体组成。浆料的烧成特性和粘度对扩散连接强度影响较大。金粉的分散性、表面形态和颗粒尺寸会影响浆料的烧成特性和粘度。载体会影响浆料的粘度。金浆料中掺入片状金颗粒能改善扩散连接强度

    2001年01期 16-17+19-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 142k]
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  • 稳压直流电源用铝电解电容器主要失效模式及解决措施

    王玉华

    小型稳压直流电源用铝电解电容器上机后有两种规格的电容器失效率高 ,且主要失效模式为开路。开路的根本原因是电容器高度超过允许安装高度。提出了从使用方法和生产工艺方面的解决措施

    2001年01期 18-19+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 107k]
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  • 介质厚度对MLCC的TC、TVC特性影响

    崔靖杰,李小图,王洪儒,吴霞宛,王希忠

    研究了细晶钛酸钡介质层厚度对 ML CC的 TC、TVC特性的影响。结果表明介质层厚度≥ 2 7μm时 ,ML CC的 TC、TVC特性符合 2 X1(BX)特性要求。在施加直流偏压时 ,- 2 5 %≤ ΔC/ C≤ +15 %。ML CC的绝缘电阻为 10 1 1 Ω,损耗小于 15 0× 10

    2001年01期 20-22+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 151k]
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  • 低压ZnO压敏陶瓷晶界特性的研究

    章天金,周东祥,姜胜林

    借助 HP4192 A低频阻抗分析仪 ,分析了低压 Zn O压敏陶瓷的 C- V特性及介电和损耗特性、添加物对Zn O压敏瓷晶界电学特性的影响。探讨了热处理气氛对 Zn O晶粒边界电性能的作用机理。实验结果表明 :Na+ 掺杂量增加时 ,施主浓度基本保持不变 ,而势垒高度、界面态密度和耗尽层宽度增加 ;在空气中退火 ,样品的施主浓度减少 ,势垒高度降低 ;在 Ar气中退火样品的施主浓度基本保持不变 ,而势垒高度下降较大 ;在音频范围内 ,Zn O压敏瓷具有很高的介电常数 (εr约 130 0 ) ;在 10 5~ 10 6 Hz范围内 ,εr下降较明显 ,与此对应 ,介质损耗角正切 tgδ在 10 5~ 10 6 Hz范围内出现一个峰值 ,该峰具有扩展的德拜驰豫峰特征

    2001年01期 23-24+29-42页 [查看摘要][在线阅读][下载 161k]
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  • 低温烧结铁氧体粉料的最新进展

    张药西

    以国家“86 3”计划重大项目和第八届国际铁氧体会议重要论文为据 ,综合分析、论述了低温烧结铁氧体粉料的进展状况。重点介绍了固相反应法 Ni Cu Zn铁氧体、Mg Cu Zn铁氧体和六角晶系 Co2 Z铁氧体。同时报道了具有世界领先水平的软化学法 Ni Cu Zn铁氧体和六角晶系 Co2 Z铁氧体成果

    2001年01期 25-29+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 211k]
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  • 发展我国电子元件工业的思路

    李盛涛,李建英,张伟强

    2001年01期 30页 [查看摘要][在线阅读][下载 18k]
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  • 抓住机遇使中国成为世界压敏电阻器生产大国

    张南法

    简述了我国压敏电阻器工业的发展过程 ,特别是 2 0世纪 90年代后期以来所取得的重大突破。提出了再用三到五年的时间使我国成为世界压敏电阻生产大国的三项具体目标 ,以及实现这一目标将给我们带来的经济和社会利益。从技术、市场、资源等方面分析了实现这个目标的可能性 ,提出了实现这个目标的几点建议

    2001年01期 31-33+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 125k]
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  • 整机厂对元器件供应商的综合管理

    陈旭标

    所谓整机厂在品质、价格、交期等方面对元器件供应方的综合管理 ,就是建立一套有效的系统 ,促使供方提供适质、适价、适量的产品 ,依靠系统的运行 ,促进整机厂与元器件供应方互惠互利商业关系的建立

    2001年01期 34-35+42页 [查看摘要][在线阅读][下载 104k]
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  • 高精度高比容独石电容器用瓷料研究及其介电常数的计算

    肖谧

    首先利用蒙特卡罗有限元法在分析陶瓷材料内电场分布的基础上 ,对微粒混合陶瓷材料的介电常数与各成分含量及其介电常数之间的关系进行了探讨。研究表明 ,由于介质极化的原因 ,在陶瓷材料内部 ,等势线的分布将主要集中于低介电常数成分所占的区域 ,并且 ,微粒混合陶瓷材料各成分的含量及其介电常数都会对陶瓷材料内电场的分布产生重要影响 ,并使陶瓷材料的宏观介电常数发生变化。当陶瓷材料中含有与其他成分介电常数差别相当大的成分时 ,利用蒙特卡罗有限元法可获得较其他传统方法更为准确的结果系统地研究了钡钛钕系统陶瓷的介电性能。研究结果表明 ,Ba Ti O3中掺入极少量的 Nd2 O3(例如摩尔分数 x为 0 .1% )时 ,材料呈半导性 ,电阻率呈明显的 PTCR效应。Ba Ti O3中掺入少量的 Nd2 O3(x≥ 0 .2 % )时 ,材料呈绝缘性 ,且随着 Nd2 O3掺入量的增加 ,材料的平均晶粒尺寸不断减小 ,居里峰向负温方向移动 ,居里峰不断降低。Ba Ti O3中掺入少量 Nd2 O3· 2 Ti O2时 ,随着掺入量的增加 ,居里峰向负温方向移动 ,晶粒尺寸不断增大 ;Ba Ti O3中掺入较多的 Nd2 O3· 2 Ti O2 时 ,随着掺入量的增加 ,介电常数不断减小 ,介电常数的温度特性曲线的非线性程度不断减小 ,并且 ,当 Ba Ti O3与 Nd2 O3· 2 Ti O2 的摩尔比?

    2001年01期 36-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 83k]
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  • 新品介绍

    杨邦朝,蒋明

    2001年01期 38-40页 [查看摘要][在线阅读][下载 69k]
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