电子元件与材料

刊　名：
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主　办：
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊　期：月刊
出版地：成都市
语　种：中文
开　本：大16开
刊　号：
ISSN 1001－2028
CN 51－1241/TN
邮发代号：62—36
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1999年05期目次

PECVD法制备纳米硅薄膜材料
曾祥斌,徐重阳,王长安,墙威,周雪梅,赵伯芳,戴永兵
采用等离子增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备了纳米硅薄膜材料，研究了工艺参数，如衬底温度、衬底直流偏压、反应气体流量比等对薄膜性能的影响。采用椭圆偏振光谱和有效介质近似法分析了薄膜结构
1999年05期 1-2+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 131k]
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厚膜直接描绘工艺
何中伟,周冬莲
直接描绘工艺是一种全新的厚膜成膜工艺技术。对直接描绘工艺与传统丝网漏印工艺的性能进行了比较。介绍了直接描绘的基本工作原理、主要工序及常见故障的排除等
1999年05期 3-6+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 206k]
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有机PTCR材料的辐射改性研究
蒲明辉,王运飞,张永民,王玲
介绍以高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ）为基材，碳黑、二氧化钛（ＴｉＯ２）为导电填料的有机ＰＴＣＲ材料的制备工艺，采用γ－６０Ｃｏ源与电子加速器两种辐射源，对有机ＰＴＣＲ材料进行辐射改性，对两种方法进行了初步的比较与研究
1999年05期 7-8+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 129k]
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共沉淀法制备Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3陶瓷的研究
顾峰,沈悦,王树棠,阮素香
对用化学共沉淀法制备Ｂａ（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３（ＢＭＴ）陶瓷及其烧结特性进行了研究。结果表明其烧结温度比用传统方法降低了１８０～２５０℃。在１４００℃时获得了致密的陶瓷，其体积密度达理论密度的９６％，晶粒排列紧密，介电特性：Ｑ×ｆ＝６５０００ＧＨｚ，εｒ＝２３～２５，在ｆ＝１０ＧＨｚ，ｔ＝－２０～＋６０℃时τｆ＝（０～３）×１０－６℃－１。
1999年05期 9-10+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 129k]
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通讯设备保护用低阻PTC元件的研制
马新强,王红玲
介绍了通讯设备过流保护用低阻ＰＴＣ元件的研究过程，发现ＴｉＯ２粒度、工艺参数、金属电极以及封装形式对低阻ＰＴＣ元件的电性能有较大影响。通过对以上因素进行综合优化调整，妥善解决了低阻系列ＰＴＣ产品的细晶化与低阻值之间的矛盾，制得了满足厂家要求的ＰＴＣ产品。
1999年05期 11-12+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 119k]
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PLZT陶瓷的晶界现象
祝炳和,赵梅瑜,姚尧,郑鑫森,敖海宽,殷之文
利用显微技术，研究了ＰＬＺＴ陶瓷的显微结构及它在外电场作用下的行为。制备粗晶粒及单个晶粒厚的抛光薄片，利用十字形电极，观察在电场作用下，电畴运动的动态过程。讨论所观察到的一些晶界有关现象，如：晶界平滑区，晶界区的电光性， “壳－芯”结构，析出物在晶界区的沉积，电畴在该区的成核和生长，空间电荷在该区的积累等等。认为存在高应变能的晶界区，对上述现象起重要作用
1999年05期 13-17+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 351k]
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碳酸钙对BaTiO_3系PTC热敏电阻电性能的影响
朱盈权,侍刚,何海清,祝炳和
研究了碳酸钙对ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣ热敏电阻电性能的影响。结果表明，随着钙加入量的增加，ＢａＴｉＯ３的低温相变点，移向更低的温度；促进烧成时芯片的致密化；使ＢａＴｉＯ３晶粒尺寸几乎呈线性下降；使晶粒、晶界电阻下降； α、Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ无大的变化， ρ２５增大，Ｖｂ提高。碳酸钙的理化指标，对ＰＴＣ热敏电阻电性能也有很大影响，据此推荐了ＢａＴｉＯ３系ＰＴＣ热敏电阻用ＣａＣＯ３的技术标准
1999年05期 18-20+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 172k]
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新版ISO 9000族标准2000年年底颁布实施
1999年05期 20页 [查看摘要][在线阅读][下载 32k]
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老练条件的变化对铝电解电容器质量的影响
陈平文
铝电解电容器的老练直接影响产品的质量。老练条件的变化对铝电解电容器的电容量、漏电流有一定的影响。在额定老练电压、＋９０℃５ｈ条件下老练，能更好地改善产品质量，提高产品合格率。采用脉冲老练可以缩短老练时间，但漏电流回升速度快
1999年05期 21-22+24-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 149k]
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AlN基片的薄膜金属化
高能武,陆吟泉,秦跃利,吴云海
讨论了ＡｌＮ基片的薄膜金属化。通过试验，确定了有效的清洗方法及优化溅射参数。实验证明，ＴｉＷ－Ａｕ是ＡｌＮ的优良金属化体系。ＡｌＮ材料经激光划片后出现导电物质，经稀盐酸处理可去掉导电物质
1999年05期 23-24+47页 [查看摘要][在线阅读][下载 121k]
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电解电容器快速老练工艺的研究
张飞翔,王津,朱绪飞,刘霖
分析传统老练工艺的缺点，指出老练的目的是恢复电解电容器固有的电性能。研究老练温度、老练时间对产品电性能的影响。提出了快速老练新工艺，老练时间只有３ｈ。采用优质的电解液是快速老练的前提
1999年05期 25-27+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 146k]
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低压化成箔的国产化
陈铭涛
目前大部分铝电解电容器生产厂家的铝箔需要进口，尤其是低压高比容的化成箔，影响电容器的生产成本。近年来，浙江横店化成箔厂在低压化成箔生产技术方面取得较大突破，２５Ｖ及３５Ｖ化成箔经样品认定、小批量试用及大批量使用表明：２５Ｖ及３５Ｖ １３ｍｍ以上产品的化成箔可实现国产化
1999年05期 28-29+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 132k]
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永久型数字式电位器X9313及其应用
陈勇,王玉梅
永久型数字式电位器Ｘ９３１３系列，其内部包含有控制电路，５位二进制可逆计数器，３２选１译码器，５位Ｅ２ＰＲＯＭ以及电阻阵列，它即可用单片机控制，也可应用于非单片机控制锁相环中心频率电路中。
1999年05期 30-31+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 120k]
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氮化铝陶瓷直接覆铜技术
黄岸兵,崔嵩,张浩
研制出一种直接覆铜ＡｌＮ基板。先将ＡｌＮ陶瓷基板作表面氧化处理，然后在１０６３～１０７０℃下，氮气氛中煅烧，使铜箔直接焊敷在ＡｌＮ基板上。铜箔的剥离强度可达到８５３．２Ｐａ，厚度为０．１～０．５ｍｍ，最大基板面积可达５０ｍｍ ×５０ｍｍ
1999年05期 32-34+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 135k]
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X波段五位移相器和小功率开关HMIC的研制
薛羽
介绍了一种用混合微波组装工艺制造的Ｘ波段ＰＩＮ二极管五位数字移相器和小功率开关ＨＭＩＣ的电路设计和制造工艺，并分析了制造工艺对移相器的影响，提出了控制这种影响的方法。用这种控制方法制造的该Ｘ波段ＰＩＮ二极管五位数字移相器和小功率开关ＨＭＩＣ：体积小、可靠性高
1999年05期 33-34页 [查看摘要][在线阅读][下载 65k]
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镍内电极铌镁酸铅基MLC研制
李玲霞,郜昕,张志萍,董向红
1999年05期 35页 [查看摘要][在线阅读][下载 26k]
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国内正在崛起的新型电池
高宗铭
我国电池产量居世界首位，但其中产量的９０％以上为低档次电池。近１０多年来，我国新型电池的生产引人注目。其中有碱性锌锰电池、锂一次电池及小型可充电镉镍电池、氢镍电池和锂离子电池。介绍了国内正在崛起的几种新型电池。
1999年05期 36-37+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 119k]
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通信系统中“电触点”对信号传输的影响
孙百生,章继高,程履帮,林雪燕
通信系统中电触点不良会造成对信号传输的影响。根据电接触理论结合高频传输的特点，建立了电触点的物理模型，研究发现当接触电阻大于传输线特性阻抗的两倍时，接收端得到的信号幅度将减小一半以上（Ａ＜１／４），从而将产生误码，因而应尽可能减小接触阻抗
1999年05期 38-39+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 117k]
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基于压阻效应的厚膜力敏材料及传感器
马以武,宋箭,常慧敏
介绍了厚膜电阻的压阻效应、厚膜力敏材料及传感器。描述了厚膜力敏材料及传感器的现状，着重阐述了厚膜压力传感器和力传感器的结构和工艺特点，并讨论了提高其性能的途径及其发展趋势。
1999年05期 40-42+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 159k]
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用导电聚合物电极的超电容器研究概况
张光敏,阎康平,严季新
导电聚合物制备电极的超电容器（Ｓｕｐｅｒｃａｐａｃｉｔｏｒｓ）有两种类型：导电聚合物直接制备电极和导电聚合物高温热解为硬碳（Ｈａｒｄｃａｒｂｏｎ）制备电极的电容器。导电聚合物超电容器基于法拉第准电容（Ｆａｒａｄａｉｃｐｓｅｕ－ｄｏｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）原理，进出正极的是阴离子，进出负极的是阳离子。该电容器结构中一个电极是ｎ型掺杂，另一个是ｐ型掺杂。聚合物超电容器的能量密度比活性碳作电极的双电层电容器大２～３倍，作为电容性储能装置应用前景诱人
1999年05期 43-45+48页 [查看摘要][在线阅读][下载 155k]
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机电一体化产品新技术
陈德宏
1999年05期 46页 [查看摘要][在线阅读][下载 18k]
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