电子元件与材料

刊　名：
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主　办：
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊　期：月刊
出版地：成都市
语　种：中文
开　本：大16开
刊　号：
ISSN 1001－2028
CN 51－1241/TN
邮发代号：62—36
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1999年03期目次

低压低等效串联电阻铝电解电容器
谭帼英,王在安,曹婉真
用于微电脑电源电路中的低压铝电解电容器，其等效串联电阻ｒ不良是导致电源纹波电压大的主要原因。以１０Ｖ２２００μＦ及１６Ｖ１０００μＦ产品为例设计，设计的任务是在满足小体积下如何降低ｒ，研制达到预期效果，性能接近ＥＬＮＡ公司ＲＥ３系列电容器
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开关电源105℃高纹波系列铝电解电容器
张飞翔,王津,朱绪飞,刘霖
为适应开关电源滤波用铝电解电容器低阻抗、耐高温、耐高频脉动电流冲击的要求，从材料、工艺等入手解决耐高频纹波电流、高可靠性和长寿命问题，研制出４００Ｖ１０５℃小型化、耐高纹波电流的长寿命铝电解电容器系列，列出了耐久性试验数据。
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液相掺杂法可提高ZnO压敏电阻器的性能
王守国,刘克源,霍建华,郭亚平
用液相掺杂法制备的粉体制成了ＺｎＯ压敏电阻器。ＳＥＭ测试分析及密度测试结果证明，瓷片的微观结构得以改善，从而提高了ＺｎＯ压敏电阻器的性能，其中非线性系数达到６７，通流能力为传统法制作的ＺｎＯ压敏电阻器的２倍。
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铁氧体多层结构电波吸收体的研究
娄明连,阚涛
用三种不同磁导率μｉ的铁氧体基复合电波吸收材料制成双层结构电波吸收体，在７～１２ＧＨｚ频段吸收量Ａ与频率ｆ关系曲线与单层基本相似，存在两个吸收峰，但第二峰移向高频，Ａ由２０ｄＢ增至３７ｄＢ；在吸收介质与反射板之间以及在两个介质层之间涂以介电型介质膜，使第一吸收峰移向高频，Ａ分别增至２９ｄＢ和２７ｄＢ。对其作用机理进行了探讨。
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含La或Sm的BaNd_(2-y)R_yTi_(4+x)O_(12+2x)瓷的结构与性能
江涛,郭育源,王军,邹琼
ＢａＯ－Ｎｄ２Ｏ３－ＴｉＯ２系富钛区含Ｌａ或Ｓｍ的陶瓷，ＸＲＤ、ＳＥＭ显微结构分析表明，其主晶相为Ｒ（Ｒ＝Ｌａ或Ｓｍ）取代Ｎｄ固溶体ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４和ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ４Ｏ１２，均属斜方晶系，并存在少量的次晶相Ｒ２Ｔｉ２Ｏ７、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０等。富钛区ＢａＮｄ２Ｔｉ４＋ｘＯ１２＋２ｘ（ｘ＝０～１．４００）组分和含Ｌａ或Ｓｍ的ＢａＮｄ２－ｙＲｙＴｉ５Ｏ１４组分所组成的瓷料，介质损耗显著地降低，介电常数和电容温度系数遵从李赫涅德凯对数混合定律。
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镁掺杂对ZnO-Al_2O_3系陶瓷性能的影响
纪士东,卢都友
运用回归数学分析并结合ＳＥＭ观测结果，对影响ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３系陶瓷电阻及阻－温特性的线性化机制进行了探讨。研究表明，Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ的掺杂及烧成工艺均对材料的电阻率和电阻温度系数有较为明显的影响，镁掺杂对材料的电子激活能有较大的影响，当材料的电子激活能值较低时，通过回归处理发现其阻－温特性具有较好的线性，符合麦克劳林公式。
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厚度切变模式高频谐振器用压电陶瓷
张火荣,万学华,杨嘉立,徐圣洲,刘炯
研究了Ｐｂ（ＺｒｘＴｉｙ）Ｏ３＋ＤＭｎＯ２＋ＥＣｅＯ２二元系压电陶瓷材料，以质量分数ｗ为５％～１０％的碱土金属元素Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ氧化物加入配方中，形成二价正离子，取代铅，再以适量的ＭｎＯ２，ＣｅＯ２氧化物作为添加物加入配方中，选择了合适的工艺，获得了性能优良的压电陶瓷材料，该材料已成功地用于制造１．５～６．０ＭＨｚ厚度切变模式高频谐振器。
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夹层压电复合材料的研究
朱嘉林
使用碳黑／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）导电复合材料与０－３型ＰＺＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）压电复合材料进行二次结构复合，形成夹层压电复合材料，对其压电性能进行了分析测试。研究结果表明，夹层压电复合材料的压电系数（ｄ３３、ｄ３１）比原单层０－３型ＰＺＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）压电复合材料有明显提高。此外，从理论上分析说明了其压电系数提高的原因在于夹层压电复合材料受到外部应力作用时，产生了内部应力。
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用于新型荧光字符平板显示器的银浆料
陈一,王小云,陈援
针对新型荧光字符平板显示器件的工艺特点，研制出了能满足其工艺要求的电极银浆料。该浆料的最佳峰值烧成温度为５５０～５８０℃，玻璃相含量５．５％～６．５％（质量分数）。用它制作的电极具有阻值低、附着力强、分辨率高等优点，可替代进口的同类浆料。
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LTCC基板抗折强度的研究
章瑜
抗折强度是反映低烧基板性能的一个非常重要的技术指标。通过试验找出了粉料粒度及配方、热压工艺条件、烧成曲线等与抗折强度的关系，并分析了其机理。试验得到的最佳工艺参数为：粉料粒度ｄ＝１．０～１．５μｍ；ＳｉＯ２／玻璃＝４５／５５；热压条件：Ｐ＝２０ＭＰａ，θ＝１１０℃，ｔ＝４０ｍｉｎ；烧成条件：θｐ＝８５０～９００℃，升温速度＝２．５℃／ｍｉｎ，ｔｋ＝３０ｍｉｎ。采用该工艺可将抗折强度提高到１５３Ｎ／ｍｍ２。
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高稳定性数控恒流器件
盛法生,范雅俊,吕品桢
介绍一种数控恒流器件。它具有Ｄ／Ａ转换功能，采用模块结构，最大输出电流ＩＯ可达２Ａ。样管的ＩＯ变化范围０～２Ａ；电流温度系数为（０．１～２．０）×１０－５℃－１；电流稳定度为（０．１～１．０）×１０－４Ｖ－１；起始电压低于０．５Ｖ；体积小、功率损耗低。
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Mn(NO_3)_2掺杂BaTiO_3半导体材料特性
何恩广,陈维,陈寿田
研究了用ＭｎＣＯ３粉末和Ｍｎ（ＮＯ３）２溶液两种掺杂方式引入受主Ｍｎ的ＢａＴｉＯ３半导体材料的宏观性能和显微结构。指出用Ｍｎ（ＮＯ３）２溶液二次掺杂能使Ｍｎ更均匀有效地富集在晶界，可提高材料的升阻比、温度系数和耐压强度，且对性能参数作用效率高，影响敏感，并有利于制取低阻的ＰＴＣＲ陶瓷材料。
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PTCR陶瓷化学沉积镍电极的工艺及结构
张道礼,东振中,龚树萍,周东祥
用化学沉积法在ＰＴＣＲ陶瓷上制作镍电极可形成良好的欧姆接触，且成本较低。通过实验，优选出了合适的镀液成分、浓度及施镀条件。用扫描电镜分析了镍层的结构和成分，探讨了镀层的生长机理，并描述了核生长机理的模型。
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MIM与MIS隧道发光结发光机制的讨论
王茂祥,孙承休,俞建华,高中林
ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａｌ）与ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）隧道发光结为新型全固态薄膜发光器件，在对基本结构简单介绍后，结合发光光谱，着重对ＭＩＭ与ＭＩＳ结发光所涉及的几种发光机制进行了分析讨论。
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侵蚀电流对中高压电容器铝箔孔密度和电容量的影响
阎康平,涂铭旌,严季新,胡广军,王建中
研究了盐酸与硫酸的混酸中直流电侵蚀下，电流密度对电解电容器用高纯铝箔的腐蚀行为的影响。结果表明：铝箔侵蚀电流密度可以决定蚀孔的尺寸和孔密度，改变电流密度，可以使铝箔获得不同的起始发孔密度和电容量。大电流侵蚀形成孔径小但孔密度较大的铝箔蚀孔；小电流侵蚀形成孔径较大但孔密度较小的铝箔蚀孔；同一种铝箔的发孔密度随电流密度的增大而增加。
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钛酸钡铅系半导瓷元件化学镀镍过程中之电性能变化机理
李标荣,陈万平
化学镀镍过程对ＰＴＣＲ及ＭＬＣＣ等元件的电性能，往往会产生负面效应，其中氢离子引起的还原作用不可忽视，其主要机理是增加了载流子浓度和改变了晶粒边界势垒。
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小型化混合微波集成电路制造技术
严伟
介绍了小型化混合微波集成电路（ＭＨＭＩＣ）的制造工艺，列举了研制的几种典型的小型化混合微波集成电路（ＭＨＭＩＣ）。与传统的混合微波集成电路（ＨＭＩＣ）相比，ＭＨＭＩＣ具有体积小、重量轻、组装密度高、可靠性高、设计和调试灵活方便等显著优点。
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低成本多芯片组件
杨邦朝,张经国
低成本多芯片组件同样具有高性能，是推进ＭＣＭ向工业和民用电子产品应用的重要技术基础。分析了影响ＭＣＭ成本的因素，介绍了国外低成本多芯片组件的现状及应用。
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PTCR材料生产智能管理系统
龚树萍,翁广安,姜胜林,周东祥
ＰＴＣＲ材料生产智能管理系统由常规生产管理模块和工艺过程智能控制模块组成。讨论了实现智能控制的方法，包括知识表示方法、数据库的设计、知识的获取、常温电阻及居里点的控制、最佳烧成工艺的选择等。
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