刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
本刊被以下数据库收录:
中文核心期刊
中国科技核心期刊
CA化学文摘(美)
SA科学文摘(英)
JST日本科学技术振兴机构数据库(日)
EBSCO学术数据库(美)

CSCD中国科学引文数据库来源期刊
核心期刊:
中文核心期刊(2020)
中文核心期刊(2017)
中文核心期刊(2011)
中文核心期刊(2008)
中文核心期刊(2004)
中文核心期刊(2000)
中文核心期刊(1996)
中文核心期刊(1992)


  • 电容器盖板绝缘电阻的温度特性

    朱绪飞,宋晔,刘霖

    从绝缘电阻的角度比较国产与进口电容器盖板的差异 ,指出国产盖板的不足之处。分析国产板材与进口板材的 lgρ- t曲线图 ,揭示出高温下盖板绝缘电阻的下降是阳极腐蚀的重要原因 ,建议生产厂家从材料纯度、粘结剂、橡胶配方、检测方法等几方面加以改进。

    2000年04期 1-2+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 107k]
    [下载次数:102 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:71 ]
  • CA30型非固体钽电解电容器的可靠性

    王训国,彭莉莉,谭健

    改善 CA30型非固体钽电解电容器结构的密封性、介质氧化膜的质量及工作电解液温度特性是提高产品质量的稳定性、可靠性及使用寿命的三个关键因素。将半密封结构改为全密封结构 ,产品质量可显著提高。

    2000年04期 3-4+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 110k]
    [下载次数:57 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:4 ] |[阅读次数:76 ]
  • 铝电解电容器阴极箔的后处理和稳定化处理

    邓福祥,田间,阎康平,严季新

    研究硝酸后处理对阴极箔比容的影响和稳定化处理形成氧化膜的机理。硝酸浓度和温度低 ,侵蚀箔稳定化处理后氧化膜不稳定 ,容量衰减快。浓度和温度高 ,侵蚀箔容量损失大 ,侵蚀箔的初始比容低。加入硫脲和六偏磷酸钠可提高铝箔的初始比容。磷酸和钼酸钠迭加处理使侵蚀箔获得高的初始比容和低的容量衰减率 ,磷酸处理形成氧化膜可分为 Al PO4结构的表面层及 Al PO4和部分 Al被 P代替的水合氧化铝的过渡层。钼酸钠处理形成的氧化膜可分为 Al2 (Mo O4) 3结构的表面层及 A12 (Mo O4) 3和部分 Al被 Mo代替的水合氧化铝过渡层

    2000年04期 5-7+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 137k]
    [下载次数:194 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:8 ] |[阅读次数:92 ]
  • 《片式电子元器件》(特刊)即将出版

    2000年04期 7页 [查看摘要][在线阅读][下载 27k]
    [下载次数:21 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:71 ]
  • 聚丙烯薄膜电容器CBB12产品关键制造工艺的研究

    吴己丑

    通过对控制 CBB12型电容器包封开裂率的关键工艺的探索 ,解决了生产制造过程中影响产品成品率的关键——开裂率问题。对其耐电压性能的改进进行了研究 ,解决了影响产品可靠性水平的关键指标——耐压击穿问题。将酚醛包封材料改性和芯子结构改进工艺方法相结合 ,形成了一整套比原引进技术适用范围更广、产品可靠性更高、满足用户更大需求的 CBB12型电容器产品制造关键工艺最佳方案。

    2000年04期 8-9+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 114k]
    [下载次数:190 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:88 ]
  • 差容可变电容器同步跟踪测量方法探讨

    方沛然

    对接收机用调谐元件差容可变电容器同步跟踪测量误差进行定量分析 ,提出减少测量误差的等效 EI法的测量方法。

    2000年04期 10-12+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 159k]
    [下载次数:29 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:67 ]
  • 铅锶钡铌系铁电性微晶玻璃的研制

    刘建安,张梅梅,沈建兴

    主要对 Pb O- Sr O- Ba O- Nb2 O5 系铁电性微晶玻璃形成的温度制度作了研究。利用 X射线粉末衍射(XRD)图谱确证在一定配比及合理的热处理温度下 ,能够形成铁电性微晶玻璃。其主晶相为四方晶系钨青铜结构的 Pbn Bay Srz Nb1 0 O30 (0 <n≤ 2 .0 0 ,0 <y≤ 2 .0 0 ,0 <z≤ 1.75 )。此种微晶玻璃可以制成具有良好电性能的电子元件。

    2000年04期 13-14+17-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 149k]
    [下载次数:88 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:6 ] |[阅读次数:79 ]
  • Si_3N_4在BaTiO_3基低阻高性能PTCR陶瓷材料中的作用

    吴波,黄松涛,沈化森,沈剑韵,帅世武,胡永海

    要同时保证 PTCR材料和元件具有低室温电阻率和较高的 PTC特性 ,有较大难度。研究了添加 Si3N4作为烧结助剂 ,对 PTCR材料的显微结构和电学性能的影响。同添加 Si O2 作为烧结助剂相比 ,添加 1.0 %的 Si3N4的 PTCR材料更易同时满足低阻高性能要求。

    2000年04期 15-17+46-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 256k]
    [下载次数:104 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:17 ] |[阅读次数:86 ]
  • Ca对BaTiO_3 PTCR热敏电阻性能的影响

    曹明贺,周东祥,龚树萍

    用 Ba0 .93- x (Sr0 .0 7Cax) Ti1 .0 0 6 O3系材料制备了常温电阻率小于 9Ω· cm的 PTCR热敏电阻。通过 Ca引入量的变化发现 :Ca含量对 PTCR热敏电阻的 R-θ性能影响较大 ;当 x (Ca) <8.0 %时 ,随 Ca含量的增加 ,常温电阻率下降 ,Rmax/Rmin降低 ,居里温区拓宽 ;若 x (Ca) >8.0 %后 ,PTC常温电阻率迅速增大。

    2000年04期 18-19+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 109k]
    [下载次数:187 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:12 ] |[阅读次数:56 ]
  • 一种带电容网络的窄带陶瓷滤波器

    周明

    采用一种新的设计方法来研制一种小体积的窄带陶瓷滤波器。此种方法仅采用一种标准的压电振子 ,并与一定的电容网络相结合 ,就可实现通常由串、并联两种振子构成的滤波特性。本文探讨了这种压电振子的特性以及电容网络的选择与近似计算方法。

    2000年04期 20-21+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 107k]
    [下载次数:66 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:71 ]
  • 压缩式压电传感器轴向灵敏度的线性度问题

    于治会

    讨论了机械结构的振动与冲击参数测量用压电传感器测试系统的构造设计与响应特性 ,通过对压电传感器正向反向灵敏度幅值线性度测试 ,灵敏度的差异和“饱和现象”的分析 ,提出在生产过程、鉴定和使用中应加以注意的事项。

    2000年04期 22-23+25-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 165k]
    [下载次数:79 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:2 ] |[阅读次数:77 ]
  • 金属诱导非晶硅薄膜低温晶化

    饶瑞,徐重阳,曾祥斌,王长安,周雪梅,赵伯芳

    介绍了一种非晶硅 (a- Si)薄膜低温晶化的新工艺 :金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。研究了各种 a- Si/金属双层膜退火后的晶化情况。利用 X射线衍射分析了结晶硅膜的结构 ,通过光学显微镜观察了 Al诱导 a- Si薄膜晶化后的表面形貌 ,并初步探讨了金属诱导非晶硅薄膜低温晶化的机理

    2000年04期 24-25+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 131k]
    [下载次数:142 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:88 ]
  • 大通流高电压高α值ZnO压敏电阻器

    陈洪存,王矜奉,刘华,赵连义

    研究了 Zn O压敏电阻器的通流量、非线性系数α值及压敏电压与粉料粒径和 Sb2 O3含量的关系。研究结果表明 ,适当添加 Sb2 O3,将粉料超细粉碎 ,可以制成通流量 4× 10 3A/ cm2、α值 110、压敏电压 380 V/ mm的 Zn O压敏电阻器。

    2000年04期 26-27+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 126k]
    [下载次数:99 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:95 ]
  • 科技部部长朱丽兰说——创新系统就是“官产学研金”

    2000年04期 27页 [查看摘要][在线阅读][下载 40k]
    [下载次数:142 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:40 ]
  • 纳米二氧化硅粉体的制备

    刘立泉,何永,张崇,李大成

    以工业硅酸钠和盐酸为原料 ,采用化学沉淀法制备出纳米二氧化硅。工艺条件为 :温度 2 5~ 35℃、p H值 4~ 6、反应液质量浓度 1.15 g/ L、反应时间 10 min,添加一定量表面活性剂和分散剂。制得的二氧化硅 ,粒径 40~ 5 0 nm、比表面积大、分散性好、质量优良 ,已用于工业生产。

    2000年04期 28-32+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 133k]
    [下载次数:994 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:34 ] |[阅读次数:75 ]
  • 3-DMCM实用化的进展

    杨邦朝,胡永达

    介绍了 3- D MCM的四种封装模式的应用实例 ,详细讨论了各种模式的工艺 ,优点及存在的问题。 3-D MCM是未来微电子封装的发展趋势。

    2000年04期 29-32+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 182k]
    [下载次数:63 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:3 ] |[阅读次数:110 ]
  • 电子元件与材料

    曲喜新

    系统介绍了电子元件与材料 ,论述了它们的类别、发展历程及最新发展。

    2000年04期 33-36+47-48页 [查看摘要][在线阅读][下载 863K]
    [下载次数:442 ] |[网刊下载次数:40 ] |[引用频次:10 ] |[阅读次数:62 ]
  • 我国热敏电阻用高纯TiO_2生产现状

    朱盈权,胡琦,郑学芳,覃建华,余熙北,付庆龙

    介绍了 PTCR热敏电阻用高纯 Ti O2 的生产现状 ,即生产能力、生产方法、技术标准、质量水平及市场状况等。据此提出了一些建议。

    2000年04期 37-39+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 131k]
    [下载次数:175 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:20 ] |[阅读次数:69 ]
  • 电容器级钽粉的高比容化研究进展

    钟海云,刘红东,卢振达,潘伦桃

    结合电容器级钽粉的制备技术 ,分析了国内高比容钽粉生产技术和研究水平同国外的差距 ,阐述了电容器级高比容钽粉研究的方向和今后应强化的技术措施。

    2000年04期 40-41+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 103k]
    [下载次数:136 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:9 ] |[阅读次数:91 ]
  • 浅谈电子元器件失效

    陈旭标

    电子元器件的失效会给电子整机带来故障。对整机中元器件的失效从两个角度进行了分析 :(1)元器件自身因设计、材料、制造原因引起的失效 ;(2 )整机厂的设计、作业引起的元器件失效。提出了针对性改善措施。

    2000年04期 42-43+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 84k]
    [下载次数:285 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:7 ] |[阅读次数:80 ]
  • 国际质量认证将启用新标准

    2000年04期 43页 [查看摘要][在线阅读][下载 19k]
    [下载次数:17 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:52 ]
  • 厚膜金导体的可靠性试验

    李世鸿

    介绍了厚膜金导体可靠性试验方面的一些研究结果。对金的电化学迁移以及厚膜金导体的热试验进行了分析 ,并讨论了在工艺过程中应注意的一些问题。

    2000年04期 44-45+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 109k]
    [下载次数:117 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:1 ] |[阅读次数:59 ]
  • 下载本期数据