MIM结构力敏薄膜应变栅的高温稳定性

运用薄膜技术在镍基弹性体上制备金属 -绝缘层 -金属 (MIM)结构的薄膜应变栅 ,测试了应变栅在 2 0 0～ 30 0℃的高温区内的稳定性 ,并分析了应变栅薄膜的结构、薄膜的应力以及热处理工艺等因素对力敏薄膜在高温下的稳定性的影响。

多孔硅层湿法腐蚀现象的研究

阳极氧化法制备的多孔硅层分别经 1% HF、 1% NH3 / H2 O2 和 0 .0 5 % Na OH三种溶液在室温下进行湿法腐蚀 ,并用傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和扫描电子显微镜 (SEM)对其变化进行了研究。腐蚀后多孔硅的表面形貌出现明显的刻蚀现象。红外吸收光谱表明 ,在用 1% NH3 / H2 O2 溶液腐蚀时 ,多孔硅层中 Si- O键和 Si- H键的强度增加 ,H- O键的强度下降 ;用 1% HF溶液和 0 .0 5 % Na OH溶液的腐蚀结果正好相反。 0 .0 5 %Na OH溶液对多孔硅层的腐蚀现象类似于强碱性溶液对单晶硅腐蚀表现出的各向异性 ,对多孔硅层厚度的腐蚀速度比 1% HF溶液的高

粉末-溶胶法制备掺LaPZT0-3型厚膜

用粉末 -溶胶 0 - 3型厚膜技术制备出厚度为 10μm的 PL ZT厚膜。PL ZT超细陶瓷粉采用 sol- gel法制备 ,这样保证了其化学组分的准确 ,降低了合成温度。在 Pt底电极上 ,掺 L a PZT (PL ZT- 8/5 3/4 7)厚膜的择优取向为 [111]与 Pt的取向一致 ,而纯 PZT(PL ZT- 0 /5 3/4 7)厚膜的择优取向为 [10 0 ]。在同等工艺条件下 ,掺 L a PZT厚膜晶粒大于纯 PZT厚膜的晶粒。厚膜介电、铁电性能分别使用 HP4192 A低频阻抗分析仪和 ZT- 铁电材料参数测试仪进行测试 ,结果表明掺 L a PZT厚膜的频率特性较好 ,矫顽电场强度 Ec有显著降低。

影响掺杂聚吡咯(PPy)导电性能的因素

综述了对掺杂聚吡咯的导电能力影响因素的研究成果。主要就溶剂、掺杂离子、合成温度对聚吡咯电导率的影响进行了深入的讨论。通过对各类试验结果和讨论的综合分析 ,以找出其一般性的规律 ,并依据得出的结论提出一些有望改善聚吡咯导电能力的措施

单取代磷酸酯在电解电容器中的应用

通过单取代磷酸酯 (简称 L HPR)与磷酸及其盐类在电解液中的作用效果之对比实验 ,研究了 L HPR对铝电解电容器性能的影响。结果表明 ,L HPR可以提高电解液的稳定性及耐压 ,降低电容器的漏电流。分析了L HPR在电解液中的作用机理 :(1)电子云密度大 ,容易吸附于氧化膜表面 ,非极性部分向外能阻止水分子靠近氧化膜 ;(2 )因其酸性弱 ,起缓蚀剂作用 ,从而对氧化膜产生修复和保护

氧化镍超电容器的研究

使用传统的水解方法制备氢氧化镍胶体 ,在 30 0℃下进行烧结处理后得到具有特殊微结构及表面特性的超细氧化镍材料。电化学方法证明该材料制备的电极具有典型的电容性能 ,“准电容”比容量达 2 40 F/ g以上 ,优于普通的双电层电容器活性炭电容材料比容量。恒流充放电实验证明使用该材料制备的电容器具有良好的大电流充放电性能以及循环寿命 ,是一种极具发展潜力的储能器件

巨磁电阻传感器

利用材料的巨磁电阻 (GMR)效应 ,可制得新一类磁电阻传感器—— GMR传感器。与传统的磁阻传感器相比 ,GMR传感器具有灵敏度高、可靠性好、测量范围宽、抗恶劣环境、体积小等优点 ,有广泛的应用前景。本文就目前已商业化的几种 GMR传感器的工作原理作一评述

中国电子学会第11届电子元件学术年会即将召开

陈克恭——我国资深电子技术及管理专家

简略回顾了我国著名电子技术及管理专家——陈克恭先生的业绩。陈克恭先生一贯勤奋好学、勇于实践、潜心钻研、敢于攀登。他倾注全力、一丝不苟、努力工作 ,为我国电子元件工业作出了重大贡献。他是我国著名电子技术的元老 ,是我们学习的楷模。