电子元件与材料

刊　名：
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主　办：
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊　期：月刊
出版地：成都市
语　种：中文
开　本：大16开
刊　号：
ISSN 1001－2028
CN 51－1241/TN
邮发代号：62—36
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1998年06期目次

电子陶瓷用高纯碳酸锶制备方法
刘恒,周大利,李大成,陈朝珍
对湿化学法合成高纯碳酸锶的几种制备方法（氯化锶法、硝酸锶法和氢氧化锶法）进行了研究，分析了制备条件对产品化学纯度、粒度及粒子形貌的影响，结果表明采用氢氧化锶精制碳化法可以制取化学纯度高、粒度分布窄、近似球形的高纯碳酸锶微粉。
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有机添加剂对己二酸铵/乙二醇加水体系工作电解液性能的改善
李金龙,孙伟利,许恒生,王丽莉
在传统磷酸盐添加剂工艺的基础上，采用聚乙烯吡咯烷酮等有机添加剂改善工作电解液的高温稳定性，提高闪火电压。通过电解液组分的优化，降低电阻率，使传统的己二酸铵／乙二醇加水体系的适用范围从－２５～＋８５℃拓宽到＋１０５℃，工作电压从４～１００Ｖ拓宽到２５０Ｖ。由于中压电解液的电阻率ρ３０℃降至２００～２５０Ω·ｃｍ，低压电解液的电阻率ρ３０℃降至５０～７０Ω·ｃｍ，也可用于高频低阻抗品。
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LTCC基板厚膜电阻的常温稳定性
李建辉
目前国内尚缺乏与ＬＴＣＣ相配套的厚膜电阻浆料。实验证明，厚膜电阻浆料的导电相、玻璃相及添加剂等对ＬＴＣＣ基板表面厚膜电阻在常温下的稳定性有一定影响。厚膜电阻浆料的膨胀系数随其导电相、玻璃相及添加剂的组分的变化而变化。当厚膜电阻浆料的热膨胀系数与ＬＴＣＣ基板的热膨胀系数之差异大到一定程度时，厚膜电阻在常温下的稳定性就会受到影响。Ｘ射线衍射图谱说明，厚膜电阻与ＬＴＣＣ基板之间生成的方石英相会降低厚膜电阻在常温下的稳定性。
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钙钛矿型铌锌酸铅陶瓷材料合成及其性能
刘宏,逯红霞,王矜奉,董火民,王继扬,于文涛
用Ｘ射线衍射和差热分析研究了铌锌酸铅Ｐｂ〔（Ｚｎ０．７Ｍｇ０．３）１／３Ｎｂ２／３〕Ｏ３陶瓷材料普通合成法和两种铌铁矿先驱体合成法的合成机理。研究表明，该材料的合成过程中，首先生成焦绿石相然后在较高温度生成钙钛矿相，先驱体法可以明显抑制焦绿石相的生成并使其反应温度向高温推迟，从而可以明显提高钙钛矿的产率。而简单先驱体法（ＰｂＯ＋ＺＮ＋ＭＮ）比复合先驱体法（ＰｂＯ＋ＺＭＮ）具有更好的合成效果。采用简单先驱体法通过合适的合成工艺可以制得钙钛矿含量大于９５％的Ｐｂ〔（Ｚｎ０．７Ｍｇ０．３）１／３Ｎｂ２／３〕Ｏ３陶瓷材料，其介电温谱具有明显的弥散性，为无序铁电陶瓷材料。研究发现，差热分析作为判断焦绿石和钙钛矿反应温度的重要依据，可以用于铌锌酸铅系陶瓷材料钙钛矿的合成研究。
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DCF型交流圆片瓷介电容器
章士瀛,赵俊斌
通过对陶瓷介质、导体浆料、包封料等材料的选择，以及陶瓷介质厚度、被银瓷片留边量的设计，采用干压成型法成型，控制生坯密度为３．６２～３．９０ｇ／ｃｍ３，研制成功了额定电压为ＡＣ２５０Ｖ、ＡＣ４００Ｖ的ＤＣＦ型交流瓷介电容器。该产品已取得ＣＣＥＥ、ＵＬ、ＶＤＥ和ＣＳＡ安全认证。
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信息产业部电子信息产品管理司副司长郑敏政在中电元协三届二次理事会上的讲话
各位理事、各位特邀代表：今天，中国电子元件行业协会在此召开三届二次理事会暨纪念协会成立十周年大会，我谨代表信息产业部电子信息产品管理司向中电元协表示热烈祝贺，向为元协工作做出积极贡献的全体理事单位及协会秘书处表示诚挚感谢，向面对激烈市场竞争而不懈努力...
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中电元协电容器分会举办1998年工作会议暨中越电子交流会
张添立
中国电子元件行业协会电容器分会有机薄膜电容器专业委员会１９９８年工作会议暨中越电子交流会于１９９８年１０月１３日～１８日在广西北海市和越南社会主义共和国海防市举行。１０月１４日上午，有机薄膜电容器专业委员会１９９８年工作会议开幕，中电元协电容器分会有...
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混合集成电路技术标准研究
雷剑
对混合集成电路的军用和民用标准的发展作了扼要地介绍；对两类标准的主要技术内容及特点，如术语、质量保证项目及要求、质量评定的规定等作了详细的说明。明确指出，今后的管理模式是先认证或批准生产线，再对产品或标准评价电路进行工艺和材料鉴定。介绍了我国混合集成电路标准的现状，指出了贯彻实施混合集成电路标准中存在的主要问题及加强标准化工作的建议。
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市场简讯
１２０００年世界独石陶瓷电容器市场规模将达３２００亿只据日本村田公司预计，全球独石陶瓷电容器市场将以年均１０％的速率增长，２０００年市场规模将达３２００亿只以上。市场急速增长的原因是由于电容器本身容量增加、体积缩小和日益适应中、高压领域应用。村田公司...
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中国电子学会元件分会第十届学术年会技术总结
中国电子学会元件分会第十届学术年会于１９９８年９月２２日至２６日在四川省成都市隆重举行。这届学会是中国电子学会敏感技术分会与四川省学会＇９８联合学术年会的一部分。来自全国各地１１２个单位的１５５名（其中出席元件分会的有８０个单位１０２名）专家、学者、...
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金属氧化膜电阻器电阻温度系数的改善
纪雄
导致金属氧化膜电阻器失效的主要因素是膜层结构变化、电解和接触部分老化。为了减少失效，改善电阻温度系数α，在生产实践中控制工艺参数及关键工序（镀膜、热处理、刻槽、涂漆）的质量，其中重点是镀膜。通过调整镀膜靶材，Ｈ靶：α从大于１５０×１０－６℃－１调整在±６０×１０－６℃－１之内；Ｆ靶：α从大于２００×１０－６℃－１调整在±１２０×１０－６℃－１之内，提高了金属氧化膜电阻器的可靠性。
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多芯片组件的检测方法
杜晓松,杨邦朝
多芯片组件的测试分三类：基板、ＩＣ裸芯片和组件测试。各类测试都有若干种不同的测试方法，如多层基板的电学测试法，光学测试法；ＩＣ裸芯片的内建自测试法，界面扫描法；组件的全功能测试法，有限功能测试法等。本文对这些方法的优点与不足处，测试设备使用时应注意的事项，适用对象等作了详尽的介绍，还对各种类似方法的功能作了比较。
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工作电解液中影响闪火电压的因素
孙伟利,许恒生,王丽莉
从工作电解液闪火机制的研究出发讨论了影响闪火电压的因素。加藤所提出的闪火电压与负离子浓度成反比的理论比传统的闪火电压与电阻率成正比的理论更加完善。负离子浓度、种类影响界面上氧离子的浓度及介质膜的强度。从闪火机制来看，它是对闪火电压更加直接的影响因素。这种理论能够解释混合溶质及界面活性剂等能够提高闪火电压的同时又降低电阻率的本质原因。
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铝箔交流侵蚀过程的计算机监测(2)
阎康平,罗春晖,涂铭旌
在铝箔交流侵蚀中用计算机、Ａ／Ｄ转换器和编制的软件监测并记录侵蚀反应进程，研究了盐酸、硫酸浓度和电流对铝箔比容的影响，讨论Ｅ－ｔ曲线的响应，对于不同的侵蚀条件，在Ｅ－ｔ曲线上有不同的特征反映。
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电镀工艺对多层瓷介电容器介电性能的影响
王志纯,方利泉,王晓莉,姚熹
用滚镀和静态电镀的实验方法研究了电镀过程对多层瓷介电容器（ＭＬＣＣ）的介电性能的影响。镀镍后，ＭＬＣＣ的电容量略有提高，损耗和温度系数几乎没有变化。镀锡后，ＭＬＣＣ的电容量下降幅度较大，损耗增大，并且随着温度的升高而迅速增加，从而导致电容量变大，进而使电容量温度系数增大。并且高温损耗随着测试频率的提高而降低。将ＭＬＣＣ置于正在电镀的镀镍液和镀锡液中浸泡，发现镀锡液较镀镍液对ＭＬＣＣ有更强的渗入能力和侵蚀能力。
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模块化电话配件中5类配件供应增加
正当ＥＩＡ征集对６类电话配件要求之时，中国台湾的制造商已在争分夺秒地开发能满足６类技术要求的模块化电话配件。能支持３００～３５０ＭＨｚ带宽的样品在６类标准定稿后将顺利上市。然而，中国香港的制造商认为模块化的电话配件技术已成熟，与之相应的研究开发活动也...
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