刊 名:
电子元件与材料
ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS
主 办
国营第715厂
中国电子学会
中国电子元件行业协会
刊 期:月刊
出版地:成都市
语 种:中文
开 本:大16开
刊 号:

ISSN 1001-2028
CN 51-1241/TN
邮发代号:62—36
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  • 不同工艺γ丁内酯在工作电解液中的应用

    钱波生,姚明忠,印险峰

    γ丁内酯(GBL)因其无毒且具有良好的温度特性、水溶性及溶解能力,在工作电解液体系中将成为最有潜力的主溶剂,逐渐取代乙二醇在电容器生产中所形成的主导地位。对提高电解电容器的温度特性、可靠性及寿命具有良好的作用。文中分析了不同工艺GBL因反应副产物不同,导致其在高、中、低压工作电解液中发挥作用的特点和局限性

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  • 用于多种组装技术的厚膜导体复合结构

    李自学,田树英

    厚膜导体Pd-Ag/Au、Pt-Pd-Au/Au平面复合结构,Pd-Ag/Au立体复合结构可使多种组装技术相互兼容。立体复合结构还可有效地降低导体线电阻,减少线损耗。而且,其超声键合性尤佳

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  • 浆料的结冻与解冻

    张耿

    浆料的结冻与解冻张耿(国营4320厂西安710065)FreezeandDefreezeofPasteandSluryZhangGeng(StateRunFactoryNo4320,Xi'an,710065)1引言在研制和生产浆料的过程中,无论是银浆...

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  • 还原再氧化型半导体陶瓷电容器材料的研究

    钟朝位,张树人,王豪才

    通过实验研究了Nd2O3、Nb2O5、Sm2O3添加量对还原再氧化型BaTiO3半导体陶瓷电容器材料性能的影响,同时优化了烧结工艺,获得了C>0.5μF/cm2,tgδ<3.5×10-2,ρ>4×1011Ω·cm,|△C/C|(-25~+85℃)<+30-80%,Vb>420V的实用半导体陶瓷电容器材料

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  • 先驱体合成法在钙钛矿型铁电陶瓷材料制备中的应用

    刘宏,王矜奉,董火民

    先驱体合成法是一种专门用于B位复合钙钛矿[A(B1xB2(1-x))O3]化合物的新方法。结合国外文献及作者的实践,阐述了近年来引起关注的复合钙钛矿化合物先驱体合成法的基本原理。先将B1和B2氧化物复合成先驱体(B1xB2(1-x))O2或(B1B2)O4,然后将先驱体与A氧化物合成为单相A(B1xB2(1-x))O3钙钛矿化合物。该方法能避免焦绿石相的出现,大幅度提高了钙钛矿陶瓷的单相性,其工艺简单,且能制备亚微米粉料。这些优点使它在铁电压电陶瓷工业生产中具有广阔的应用前景

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  • 一种大腔体陶瓷封装结构的研制

    马颖,金心香,丁爱军

    利用陶瓷-金属封接技术,通过对封接结构的合理调整,消除了封接应力对可靠性的影响,实现了一种大腔体微波管壳的制作,并成功地将之应用于实际

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  • 近几年我国压敏电阻器的质量状况

    安福全

    通过对近几年压敏电阻器集中检测结果的对比,反映出我国压敏电阻器经历了起步、稳定和提高的质量变化过程,目前国内已形成了一整套比较成熟的生产制造技术。最大峰值电流(8/20μs)的质量问题须引起重视

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  • 电子陶瓷表面化学镀Ni-B合金的研究

    研究采用以硼氢化钠为还原剂的化学镀镍溶液,在电子陶瓷基体上镀覆了Ni-B合金镀层。测试结果表明:该镀层的可焊性极好,与陶瓷基体的结合强度较高

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  • 提高铝箔比电容的新途径——引入高介电常数金属(陶瓷)氧化物

    康平,沈行素

    介绍国外在高扩面倍率η、低介质膜厚度d的铝电解电容器中引入具有高εr值的其他阀金属(如Ta,Ti,Nb,Zr)氧化物和陶瓷,以期进一步提高铝箔比电容的新方法。根据有关专利文献归纳为三种主要方法:物理、化学及合金化方法。这些思路表征着铝电解电容器用铝箔正面临一场新的技术革新

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  • 用颗粒表面改性技术制备掺锰Y-BaTiO_3PTCR陶瓷

    王兰义

    颗粒表面改性技术的主要原理是通过一定的处理方法,在粉体颗粒上包裹一层欲掺杂元素的可溶性盐,并通过煅烧合成,制得颗粒表面改性的粉体。这种技术作为晶界控制的尝试,是一种具有重大意义的新的陶瓷粉体制备技术。用这种技术制备的掺锰Y-BaTi3PTCR陶瓷比用传统固相法制备出的同种PTCR陶瓷,性能更加优良

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  • 日本固体钽电解电容器

    王世可

    日本固体钽电解电容器王世可(天津市无线电元件二厂天津300203)DevelopmentofSolidTantalEleclrolyticCapacitorofJapanWangShike(TianjinRadioComponentFactoryNo...

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  • 多芯片组件技术的近期发展评述

    张经国

    多芯片组件技术近期发展主要体现在三个方面,一是高级多芯片组件的发展,二是向商业领域产品应用发展,三是研究新的材料、工艺技术和检测技术

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  • 纳米碳管及相关材料的电性能

    吴音,缪卫国,周和平

    碳管是C原子按一定的排列方式形成一封闭的结构,构成有别于金刚石和石墨的C的第三种分子形式。1991年日本发现了碳管的一种形式——纳米碳管。这类材料具有特殊的力学、化学、磁学、电学等性能。笔者综述纳米碳管及相关材料的电学性能及应用前景,指出这类材料近期有望在复合材料中得到应用,而运用到电子工业尚需较长的时间

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  • CA型固体钽电容器的老化筛选方法

    贺光裕

    CA型固体钽电容器是重要的电子元件,为淘汰早期失效产品,确保高的可靠性水平,采用合适的筛选方法十分必要。介绍了:1.敲击漏电流闪变筛选;2.电参数性能测量筛选;3.温度循环筛选;4.高温电负荷老化筛选;5.高温浪涌电压老化筛选;6.高温漏电流老化筛选;7.密封检验筛选。筛选效果最明显的是4、6两项

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