电子元件与材料

刊　名：
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主　办：
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊　期：月刊
出版地：成都市
语　种：中文
开　本：大16开
刊　号：
ISSN 1001－2028
CN 51－1241/TN
邮发代号：62—36
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1999年06期目次

高纯纳米氧化铍陶瓷粉体的研制
张树人,张远骏
以工业级ＢｅＯ微粉为出发原料，经一系列连续除杂、提纯、沉淀等液相化学过程和中温煅烧，制备了纯度达９９．８％，平均粒径为２０ｎｍ的高纯纳米ＢｅＯ球形粒子粉体。利用高均匀掺杂技术，在高纯纳米ＢｅＯ粉体中掺入少量锑和铝的有机化合物，经适当温度预烧制成氧化铍陶瓷微粉。用该微粉经常规陶瓷工艺制得的ＢｅＯ陶瓷材料，其主要性能较国内现有的ＢｅＯ陶瓷材料有显著的提高，同时提高了ＢｅＯ原料的利用率并减少了环境污染。
1999年06期 1-2+8-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 136k]
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掺杂及烧结温度对Pb(Y_(1/2)Nb_(1/2))O_3-PbTiO_3-PbZrO_3性能的影响
王勇军,董火民,王矜奉,陈洪存,张沛霖,钟维烈
为了改进０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－０．０２－ｙ）ＰｂＺｒＯ３系压电陶瓷的电学性能和力学性能，作者研究了多种常用添加物对０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－ｙ－０．０２）ＰｂＺｒＯ３三元系压电陶瓷性能的作用，探讨了不同烧结温度对材料性能的影响。实验结果表明，Ｓｒ２＋和Ｂａ２＋作为同价取代元素能够提高０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－０．０２－ｙ）ＰｂＺｒＯ３系材料的机电耦合系数（ｋｐ、ｋ３３、ｋｔ）、介电常数和压电系数，降低机械品质因数Ｑｍ；Ｌｉ＋、Ｃｒ３＋、Ｍｎ２＋、Ｎｉ３＋、Ｆｅ３＋等金属离子加入０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－０．０２－ｙ）ＰｂＺｒＯ３会提高材料的机械品质因数，同时也会损害介电、压电性能，降低弹性柔顺系数，体现了硬性添加物的一般特性；退火对０．０２Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３－ｙＰｂＴｉＯ３－（１－０．０２－ｙ）ＰｂＺｒＯ３压电材料性能有促进作用。
1999年06期 3-4+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 141k]
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用sol-gel法在不锈钢基片上制备TiO_2薄膜
刘世军,王培英
介绍利用钛酸丁酯为前驱液，用ｓｏｌ－ｇｅｌ法在不锈钢基片上制备ＴｉＯ２薄膜。研究分析了冰醋酸、乙酰丙酮等添加物对溶胶性能的影响，对制备在不锈钢基片上的ＴｉＯ２薄膜进行ＸＲＤ分析，并检测薄膜的阻－温特性、Ｖ－Ｉ特性、绝缘强度等电学特性。实验显示添加一定比例的Ｈ２Ｏ、冰醋酸、乙酰丙酮，可以得到长时间不胶凝、性能稳定的溶胶，通过适当工艺，能在金属基片上制备出致密、不开裂、电阻率为１０５～１０６ Ω·ｃｍ的ＴｉＯ２薄膜。
1999年06期 5-6+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 129k]
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改善高分子PTC材料可恢复过流保护性能的老化方法
李建清,黄惟一
研究了热老化及老化过程对高分子ＰＴＣ材料电阻值的影响，电老化对耐流、耐压、耐雷击等电性能的影响。结果表明，不同的热老化条件可使高分子ＰＴＣ材料电阻值发生不同程度的变化，电老化可有效改善其电性能。
1999年06期 7-8+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 109k]
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两种造粒方法对陶瓷PTC元件性能的影响
章登宏,周东祥,龚树萍,汪小红,奚玉敏
用喷雾造粒法与手工造粒法制备的粉体在粒径及粒度分布、松装密度、成本诸方面均存在较大差别，制备的ＰＴＣ元件在晶粒大小、气孔率、电性能等方面差别很大。用喷雾造粒法制得的粉体综合参数和ＰＴＣ元件性能均优于手工造粒。
1999年06期 9-10+13-45页 [查看摘要][在线阅读][下载 161k]
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高压铝阳极氧化膜的陷阱浓度与隧穿导电
袁战恒,徐友龙,曹婉真,邵祖发
通过对铝阳极氧化膜Ｉ－Ｖ特性进行导电机理分析，比较不同Ｒ（Ｏ∶Ａｌ）及不同杂质含量氧化膜的Ｉ－Ｖ特性，发现不能形成受主、施主掺杂的杂质离子，对空间电荷限制电流作用没有贡献，而且会降低氧化膜的隧穿起始电压，增加额定工作电压下的漏电流。
1999年06期 11-13+45页 [查看摘要][在线阅读][下载 144k]
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电极布置对电容器铝箔失重和比容均匀性的影响
阎康平,涂铭旌,严季新,王建中,胡广军
研究了ＨＣｌ中５０Ｈｚ交流电侵蚀下，电解槽电极布置对电解电容器用高纯铝箔的侵蚀均匀性的影响。结果表明，随电解槽导电石墨电极浸入深度的增加，侵蚀铝箔的失重和比容趋于不均匀分布。随铝箔电解槽石墨间距增大，侵蚀铝箔的失重和比容趋于均匀分布。直接通电侵蚀铝箔的失重和比容分布均匀性优于铝箔电场通电，在理论上分析了原因。
1999年06期 14-15+45-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 168k]
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彩电用双极性铝电解电容器
周迪山
ＣＤＳ型双极性铝电解电容器具有无极性、低损耗、耐高温、耐高纹波电流等特性。介绍了１０５℃长寿命型及耐纹波电流型的设计原理、关键制造技术。产品性能达到国外同类产品水平。
1999年06期 16-17+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 119k]
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几种常见吸氢剂与吸氢效果
张常山,朱绪飞,宋晔,王梅,刘霖
液体电解质铝电解电容器有气体析出是主要弊端。分析了铝电解电容器中气体的来源，研究铝电解电容器工作电解液常用吸氢剂的吸氢机理，对吸氢效果进行了对比。探讨吸氢剂的最佳含量，指出不同系列的电解液应选用合适的吸氢剂。
1999年06期 18-20+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 130k]
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开关电源用铝电解电容器的失效机理探讨
张勇
研究彩色电视机早返机开关电源用铝电解电容器失效现象及其失效机理，并针对开关电源如何选用铝电解电容器，提出了增加电容器ＣＶ积、增强耐纹波能力等建议措施，以减少铝电解电容器在产品中的早期失效。
1999年06期 21-22+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 104k]
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二氧化钌水洗工艺的改进
李同泉
常用二氧化钌水洗钠离子工艺，用容器沉淀二氧化钌，抽取上部溶液，加水洗。用这种方法，二氧化钌产品收率低，约７５％。用玻沙漏斗抽滤，加入热去离子水洗方法，二氧化钌产品收率高，约９９％，制备出的二氧化钌质量符合要求，降低了生产成本。
1999年06期 23-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 79k]
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热处理可改善厚膜电阻器的电性能
刘仲娥,赵鹏,李栋,李涛,王勇,普敏莉
阐述了热处理改善厚膜电阻器电性能的方法。通过实验确立了适当的热处理工艺参数，使厚膜电阻器的电阻温度系数和短时间过负载得到显著改善。对热处理前后的电阻膜层进行ＳＥＭ形貌分析，探讨了热处理对其电性能影响的机理。
1999年06期 24-26+46页 [查看摘要][在线阅读][下载 139k]
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固态介质薄膜的电击穿场强
曲喜新
对于微电子和光电子元器件及其集成电路来讲，固态介质薄膜是一类重要的基础材料。它们的电击穿场强是一个特殊的特性参数。本文从理论上论述了这类薄膜的电击穿场强，并概述了现在所用的测试方法和多位研究者得出的测试结果。此外，文中还分类提出了这类薄膜内的弱点类型。
1999年06期 27-30+33-46页 [查看摘要][在线阅读][下载 201k]
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半导体陶瓷电容器
李标荣,章士瀛
论述半导体陶瓷电容器的一般工艺、瓷体结构、介电特性及其与一般ＢａＴｉＯ３型陶瓷电容器之差异。着重叙述其与低压直流老化相关的各种敏感问题、其产生原因及其与工艺因素的相互关系
1999年06期 31-33+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 116k]
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大容量低阻抗耐高纹波电流片式固体钽电解电容器的进展
王文生
介绍了大容量、低阻抗、耐高纹波电流的片式固体钽电解电容器的突出特点，列举在便携式移动电话、笔记本电脑，开关电源的ＤＣ／ＤＣ变换器的部分应用实例。这类电容器的应用十分引人关注。
1999年06期 34-36+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 110k]
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铝电解电容器用国产电极箔发展概况
陈平文
论述铝电解电容器用国产电极箔的现状和发展趋势。分析我国电极箔生产厂家在生产规模、工艺技术和产品质量等方面同国外同行间的差距。探讨国产电极箔的发展前景。
1999年06期 37-39+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 129k]
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HP-VEE平台软件DDE和DLL技术的开发应用
刘群兴,陈辉
在ＨＰ－ＶＥＥ平台上对ＤＤＥ（动态数据交换）和ＤＬＬ（动态链接库）技术进行了开发应用，实现了ＨＰ－ＶＥＥ测试平台软件环境下测试应用软件与其他应用软件的动态通信和透明通信，为利用平台软件实现计算机自动测试提供了重要的技术支撑。
1999年06期 40-41+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 74k]
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变频空调用大型铝电解电容器
顾义明,陈卫东,张红卫,丁晓峰
变频空调用铝电解电容器使用条件恶劣，要求高压、耐纹波电流、高可靠性和安全性且引出线特殊。通过合理的产品设计和批量生产中的品质管理，满足了技术要求
1999年06期 42-43+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 71k]
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影响BOPP膜在线厚度测量的因素
束长青
以Ｐｍ１４７测厚仪为例，分析了影响双向拉伸聚丙烯膜在线厚度测量的主要因素，如测厚仪自身的精度、测量头及放射源的传动皮带、薄膜的展平效果、环境条件等，并提出了相应的控制方法。
1999年06期 44-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 62k]
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