刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 高场强下铝阳极氧化膜中相关元素的分布及其介电性能

    袁战恒,孙海君,徐友龙,曹婉真

    利用俄歇电子能谱仪(AES)分析了高场强下不同条件形成的阳极氧化膜中相关元素的分布,分析表明膜中不同程度存在B、C、P等相关元素。测试其相应的介电性能,表明氧铝比R(O∶Al)接近于1.5时其介电性能较好。

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  • SnO_2陶瓷材料的制备及其气敏特性

    徐甲强,侯振雨,秦建华,袁园

    研究了Sn粒的硝酸氧化法、SnCl2溶液化学沉淀法、SnCl2与SnCl4混合盐沉淀法及Na2SnO3溶液化学沉淀法等合成纳米SnO2气敏材料的工艺条件、产率、结构和气敏性能及Au、Ag、Pd、Pt等贵金属对不同工艺SnO2的气体灵敏度和气敏选择性的影响。实验结果表明,制备工艺,颗粒尺寸,掺杂元素和工作温度等对SnO2的气敏特性有影响。

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  • 安全膜电容器膜结构分析

    胡仲霞,王可

    用数值计算方法分析在不同膜结构的情况下电容器内部的电场分布。证明在保证电容器容量的前提下,采用菱形导体膜结构可以获得较为均匀的电场分布,从而有利于提高电容器的耐压。

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  • 宽温大纹波长寿命高压铝电解电容器

    赵强,迟建国,谢超

    采用均匀设计法与正交试验法相结合,对电解液制备工艺及产品性能进行多次优化试验,在基本采用国产原材料条件下研制出宽温、大纹波、高压铝电解电容器,高温寿命达到105℃1000h,上机失效率在10×10-6以下。对产品大批量生产的质量控制也进行了探讨。

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  • 电子元器件面向数字化的发展

    迟建国,赵强,谢超

    21世纪电子工业将全面进入数字化时代,信息家电将成为电子产业发展的主要推进力量。这给电子元器件行业的发展带来了前所未有的大好机遇。本文分析了90年代的数字化电子产品的发展及对元器件的选用,探讨了数字化对元器件的基本要求。国内元器件企业应加快横向联合,加快面向信息家电产品、面向数字化发展的技术开发。

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  • 聚吡咯固体电解电容器

    季锐,徐友龙

    分析了聚吡咯(PPY)固体电解电容器的性能特点,诸如:等效串联电阻、损耗角正切、电容量和阻抗频率特性、温度特性、纹波特性以及“自愈”特性等。讨论了PPY固体电解电容器研制开发过程中应注意的工序。合理的制造工艺,可使PPY固体电解电容器接近理想电容器的性能。

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  • 热应力对化学镀镍电极PTCR元件耐电流冲击的影响

    周东祥,张道礼,龚树萍

    化学镀镍电极是PTCR元件一种良好的欧姆电极,但其对PTCR元件耐工频电流冲击性能有一定的影响。实验结果表明,这和电极与瓷体之间的热应力大小及类型有关,当应力表现为张应力时,在工频电流冲击下元件发生碎裂;压应力时发生层裂。通过调节镀层中磷含量和化学镀液的pH值可以制得耐工频电流冲击性能良好的PTCR元件。

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  • MLCC之绝缘低压失效机理

    李标荣,陈万平

    在长期低压直流电场作用下,含钛陶瓷MLCC之绝缘电阻会逐渐变小,介质损耗增加,直到超出容许极限而失效。通过微观导电机理分析,探明这主要是钛-氧八面体中氧缺位之迁移、空间电荷积累以及潮湿环境作用所致。

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  • 气敏器件用SnO_2薄膜材料

    张志勇,王雪文,周水仙,曹子祥

    采用溶胶-凝胶法以SnCl2·H2O和ZrOCl2·8H2O为原料,制备出性能优良的纳米SnO2薄膜材料。用X射线衍射仪分析了晶相,TEM分析了微观结构。研究了掺杂、处理温度等对其性能的影响。在此基础上制作了SnO2薄膜气敏器件,并检测了其气敏特性。

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  • 低压ZnO压敏陶瓷冲击老化特性

    章天金,周东祥,龚树萍

    研究了低压ZnO压敏陶瓷元件的老化性能,分析了ZnO压敏陶瓷的冲击老化机理,探讨了改进ZnO压敏陶瓷元件抗老化能力的途径与措施。实验结果表明:低压ZnO压敏陶瓷在大电流冲击作用下,伏安特性的蜕变具有极性效应,冲击电流密度越大,冲击次数越多,冲击间隔愈短,伏安特性的蜕变愈严重。实验发现添加剂预烧及适量Si、B氧化物掺杂可以较好地改善样品的抗老化性能

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  • 氧化锌避雷器阀片

    鲍占省,张新,范坤泰

    研究了掺杂及工艺对ZnO阀片电性能的影响。结果表明:适量加入TiO2可以降低残压比,改善通流能力;适量加入SiO2可以降低漏电流及冲击后的电压变化率;样品经缓慢升温处理后,可以降低漏电流,提高寿命和可靠性。

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  • 日本石英晶体器件发展现状

    潘遵五

    日本是全球石英晶体器件研究、开发生产大国之一。据日本石英晶体器件生产企业的最大组织——日本石英晶体工业会(QIAJ)统计,1997年日本石英晶体器件总产量仅为35.9亿只,由于产品价格下降,其产值仅为1918亿日元,低于历史上的最高生产水平。日本石英...

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  • 电容器的电压降额与频率的关系

    王全

    有机薄膜直流电容器用于交流及中低频脉动电路时,使用电压应当随着频率的增加而降低,电压的降额比依转折频率fBO和电压波形而定,在实际工作中可根据电容器的具体规格进行计算,为选用电容器产品及提高产品性能提供参考。

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  • 一类字符型LCD模块的自定义字符使用

    张绍德,倪东

    LCD模块的显示内容是由用户决定的,对字符型而言,有些显示内容可以直接从内部CGROM中调用,而有些CGROM中没有的专用字符或符号,则只能由用户自定义。本文基于一个应用实例,说明在LSIKS0070B的CGRAM中自定义专用字符的方法。1实现LH2...

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  • 表面组装工艺控制

    王劲松

    随着组装密度的不断提高,元器件间距和元器件与基板间隙越来越小,一个集成电路中包含的单元电路或元件的数量大大增加,并且内部互连导体的布线密度增大且变得错综复杂。在生产过程中,如果工艺控制不严格,将会出现各种线路缺陷,从而影响电路性能。1电路设计表面组装...

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  • 阴极析氢对铝箔交流腐蚀特性的影响

    肖占文,杨邦朝,王豪才,陈银富,袁德明

    研究了电容器铝箔在c(HCl)为2mol/L溶液中交流腐蚀时,阴极半周的析氢过程对铝的电化学行为和表面形貌的影响。铝的阳极点蚀与阴极半周有无氢气析出和析氢速度有关。实验结果表明,在交流腐蚀过程中阴极析氢对铝的阳极点蚀表现出促进和抑制的双重作用。

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  • QM-Y6型燃气敏传感器的可靠性

    王毓德,周祯来,吴兴惠

    通过QM-Y6型燃气敏旁热式气体传感器的工作寿命试验和试验数据的处理,获得了该型传感器的寿命分布和分布参数以及可靠性水平,为评价和提高该气敏传感器的可靠性水平提供了依据。

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  • ZnO-V_2O_5系压敏电阻器的掺杂改性

    付明,周东祥,龚树萍

    用掺B2O3和K+的方法改善ZnO-V2O5多元系压敏电阻器的性能。实验结果表明B2O3能起到液相促烧作用,同时也会影响材料的电性能。掺适量的K+能改善漏电流、非线性系数等电性能。

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  • 压电陶瓷相体积分数对1-3型压电复合材料性能的影响

    李邓化,张良莹,姚熹

    研究了1-3型压电复合材料的静水压压电性能、声学性能及机电性能与压电陶瓷相体积分数φ之间的关系。PZT棒作为压电相,截面为正方形;环氧树脂作为衬底材料。静水压压电常数(dh和gh)、静水压灵敏值dh·gh、机电耦合系数kt、机械品质因数Qm值等都与压电陶瓷相的体积分数有关。

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  • 添加Sn-Ag对Sn-Bi焊接特性的改善

    汤清华,潘晓光

    研究了x42Sn58Bi-(1-x)96.5Sn3.5Ag系中不同组成的焊料。研究表明在42Sn58Bi(简称SB)焊料中添加适量的96.5Sn3.5Ag(简称SA),能改善焊点的焊接温度。通过对焊点切向拉力的测试分析,发现适量的SA能提高焊点的强度,并在高低温分别为+125℃和-40℃下进行热冲击1000次后,其强度减小程度远小于纯的SB焊料焊点。表明其焊点的机械及疲劳性能都得到了提高。通过透射X射线及扫描电子显微镜(SEM)分析,发现Sn-Ag的添加可以减少焊点中孔洞的出现。

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  • 片式多层元件新技术概论

    向勇,谢道华

    根据多层瓷介电容器的结构特征,全面概括了“独石”结构广泛应用于片式元件设计与制造的新趋势,重点论述了多层压敏电阻器,多层热敏电阻器,多层电感元件,多层复合元件等片式无源元件,引入独石结构较传统结构在性能上的显著改进和技术上的重大突破,总结了片式多层元件技术与应用的新进展。

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  • 本征导电高分子材料的进展

    张光敏,阎康平

    综述了本征导电高分子材料聚吡咯、聚噻吩、聚对苯、聚苯胺、聚苯乙炔以及非线性聚苯等共轭导电聚合物的制备方法,导电共轭聚合物的特点,介绍了研究重点及发展方向。导电高分子材料有特殊的电、光、磁性能,加之优越的柔韧性和材料可加工性,作为电子材料应用十分广泛

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