电子元件与材料

刊　名：
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主　办：
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊　期：月刊
出版地：成都市
语　种：中文
开　本：大16开
刊　号：
ISSN 1001－2028
CN 51－1241/TN
邮发代号：62—36
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1999年02期目次

铝阳极箔化成技术
胡广军,葛美英
介绍了铝阳极箔的化成方法及其发展动态，对化成工艺和设备作了简单的分析。认为：用非水体系如γ丁内酯化成液，代替水体系化成液，用铝箔导电与溶液导电组合供电化成来代替单一供电化成法，都会取得降低化成耗电量、降低化成箔漏电流、提高化成箔比容及提高化成效率等效果。
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CAD技术在有机薄膜电容器中的应用
孙承永,杜磊,李明
建立了有机薄膜电容器结构设计和热计算的数学模型。编制的金属化有机薄膜电容器的ＣＡＤ软件，对ＣＢＢ６１型聚丙烯薄膜电容器的结构设计和热计算应用表明是实用的。对其他有机材料及结构的电容器的应用正探索中。
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材料的纯度对铝电解电容器耐久性的影响
刘宗才,张常山,朱绪飞,宋晔
为满足整机对铝电解电容器提出的１０５℃２０００ｈ及１０５℃５０００ｈ高可靠性要求，从溶质纯度、吸氢剂纯度以及电容器材料含水量等方面进行实验，研究了其对电容器耐久性的影响。实验结果表明，所用原材料的纯度及含水量均是影响铝电解电容器耐久性的重要因素。指出提高原材料纯度并进行耐久性考核，严格电容器芯子干燥工艺，尽快拟定１０５℃系列产品的国家标准的必要性。
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钽电容器的应用现状和展望
夏耀勤,王敬生
综述了国内外钽电容器的研制、生产、应用状况。对技术发展及市场进行了预测。电子设备的小型化、集成化对钽电容器的需求猛增。１９９７年世界钽电容器发货量达１５８亿只。预计到２０００年将达２５０亿只。
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中小规格漆包线技术发展与市场
杨旭
原电子工业部牵头以部内企业为主力，对彩电国产化配套用漆包线的技术攻关及技术引进，经过５年左右的努力取得了中小规模漆包线在品种、产量、技术和管理等方面的重大突破，顺利实现家电配套材料的国产化。对我国漆包线行业品种和技术（包括装备、制造技术）的发展起到了...
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第十二届电子元件百强排序揭晓
陆锁链,古群,尹鸿
中国电子元件行业协会信息中心，于１９９９年初对元件行业主要生产企业１９９８年的经济运行状况进行了调查，截至１９９９年３月８日，共有１６３家（１９９７年销售收入５０００万元以上的）企业报来了１９９８年度经济运行动态调查资料。这为及时了解电子元件行业经济...
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液相法制备ZnO压敏电阻器粉料
李瑞霞,王士良
用液相法制得ＺｎＯ压敏电阻器粉料。与用传统粉料制备的ＺｎＯ压敏电阻器相比，用该粉料制成的ＺｎＯ压敏电阻器的一致性更好、耐电流冲击能力更强、压敏场强更高。
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扫描电镜在微细加工技术中的应用
阮世池
微细加工技术是指制造微小尺寸零件的加工技术，它所涉及的是微米（μｍ）级的加工，现已发展到亚微米（１μｍ以下）和纳米（１ｎｍ）尺寸的加工技术。目前已成为大规模集成电路和微细图案形成必不可少的加工手段。例加在微米、亚微米大规模集成电路（ＶＬＳＩ）中，芯片...
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(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制
詹益增,吴世俊
研究了原材料、液相添加剂ＢＮ对Ｙ３＋掺杂的（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明，添加剂ＢＮ能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ２５和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度ＴＣ≈２１０℃、ρ２５≤５．０×１０３Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１３％℃－１、电阻率ρ突变比ρｍａｘ／ρｍｉｎ＞５．０×１０３的Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷材料。
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辐射交联对高分子聚合物PTCR热敏电阻器电性能的影响
李建清,黄惟一
辐射交联对用于过流保护的高分子聚合物ＰＴＣＲ热敏电阻器之电性能有较大的影响。实验证明：辐照强度有一个最佳范围，正确选择辐照强度可提高高分子聚合物ＰＴＣＲ热敏电阻器的升阻比，改善动作特性及耐压、耐电流等电性能。
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三维多芯片组件
张经国,杨邦朝
三维多芯片组件系统集成技术具有组装密度、组装效率及性能更高，系统功能更多等优点，是实现电子装备系统集成的有效途径及关键技术。介绍了３ＤＭＣＭ主要结构（埋置型、有源基板型及叠层型）的特点，并对一些应用实例作了说明。
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气流式惯性器件——压电射流速率陀螺与气体摆式加速度传感器
张福学
简述气流式惯性器件的国内外现状，压电射流速率陀螺与气体摆式线性加速度传感器的原理、结构、性能和用途。文中提出该惯性器件的关键技术及实用化的技术途径。
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底电极对PYZT铁电薄膜电容器的影响
曾亦可,刘梅冬,饶韫华
ＰＹＺＴ铁电薄膜电容器的制备采用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法，将约５００ｎｍ厚的ＰＹＺＴ薄膜沉积在Ｐｔ／Ｔｉ、Ｐｔ／ＳｉＯ２及Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上，基片为Ｓｉ（１１１）。详细分析研究了ＰＹＺＴ薄膜在不同底电极，不同快速热处理温度下的晶相结构及ＰＹＺＴ铁电薄膜电容器的小信号特性。研究发现，沉积在Ｐｔ／ＲｕＯ２底电极上的ＰＹＺＴ薄膜经８００℃快速热处理具有较接近理想外延ＰＹＺＴ薄膜结构，而且εｒ随着快速热处理温度升高而减小，在８００℃快速热处理条件下其εｒ约为１５０。
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水热法合成PLZT粉末的研究
孙彤,孙平,吴冲若
采用水热法合成了ＰＬＺＴ（８／６５／３５）粉末。研究了反应温度、反应时间以及矿化剂浓度等不同工艺条件对生成纯钙钛矿相ＰＬＺＴ粉末的影响。晶化过程研究结果表明，在一定的工艺条件下可以合成出纯钙钛矿相的ＰＬＺＴ粉末。在生成ＰＬＺＴ（８／６５／３５）晶相的同时，伴有其他钙钛矿杂相生成。随着反应时间增加，杂相消融，粉体逐步转化为单一的ＰＬＺＴ（８／６５／３５）相。增加矿化剂浓度可以加速转化。
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电容器铝箔交流腐蚀过程中腐蚀膜形成条件分析
肖占文,杨邦朝
交流电解腐蚀扩面技术是低压铝电解电容器小型化的关键。分析了电极铝箔在盐酸溶液中交流负半周液相传质过程及交流电频率对电极表面几何结构的影响，结果表明，如果本体盐酸浓度ｃ０，外加阴极电流密度ｉａｐｐｌ和交流电的频率ｆ满足：｛ｃ０｝ｍｏｌ·Ｌ－１／｛ｉａｐｐｌ｝Ａ·ｃｍ－２≤５８７｛ｆ｝Ｈｚ·（｛ｆ｝Ｈｚ＋１０．４）－２，则Ａｌ３＋就可能沉淀形成腐蚀膜。控制盐酸浓度，阴极电流密度和交流电频率可改善腐蚀膜品质。
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电子镇流器用低损耗铝电解电容器
朱绪飞,宋晔,张飞翔
根据电子镇流器对铝电解电容器性能的要求，开发了高电导率、低漏电流的电解液。研制出ｔｇδ为常规品一半的铝电解电容器。在带负载的耐久性试验中通过了１０００ｈ，１００℃考核。从容量变化率考虑，低损耗铝电解电容器适用于电子镇流器线路。
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电镀前工艺对MLCC电镀后质量的影响
王志纯,王晓莉,姚熹
在相同电镀条件下，对不同银端浆、不同材料体系的ＭＬＣＣ进行电镀，实验结果表明，它们的镀后合格率不一样。总的来讲，１类瓷的镀后合格率要高于２类瓷的合格率，高温烧结的ＭＬＣＣ的镀后合格率要高于低温烧结的ＭＬＣＣ。端电极银底层的质量对于镀后ＭＬＣＣ的产品合格率有很大的影响，用扫描电镜观察发现如果银底层不致密或有针孔，将导致镀后ＭＬＣＣ的损耗超出合格标准。
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智能功率模块在VVVF变频器中的应用
苗晓燕,王小椿
智能功率块内装驱动和保护电路，使产品设计更方便。ＶＶＶＦ变频器是一典型的应用实例。选用智能功率块时，要根据智能功率块过流动作电流来确定其峰值电流。在设计外围电路时，应设计相应的缓冲吸收电路，并根据需要设计规定的独立控制电源。
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PTCR热敏电阻器电极浆料烧成工艺
胡俊宝,姚亚梅
对ＳＤ１１４０型欧姆银浆、ＳＤ１１４１型表层银浆、ＳＤ１１４２型铝电极浆料进行了工艺实验，确定了烧成工艺的最佳参数，如：烧成膜厚、升温时间、保温时间、烧成温度。
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多层片式瓷介电容器标准中几个问题的讨论
张昌仁
对制定、修定多层片式瓷介电容器有关标准过程中和使用过程中发现的一些问题，诸如：片式元件的尺寸、性能参数和性能试验等１０个问题进行讨论。
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