刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • AlN基片氧化及金属化

    徐忠华,马莒生,李志勇,韩振宇,王谦,唐祥云

    研究了 Al N陶瓷高温氧化对金属化结合强度的影响。在 80 0℃、 10 0 0℃、 12 0 0℃和 140 0℃下对 Al N基片进行了高温处理 ,并用 XRD和 SEM分析了氧化结果。从 12 0 0℃开始 ,基片表面有较明显的氧化 ,140 0℃时 ,基片内部氧化明显。在氧化后的 Al N基片上金属化布线 ,发现表面轻微氧化的 Al N基片和金属化强度有一些提高 ,但氧化过度 ,反而会使金属化结合强度大幅度下降。

    2000年02期 1-2+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 131k]
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  • 玻璃基板用电子浆料

    高官明

    钠钙视窗玻璃电气性能与氧化铝陶瓷相当 ,成本低 ,是厚膜基片廉价材料。用 Ru2 Pb2 O6 和 Ru2 Bi2 O7作导电相 ,硼硅酸铅系添加碳酸钠作玻璃料配制的钌系电阻浆料 ,与钠钙玻璃有较好的匹配性。烧成条件 6 0 0℃ ,45 min,峰值温度保温 9min。方阻为 2 0 Ω~ 1MΩ,稳定性良好 ,阻值变化 ΔRS/ RS<1%。

    2000年02期 3-4+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 120k]
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  • sol-gel法制备KTN薄膜厚度及均匀性控制

    王龙海,罗英军,王世敏,黄桂玉

    利用干涉法、扫描电子显微镜 (SEM)、 X射线衍射 (XRD)等方法分析 sol- gel法制备的 KTN (钽铌酸钾 )薄膜 ,详细分析讨论 gel膜制备及热处理过程各因素对薄膜厚度及均匀性的影响。结果表明控制 gel膜厚度及均匀性的关键是根据溶液黏度的变化及时调整匀胶转速、热处理过程中用低的升降温速度和通氧 ,整个工艺控制容易、重复性好。最终制出的薄膜为表面晶粒大小均匀、排列紧密、厚度一致、纯钙钛矿结构、高取向的KTN薄膜。

    2000年02期 5-6+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 130k]
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  • XN-1防电磁干扰腻子研究

    王晓红,刘俊能

    针对电子设备需求 ,进行了防电磁干扰腻子的设计、组分选择及性能等研究。所研制的 XN- 1防电磁干扰腻子对多频段电磁波具有较强的衰减隔离作用 ,并具有良好的物理性能 ,可防止电磁波泄漏、干扰和反射。

    2000年02期 7-8+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 106k]
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  • 草酸氧钛酸分解法制备纳米金红石型TiO_2粉体

    邓昭平,邱克辉,张佩聪,邓春林

    用硫酸钛与草酸按比例配合 ,析出草酸氧钛酸晶体 ,将其洗涤后在 75 0~ 82 0℃焙烧 ,因草酸氧钛酸分解时 ,其分子中较大部分成分以气体 :CO2 、CO、水蒸气形式挥发到空气中 ,从而固态产物成为纳米级的金红石型二氧化钛粉体。用透射电子显微镜 (TEM)测定 ,其粒径范围为 10~ 35 nm;用 X射线衍射 (XRD)测定 ,其晶型为金红石型。

    2000年02期 9-10+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 125k]
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  • HIC天线前置放大器

    周大敏

    HIC同轴天线前置放大器具有体积小、重量轻、可靠性高等特点 ,可用于民用和工业设备及军事装备中。介绍了该放大器的设计思想、技术指标、特性、关键制作技术、结构及制作工艺。

    2000年02期 11-12+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 100k]
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  • 制备工艺对厚膜SnO_2气敏元件性能的影响

    傅军

    采用平面丝网印刷技术制备不同厚度的 Sn O2 厚膜气敏试样 ,在不同温度下进行热处理后 ,测量试样对乙醇气体的灵敏度 ,研究热处理温度及敏感膜厚度等对元件性能的影响。结果表明 ,热处理温度和膜厚的均匀性会影响元件的电阻值和灵敏度 ,准确控制热处理温度和膜厚能显著改善元件的灵敏度和一致性。

    2000年02期 13-14+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 103k]
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  • 超大容量双电层电容器主要技术参数的测试

    王国庆,林忠富,左伟忠,王树学

    :介绍了利用时间常数法、恒流充电法及恒流放电法测静电容量 ,详细列出了不同容量值时的测试参数。三种测试方法比较表明 :时间常数法简单实用 ,恒流放电法和恒流充电法准确。同时介绍了等效串联电阻及漏电流的测试方法

    2000年02期 15-16+21-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 149k]
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  • 国产薄膜电容器自动分选机的更新换代

    陈德宏

    国产薄膜电容器自动分选机随着电容器技术的发展而不断更新换代。薄膜电容器分选机经历了 XF10、XF10 B、 XF10 D到 XF10 E的发展过程。构想的新一代分选机是竖装履带式分选机。

    2000年02期 17-18+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 112k]
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  • 铁电场效应晶体管

    王华,于军,周文利,王耘波,谢基凡,周东祥,朱丽丽

    介绍了铁电场效应晶体管 (FFET)的基本结构、存储机制、制作方法 ,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在 FFET中应用的进展情况 ,探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对 FFET存储特性的影响 ,对 FFET的研究现状和存在的一些问题进行评述

    2000年02期 19-21+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 165k]
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  • 高温超导多芯片组件

    杜晓松,杨邦朝

    超导多芯片组件被誉为继高温超导之后 ,超导研究最大的技术革命。采用超导材料作互连线 ,是解决芯片间互连瓶颈的有效技术途径。它可保证电子系统进一步高速化、小型化和宽带化。本文阐述了高温超导 MCM的研究现状、存在的问题及其发展前景。

    2000年02期 22-23+33-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 163k]
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  • 电子封装中的焊点及其可靠性

    王谦,Shi-WeiRickyLEE,汪刚强,耿志挺,黄乐,唐祥云,马莒生

    在电子封装中 ,焊点失效将导致器件乃至整个系统失效 ,焊点失效的起因是焊点中热循环引起的裂纹及其扩展。从焊点的微观组织及其变化、焊点失效分析、焊点可靠性预测等方面介绍了对电子封装焊点及其可靠性研究的状况。

    2000年02期 24-26+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 154k]
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  • 用正交试验法探索铝电解电容器脉冲电压老练工艺

    王玉华

    改进老练工艺是降低铝电解电容器漏电流的重要措施。采用脉冲电压老练能提高铝电解电容器阳极氧化膜的修补效率。用正交试验法快速找到脉冲电压老练中的充、放电时间等工艺参数 ,使产品漏电流常数 K降到 0 .3× 10 - 2 ~ 0 .3× 10 - 4 μA/ (V·μF)。

    2000年02期 27-29+31-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 169k]
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  • 钯和钯合金及其在电子元器件方面的应用

    杨瑞鹏,蔡旬,陈秋龙

    钯及其合金成本低于金 ,导电性能与金相似 ,是在电子工业中广泛应用的代金材料。同时 ,钯及其合金具有特殊的物理化学性能 ,可用于制造各种电子元件。本文对钯及其合金的性能和在电子元器件方面的应用进行了介绍。

    2000年02期 30-31+46-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 199k]
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  • 基于先进厚膜技术的多芯片组件

    黄鉴前,高能武,陆吟泉

    介绍了应用低温共烧陶瓷技术 ,扩散成图技术以及 Fodel光刻成图技术等先进厚膜技术所研制的MCM。应用这些先进的厚膜技术制造出来的 MCM成本低、可靠性高、集成度高 ,研制期短、应用前景广阔。

    2000年02期 32-33+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 149k]
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  • 高压陶瓷电容器及其应用新动向

    薛泉林

    介绍各种用途高压陶瓷电容器的功能、特点及其在电力设备和处理脉冲能量设备方面的应用。探讨了其应用发展动向。

    2000年02期 34-37页 [查看摘要][在线阅读][下载 44k]
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  • 音响分频器使用的有机薄膜电容器

    胡仲霞

    音响分频器中使用的有机薄膜电容器 ,其阻抗和损耗频率特性的优劣直接影响分频器的阻抗及功率特性 ,从而影响音响的质量。在选用电容器时 ,应注意 :1选用无感式卷绕的金属化有机薄膜电容器 ,使 LESL趋于零 ;2选用边缘加厚的金属化有机薄膜电容器 ,降低极板电阻、接触电阻和接触损耗 ,改善电容器的阻抗和损耗频率特性 ,满足分频器的阻抗匹配和功率匹配的要求 ;3首选粗短结构的电容器 ;4选用圆形结构电容器 ,避免连续性自愈发生。正确选择优质电容器 ,满足良好的听觉效果。

    2000年02期 35-37+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 153k]
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  • 台湾电子元件技术考察(续)

    章士瀛

    2000年02期 38-39页 [查看摘要][在线阅读][下载 49k]
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  • 电子元器件产业必须走企业创新之路

    于凌宇

    2000年02期 40-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 42k]
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  • 从1类瓷介电容器美国军用标准看有无可靠性指标要求的两种标准的区别

    张昌仁,王勇

    通过整理和分析 MIL- C- 2 0 H标准 ,不难看出美国军用有可靠性指标要求的电子元器件标准水平是高于无可靠性指标要求的标准的。它有一套可靠性认定和维持的方法及程序。了解美国军用标准中有、无可靠性指标要求两种标准的异同。为掌握和使用提供有益的帮助

    2000年02期 42-44+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 142k]
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  • 中国电子学会元件分会第11届学术年会征文

    2000年02期 44页 [查看摘要][在线阅读][下载 19k]
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