刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 硼硅玻璃掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响

    周东祥,解战英,付明,龚树萍,王礼琼

    研究结果表明 ,硼硅玻璃料的掺入超过一定量时会使压敏电场上升。当玻璃料含量占初始配方总质量的 5 %时 ,压敏电场最小 ,非线性系数最小 ,漏电流最大 ;当玻璃料含量占 5 %~ 10 %时 ,随玻璃料掺入量的增加 ,非线性系数明显上升 ,漏电流迅速减小 ,压敏电场迅速上升。

    2000年03期 1-2+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 107k]
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  • 影响轧膜成型ZnO-玻璃系压敏电阻器电性能的因素

    付明,周东祥,龚树萍,王礼琼

    轧膜成型 Zn O-玻璃系压敏电阻器的烧结温度、厚度、掺杂 Pb O等因素对电性能有一定影响。调整烧结温度和厚度可控制压敏电压。掺入 Pb O可降低烧结温度并改善材料的电性能

    2000年03期 3-4+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 118k]
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  • SrTiO_3基压敏陶瓷低压化途径

    季惠明,郝俊杰,梁辉

    以固相法合成 Sr Ti O3+Nb2 O5 +Mn O2 作为基本系统 ,分别采用草酸盐热分解法制备 Sr Ti O3主晶相及L i2 CO3代替 Mn O2 作受主掺杂等手段来修正基本系统 ,以降低压敏电压。结果表明 ,以上措施可有效地降低压敏电压 ,改善压敏 -介电性能。

    2000年03期 5-6+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 134k]
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  • 尖晶石相ZnCr_2O_4陶瓷生成条件

    许家时,雷元礼,梁俊,薛赛凤,刘敏

    用 XRD法研究配料粒度、烧结温度及陈化处理诸因素对生成尖晶石相 Zn Cr2 O4数量的影响 ,结果表明 ,在 80 0~ 110 0℃间 ,原料的陈化处理可促进尖晶石相 Zn Cr2 O4的生成。

    2000年03期 7-8+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 117k]
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  • sol-gel法制备纳米碳化硅晶须的研究

    张洪涛,徐重阳

    采用长链甲基三甲氧基硅烷〔Cn H2 n+ 1 Si(OCH3)〕和正硅酸乙酯 (TEOS)两种有机物为起始原料 ,用溶胶 -凝胶法通过合理控制反应条件 ,制备出β- Si C凝胶粉体 ,然后在 Ar气氛、 90 0~ 130 0℃下热处理 ,制备出了高纯、低氧含量 ,直径 2~ 10 nm,长度 40~ 80 nm的β- Si C纳米晶须。产物纯度达到 99.92 %。利用 X射线粉晶衍射、透射电镜 (TEM)、拉曼光谱等测试方法对制得的晶须进行了结构及颗粒尺寸等研究。讨论了反应条件对β- Si C纳米晶须生长的影响

    2000年03期 9-10+12-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 145k]
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  • 成核剂对HDPE/CB体系热敏电阻电学性能的影响

    李刚,李从武

    为了提高 PTC热敏电阻器产品的综合电性能 ,通过加入成核剂的方法 ,改变 HDPE(高密度聚乙烯 )的结晶行为 ,结果表明综合电性能有明显的提高 ,在成核剂添加量为 m(HDPE)的 1.3%时 ,使耐 6 5 0 V感应电压冲击次数从原来的 6次提高到 2 4次 ,耐 10 / 10 0 0 μs雷击冲击次数从原来的 7次提高到 2 0次。

    2000年03期 11-12+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 107k]
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  • 自燃烧合成(Sr,Pb)TiO_3及其阻-温特性

    张明福,梁延峰,赫晓东,韩杰才,杜善义

    用自燃烧法低温合成了单相 (Sr,Pb) Ti O3陶瓷粉末 ,研究和确定了自燃烧反应的 p H值条件 ,分析了自燃烧反应历程。测量了 (Sr,Pb) Ti O3的居里温度及 Y掺杂陶瓷阻 -温特性。结果表明 ,(Sr,Pb) Ti O3的居里温度较理论计算值稍有偏移。典型陶瓷样品的电阻升阻比为 4.2 ,V型特性明显。Y掺杂陶瓷样品的电阻率与 Y掺杂量之间关系符合一般稀土掺杂规律。

    2000年03期 13-15+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 152k]
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  • 中国电子学会元件分会2000年学术活动计划表

    2000年03期 15页 [查看摘要][在线阅读][下载 24k]
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  • CSBT-BNT-NT系高介瓷料α_ε系列化的研究

    江涛,郭育源,江丽君

    进行了具有高介电常数的 (Ca,Sr,Ba) Ti O3(CSBT) - Ba6 - 3x Nd8+ 2 x Ti1 8O5 4 (BNT) - Nd2 Ti2 O7(NT)系瓷料介电常数温度系数 (αε)系列化的研究 ,采用多相混合控制技术 ,按李赫涅德凯混合法则 ,调整该三元系瓷料αε系列。研制的瓷料介电性能 :εr=90~ 15 0 ;tgδ( 2 0℃ ,1 MHz) ≤ (0 .5~ 5 .0 )× 10 - 4 ;αc( - 2 5~ + 85℃ ) =((0~ - 75 0 )± 6 0 )× 10 - 6℃ - 1 ;ρv( 2 0℃ ,DC 1 0 0 V) ≥ 10 1 2 Ω· cm。

    2000年03期 16-18+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 148k]
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  • 2000年下半年中国电子元件行业协会及各分会活动计划

    2000年03期 18页 [查看摘要][在线阅读][下载 24k]
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  • 钛酸钡陶瓷补偿缺陷分析

    赵双群

    :研究了施主杂质 Nb的含量 ,x (Nb)在 1.0 %~ 7.0 %范围变化时对 Ba Ti O3半导陶瓷的晶粒尺寸、铁电相变和电特性的影响 ,x (Nb)在 4.0 %左右时观察到了掺杂效应的转变。阻抗行为揭示出高、低施主含量样品在晶粒边界和晶粒体内载流子导电的激发能不同 ,可由随施主含量增加 ,从纯钡空位到晶界处钡空位和晶粒内部钛空位相结合的补偿缺陷模式的转变来解释。

    2000年03期 19-20+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 127k]
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  • 宽带化压电陶瓷受话器的设计

    张丽华

    从压电陶瓷蜂鸣元件的特性入手 ,根据三自由度振动系统基本原理 ,通过降低压电陶瓷元件的谐振频率 fr,利用其二次共振以及选择适当的声阻材料制成了重放频带宽 (2 0 0~ 40 0 0 Hz)、灵敏度高 (10 8± 3) d B、声压 -频率特性平坦的压电陶瓷受话器。通过压电陶瓷受话器的宽带化设计 ,在较宽的频率范围内实现语音重放功能 ,以适合高质量全球移动通信系统 (GSM)的要求。

    2000年03期 21-22+30-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 130k]
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  • 纽扣型液体双电层电容器的研制

    顾温国,李劲,夏云发,曹婉真

    极化电极、电解液和隔离膜是液体双电层电容器的主要组成部分。实验分析了它们对电容器电性能的影响。在此基础上 ,试制出的模型电容器的电容量 C超过 1F,漏电流 IL (2 V偏压下 )小于 0 .5 m A,等效串联电阻 ESR低于 10Ω。

    2000年03期 23-24+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 107k]
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  • 宽温长寿命铝电解电容器的设计

    朱莲花,林学清

    铝电解电容器失效机理主要是芯子吸附的工作电解液逐渐干涸和阳极腐蚀。为获得宽温长寿命产品 ,笔者在恰当使用工作电解液、精选原材料、设计合理的结构方面作了研究。

    2000年03期 25-26+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 104k]
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  • 铝电解电容器用阳极化成箔的选用

    徒振秋

    阳极化成铝箔的质量直接影响铝电解电容器的性能。介绍化成箔的主要性能参数 ,如升压时间、氧化膜稳定耐压值、比容及散差、抗拉强度和折弯强度、表面氯离子残留量等的正确选用。正确选用阳极化成箔对提高电容器产品的质量、降低成本十分重要。

    2000年03期 27-28+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 115k]
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  • 稳定的特高阻电阻器的研制

    褚国京,熊静

    介绍一种体积小、性能稳定的特高阻电阻器的研制过程及其性能。电阻器阻值范围 :1~ 10 0 GΩ ;αR:(- 40~ - 90 0 )× 10 - 6 ℃ - 1 ;体积 :5 mm× 12 mm× 2 mm。

    2000年03期 29-30+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 111k]
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  • 前处理和侵蚀对阴极箔比容的影响

    邓福祥,吴旨玉,阎康平,严季新

    碱洗预处理和侵蚀条件对阴极铝箔比容有影响。随 Na OH浓度和 Na3PO4浓度的增大 ,侵蚀箔比容下降。碱洗的温度升高或者时间增加 ,侵蚀箔比容也下降。侵蚀溶液盐酸浓度为 0 .85 mol/ L 时侵蚀箔比容达到极大值。侵蚀液温度过低和过高 ,侵蚀箔比容都低。温度为 90℃时侵蚀比容较高。通过试验得出了较好的前处理和侵蚀条件。

    2000年03期 31-32+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 101k]
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  • 表观电化学参数对铝箔交流电侵蚀的影响

    罗泸蓉,田圃,阎康平,严季新

    改变交流电密度 (J)、电解液温度 (T)及盐酸浓度 (ci)侵蚀电容器铝箔 ,并以表观电化学参数(J/ ci T)为依据 ,通过侵蚀铝箔的表面形貌和侵蚀箔比容的变化规律 ,研究了铝箔在纯盐酸中受〔Cl- 〕和〔H+ 〕影响的交流侵蚀机制。

    2000年03期 33-34+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 109k]
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  • 导电聚合物BAYTRON~R及其在固体电解电容器上的应用

    陈湘宁

    介绍新一代导电聚合物——聚乙烯二氧噻吩 (3,4- Polyethylene dioxythiophene,简称 PEDT)的主要特点 ,分析了其对固体电解电容器等效串联电阻、高频特性等性能的影响。PEDT将是今后开发新一代高频固体电解电容器的重点研究领域

    2000年03期 35-36+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 98k]
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  • 金属化聚丙烯电容器在脉冲电路中的应用

    刘人灿

    2000年03期 37-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 70k]
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  • 厚膜片状电阻器开路失效分析

    雷云燕

    分析了厚膜片状电阻器波峰焊时开路失效的原因 ,并提出了相应的解决方法。

    2000年03期 38-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 73k]
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  • L波段五位数字移相器的宽带自动修调

    姜伟卓,丁友石,魏建蓉

    以 L 波段五位数字移相器的宽带自动修调为例 ,介绍了激光自动修调系统的组成和工作过程 ,讨论了移相器的可修调设计和修调算法的设计。激光自动修调技术可用于多种微波电路 ,可以缩短调试时间 ,降低生产成本 ,满足大批量生产的要求。

    2000年03期 39-40+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 94k]
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  • 中国电磁兼容认证委员会成立

    2000年03期 40页 [查看摘要][在线阅读][下载 26k]
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  • TiW-Au金属化结构的金层剥离问题

    高能武,秦跃利,谢飞,孔祥栋

    Ti W- Au膜系结构可用于混合集成电路。Ti W与 Au的附着力对溅射气氛较敏感。采用合适的纯气 ,对气路加热抽真空 ,清洗真空腔 ,增加管路气阀等方法 ,可确保合适的溅射气氛 ,解决 Au层剥离的问题。真空腔体是否需要清洁处理 ,可用泄漏率评判

    2000年03期 41-43+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 105k]
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  • 加入WTO对中国信息产业的影响及对策

    于凌宇

    2000年03期 42-43页 [查看摘要][在线阅读][下载 61k]
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  • 行业通讯

    2000年03期 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 60k]
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