- 何红波,周继承,胡慧芳,李义兵
对形成室温单电子现象的典型串联双隧道结结构模型利用温克布 (WKB)三氏法求解薛定谔方程 ,计算了其隧穿电流与偏压的关系。利用该方法对 Cd S纳米粒子自组装体系在室温下的 I- V特性进行了计算机模拟 ,发现结果与实验符合得很好。该方法对于进一步指导纳米电子器件的实验及其原型化有重要意义。
2000年01期 1-2+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 121k] [下载次数：54 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：96 ] - 李邓化,张良莹,姚熹
研究金属端帽及压电陶瓷的形状参数对压电复合执行器 Cymbal压电性能的影响。Cymbal执行器由在厚度方向极化的压电陶瓷片 (PZT- 5 A)夹在两个薄的黄铜端帽之间 ,每一个端帽的内表面都有一个圆台形空穴。Cymbal执行器的纵向等效压电常数 de33与金属端帽的直径 de2 、内腔深度 te、黄铜箔的厚度 tb及压电陶瓷片的直径dp、厚度 tp有关
2000年01期 3-4+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 118k] [下载次数：90 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：80 ] - 赵苏串,魏敏敏
采用溶胶 -凝胶法 ,用醋酸锶、钛酸丁酯、乙醇铌作为前驱体 ,用旋涂法制备掺铌钛酸锶多晶薄膜。用醋酸作为醋酸锶溶剂 ,并用丙三醇作为辅助溶剂 ,溶胶浓度及黏度均可在较大范围内调节。经 6 0 0℃热处理后薄膜转化为钙钛矿结构 ,扫描俄歇电子显微镜所做表面形貌与元素分析表明薄膜均匀、无裂纹、表面光滑、晶粒细小。
2000年01期 5-6+8-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 145k] [下载次数：456 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：30 ] |[阅读次数：68 ] - 曾祥斌,徐重阳,戴永兵,王长安,周雪梅,赵伯芳
采用两步激光晶化方法制备了多晶硅薄膜 ,其晶粒尺寸为 1.1μm,比用传统单步晶化制备的薄膜晶粒尺寸大 ,表明该方法对扩大晶粒尺寸很有效。拉曼光谱分析表明 0 .30 J/ cm2晶化的薄膜结晶程度已很高
2000年01期 7-8+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 115k] [下载次数：185 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：2 ] |[阅读次数：98 ] - 宋晔,朱绪飞,蒋文胜
介绍一种工作电解液配方的计算机辅助设计系统 WEDS,包括其系统特点、功能模块组成及主要方法原理。并给出了一个该系统的使用实例。试验表明这是一个十分有效、实用的电解液配方辅助设计。
2000年01期 9-10+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 104k] [下载次数：69 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：72 ] - 李宏
研制了一种具有对称结构的单微隙放电管 ,研究了它的电特性。结果表明这种对称微隙放电管的耐冲击电流能力大于 15 0 0 A、极间电容小于 1p F、冲击击穿电压约 40 0 V。它可以克服非对称单微隙放电管在直流击穿电压对称性和稳定性方面的缺陷。
2000年01期 11-12+14-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 138k] [下载次数：29 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：59 ] - 徐友龙
铝电解电容器阳极箔的腐蚀生产线上 ,主腐蚀槽槽液的流量是一个关键控制量。根据法拉第电解定律 ,定量地阐述了主腐蚀槽槽液流量的控制方法。结合实际情况 ,讨论了该控制方法的局限性和有效性。
2000年01期 13-14+45-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 167k] [下载次数：64 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：89 ] - 宗式友,殷宝华,许肇成
研制低压、宽温、长寿命电解电容器中 ,以选择电解液和提高封口工艺质量作为关键。通过选择优质的阳极箔和阴极箔 ,适当加厚橡胶塞 ,加长铝梗 ,束腰位置设在橡胶塞 1/2处 ,并用 X光检查封口质量 ,选择高效的水合抑制剂等措拖 ,产品通过了 +10 5℃ 30 0 0 h高温负荷试验。
2000年01期 15-16+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 108k] [下载次数：131 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：1 ] |[阅读次数：73 ] - 张道礼,龚树萍,周东祥
通过热力学平衡的方法 ,研究 Ba Ti O3系陶瓷 PTCR元件进行化学沉积金属镍电极时常用的醋酸盐 -镍离子、甘氨酸 -镍离子和柠檬酸盐 -镍离子体系化学镀镍溶液中各种型体镍离子的分布。实验表明 ,加入络合剂会影响化学镀镍的速度 ,醋酸盐会使化学沉积速度升高 ,而甘氨酸和柠檬酸盐会使化学镀镍速度明显下降 ,这可能和化学镀镍过程的混合电位、络合剂的空间位阻及镍 -配位原子间的结合力等因素有关。通过本文的研究表明 ,选择合适的络合剂对于化学镀镍的稳定操作 ,意义是十分重大的
2000年01期 17-19+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 135k] [下载次数：132 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：9 ] |[阅读次数：102 ] - 2000年01期 19页 [查看摘要][在线阅读][下载 22k] [下载次数：11 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：28 ]
- 王毓德,吴兴惠,李艳峰,周桢来
半导体 p+n型气体传感器是基于气体传感器互补增强和互补反馈原理的一种新结构的气体传感器。理论分析表明 ,基于该工作原理 ,传感器的灵敏度、选择性、热稳定性及抗湿干扰的能力可以得到很大的改善。
2000年01期 20-21+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 116k] [下载次数：527 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：15 ] |[阅读次数：91 ] - 韦群燕,潘云昆
研究了银粉对银浆的分散及稳定性的影响 ,对浆料中粒子间的作用进行了探讨 ,找出了影响超细银粉在有机载体中分散的若干关键因素。根据对银粉团聚程度的分析和银浆流变学行为研究的结果 ,以及对有机介质链接特性的改进 ,可制出印刷特性优良 ,分散稳定的电子浆料
2000年01期 22-23+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 118k] [下载次数：683 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：36 ] |[阅读次数：69 ] - 卢振亚
分析了烧成和热处理工艺中可能导致 Zn O压敏元件非线性特性异常的因素 ,如炉温不匀、温度梯度太大 ,降温时间太长 ,炉道通风流量过大等。试验证明 ,在 90 0～ 10 5 0℃下 ,对非线性特性劣化的 Zn O压敏元件进行热处理 ,可使非线性特性恢复正常。
2000年01期 24-25+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 111k] [下载次数：82 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：73 ] - 秦跃利,高能武,吴云海
薄膜制作技术在混合集成电路中扮演十分重要的角色。附着力的强弱是影响薄膜电路质量最关键的因素。通过实验 ,查明了膜系结构、金属相间扩散、溅射金属化气氛、清洗等方面导致薄膜起层的原因 ,并选择出最佳工艺条件。
2000年01期 26-27+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 104k] [下载次数：535 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：12 ] |[阅读次数：59 ] - 袁同力
阐述了 HIC2 81军用陀螺专用混合集成电路的工作原理、设计思想、采用的工艺及关键技术。采用 PCB双面布线和 SMT技术 ,提高了集成度 ;合理的热设计及电感性负载能力的改善 ,提高了产品的稳定性及可靠性
2000年01期 28-29+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 99k] [下载次数：104 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：3 ] |[阅读次数：77 ] - 方政秋
本研究采用化学还原法制备一种能用于微电子工业制备电子浆料和电池行业生产电池的高分散超细镍粉。其比表面积为 1.7～ 5 .0 m2 / g,平均粒径小于 0 .4μm,松装密度小于 0 .89g/ cm3,形状为亚球形或球形。
2000年01期 30-31+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 76k] [下载次数：141 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：4 ] |[阅读次数：71 ] - 张如明
在世纪之交时 ,结合世界电子元件发展总趋势 ,对我国电子元件工业发展提出了新的要求 ,也指出了新世纪初的三个难得的机遇 :1移动通信业的国产化率大幅度增长 ;2计算机市场的高速增长 ;3片式元件及相关技术的发展潜力很大。并设想了几种我国电子元件发展的模式 ,强调人才在电子元件企业中的重要作用。
2000年01期 32-33+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 76k] [下载次数：90 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：6 ] |[阅读次数：89 ] - 张丹丹,姚宗干
综述了大容量、高储能密度的新型电容器——电化学电容器的原理、结构、特点及国内外的研究进展。目前 ,已有电化学电容器用于计算机备用电源、信号灯电源及需要大电流充放电的电源系统。
2000年01期 34-37+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 140k] [下载次数：699 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：217 ] |[阅读次数：299 ] - 王国庆
分别介绍了目前生产双电层电容器有代表性的日本 Tokin公司、NEC公司、松下公司、EL NA公司和俄罗斯以及我国大庆华隆公司的典型产品的性能特点。论述了高等效串联电阻、中等效串联电阻及大功率双电层电容器的应用前景。双电层电容器作为一种能源供应新器件 ,在优化系统性能方面将起着越来越重要的作用
2000年01期 38-39+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 88k] [下载次数：549 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：52 ] |[阅读次数：80 ] - 赵谢群
综述了 TCO(透明导电氧化物 )薄膜研究开发的历史与现状 ,展望了产业化前景。传统的 ITO薄膜性能优异 ,是重要的平面显示器件用材料。新型 Zn O薄膜成本低廉 ,极具发展潜力 ,有望在太阳能电池领域取代 ITO(掺锡氧化铟 )。多元复合氧化物薄膜是 TCO的发展方向之一 ;柔性衬底的应用扩大了 TCO薄膜的用途 ;溶胶 -凝胶制备工艺的开发促进了大面积 TCO薄膜的实用化
2000年01期 40-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 84k] [下载次数：1202 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：120 ] |[阅读次数：168 ] - 章士瀛2000年01期 42-44页 [查看摘要][在线阅读][下载 75k] [下载次数：47 ] |[网刊下载次数：0 ] |[引用频次：0 ] |[阅读次数：42 ]
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